[發(fā)明專利]束電流密度分布調(diào)整裝置和離子注入機

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610860614.6
• 申請日: 2016-09-28
• 公開（公告）號: CN107424892B
• 公開（公告）日: 2019-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 山元徹朗;薩米·K·哈托
• 申請（專利權(quán)）人: 日新離子機器株式會社
• 主分類號: H01J37/147
• 分類號: H01J37/147;H01J37/317
• 代理公司: 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11219
• 代理人: 魯山;孫志湧

本發(fā)明涉及束電流密度分布調(diào)整裝置和離子注入機。提供了一種束電流密度分布調(diào)整裝置。該裝置包括在帶狀束的長側(cè)方向上的構(gòu)件對，所述構(gòu)件對通過使用電場或磁場來調(diào)整在帶狀束的長側(cè)方向上的束電流密度分布，所述構(gòu)件對中的每一個構(gòu)件對的構(gòu)件被布置成使得帶狀束在所述構(gòu)件中間。在帶狀束的長側(cè)方向上彼此相鄰的構(gòu)件對的相對表面部分地不平行于帶狀束的行進方向。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種束電流密度分布調(diào)整裝置和一種包括所述束電流密度分布調(diào)整裝置的離子注入機，所述束電流密度分布調(diào)整裝置使帶狀束局部偏轉(zhuǎn)以在束的長側(cè)方向上調(diào)整束電流密度分布。

背景技術(shù)

使用電場或磁場來調(diào)整在帶狀束的長側(cè)方向上的束電流密度分布的裝置是已知的。

使用電場的裝置的示例可以包括日本專利特開申請No.2014-183042中舉例說明的裝置。在這些裝置中，多個電極對沿著帶狀束的長側(cè)方向布置。每一個電極對的電極相對地布置，且?guī)钍谒鼈冎g。為了使束成分局部偏轉(zhuǎn)以調(diào)整在帶狀束的長側(cè)方向上的束電流密度分布，調(diào)整將施加到布置在帶狀速的長側(cè)方向上的相應(yīng)的電極對的電壓。

使用磁場的裝置的示例可以包括日本專利特開申請No.2005-327713中舉例說明的裝置。在該裝置中，多個磁極對沿著帶狀束的長側(cè)方向布置。每一個磁極對的磁極相對地布置，且?guī)钍谒鼈冎g。以線圈纏繞每個磁極。為了使束成分局部偏轉(zhuǎn)以調(diào)整在帶狀束的長側(cè)方向上的束電流密度分布，調(diào)整在帶狀束的短側(cè)方向上的纏繞磁極對的彼此相對的相應(yīng)磁極的線圈的電流。

此外，作為使用磁場的裝置的示例，在國際專利申請No.2005-533353的國家公布中舉例說明的裝置也是已知的。在這些裝置，多個線圈纏繞具有開口的矩形狀軛，帶狀束經(jīng)過所述開口。為了使束成分局部偏轉(zhuǎn)以調(diào)整在帶狀束的長側(cè)方向上的束電流密度分布，流經(jīng)纏繞軛的相對長軸中的一個的多個線圈的電流方向與另一個軸的電流方向相反，并且調(diào)整相應(yīng)的線圈的電流。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)一個或多個示例性實施例的一方面，提供了一種束電流密度分布調(diào)整裝置，所述束電流密度分布調(diào)整裝置包括：在帶狀束的長側(cè)方向上的多個構(gòu)件對，所述構(gòu)件對通過使用電場或磁場來調(diào)整在所述帶狀束的長側(cè)方向上的束電流密度分布，所述構(gòu)件對中的每一對被布置成使得所述帶狀束在所述構(gòu)件對中間，其中在所述帶狀束的長側(cè)方向上彼此相鄰的構(gòu)件對的相對表面至少部分地不平行于所述帶狀束的行進方向。

根據(jù)一個或多個示例性實施例的另一個方面，提供了一種離子注入機，所述離子注入機包括：離子源，所述離子源被構(gòu)造成產(chǎn)生帶狀束；束電流密度分布調(diào)整裝置，所述束電流密度分布調(diào)整裝置包括在所述帶狀束的長側(cè)方向上的多個構(gòu)件對，所述構(gòu)件對通過使用電場或磁場來調(diào)整在所述帶狀束的長側(cè)方向上的束電流密度分布，構(gòu)件對中的每一對被布置成使得所述帶狀束在所述構(gòu)件對中間；以及處理室，在所述處理室中布置有晶圓，其中在所述帶狀束的長側(cè)方向上彼此相鄰的構(gòu)件對的相對表面至少部分地不平行于所述帶狀束的行進方向。

根據(jù)一個或多個示例性實施例的又一個方面，提供了一種束調(diào)整裝置，所述束調(diào)整裝置包括：第一構(gòu)件和第二構(gòu)件，所述第一構(gòu)件和第二構(gòu)件布置在帶狀束的相對側(cè)；以及第三構(gòu)件和第四構(gòu)件，所述第三構(gòu)件和第四構(gòu)件布置在所述帶狀束的相對側(cè)，所述第三構(gòu)件在所述帶狀束的長方向上與所述第一構(gòu)件相鄰，并且所述第四構(gòu)件在所述長方向上與所述第二構(gòu)件相鄰，其中所述第一構(gòu)件至所述第四構(gòu)件中的每一個構(gòu)件具有在所述帶狀束的行進方向上延伸的表面，所述行進方向與所述長方向正交，并且所述第一構(gòu)件的表面的至少一部分不平行于所述行進方向。

附圖說明

圖1A和圖1B示出根據(jù)示例性實施例的束電流密度分布調(diào)整裝置，其中圖1A是裝置的透視圖，以及圖1B是以放大方式示出由圖1A中的虛線包圍的部分的平面圖；