[發明專利]束電流密度分布調整裝置和離子注入機有效
| 申請號: | 201610860614.6 | 申請日: | 2016-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN107424892B | 公開(公告)日: | 2019-02-12 |
| 發明(設計)人: | 山元徹朗;薩米·K·哈托 | 申請(專利權)人: | 日新離子機器株式會社 |
| 主分類號: | H01J37/147 | 分類號: | H01J37/147;H01J37/317 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 魯山;孫志湧 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電流密度 分布 調整 裝置 離子 注入 | ||
1.一種束電流密度分布調整裝置,包括:
在帶狀束的長側方向上的多個構件對,所述構件對通過使用電場或磁場來調整在所述帶狀束的長側方向上的束電流密度分布,所述構件對中的每一對被布置成使得所述帶狀束在所述構件對中間,
其中在所述帶狀束的長側方向上彼此相鄰的所述構件對的相對表面至少部分地不平行于所述帶狀束的行進方向。
2.根據權利要求1所述的束電流密度分布調整裝置,其中,在所述帶狀束的長側方向上彼此相鄰的所述構件對的相對表面平行于彼此。
3.根據權利要求1所述的束電流密度分布調整裝置,其中,在所述帶狀束的長側方向上彼此相鄰的所述構件對的相對表面不平行于彼此。
4.根據權利要求1所述的束電流密度分布調整裝置,其中,在所述帶狀束的長側方向上彼此相鄰的所述構件對的整個相對表面不平行于所述帶狀束的行進方向。
5.根據權利要求2所述的束電流密度分布調整裝置,其中,在所述帶狀束的長側方向上彼此相鄰的所述構件對的整個相對表面不平行于所述帶狀束的行進方向。
6.根據權利要求4所述的束電流密度分布調整裝置,其中,在所述帶狀束的長側方向上彼此相鄰的所述構件對的相對表面相對于所述帶狀束的行進方向沿一個方向傾斜,并且在所述帶狀束的行進方向上相對于所述相對表面中的每一個表面的中心是對稱的。
7.根據權利要求4所述的束電流密度分布調整裝置,其中,在所述帶狀束的長側方向上彼此相鄰的所述構件對的相對表面相對于所述帶狀束的行進方向沿一個方向傾斜,并且與所述帶狀束的行進方向相交偶數次。
8.根據權利要求4所述的束電流密度分布調整裝置,其中,在所述帶狀束的長側方向上彼此相鄰的所述構件對的相對表面相對于所述帶狀束的行進方向以相同的角度傾斜。
9.根據權利要求8所述的束電流密度分布調整裝置,其中,根據在所述帶狀束的長側方向上所述構件對被布置的位置來確定傾斜角。
10.根據權利要求1所述的束電流密度分布調整裝置,其中,在所述帶狀束的長側方向上彼此相鄰的所述構件對的相對表面相對于所述帶狀束的行進方向沿一個方向傾斜,并且在所述帶狀束的長側方向上相對于所述束電流密度分布調整裝置的中心是對稱的。
11.一種離子注入機,包括:
離子源,所述離子源被構造成產生帶狀束;
束電流密度分布調整裝置,所述束電流密度分布調整裝置包括在所述帶狀束的長側方向上的多個構件對,所述構件對通過使用電場或磁場來調整在所述帶狀束的長側方向上的束電流密度分布,所述構件對中的每一對被布置成使得所述帶狀束在所述構件對中間;以及
處理室,在所述處理室中布置有晶圓,
其中在所述帶狀束的長側方向上彼此相鄰的所述構件對的相對表面至少部分地不平行于所述帶狀束的行進方向。
12.一種束調整裝置,包括:
第一構件和第二構件,所述第一構件和所述第二構件布置在帶狀束的短側方向的相對側;以及
第三構件和第四構件,所述第三構件和第四構件布置在所述帶狀束的所述短側方向的相對側,所述第三構件在所述帶狀束的長側方向上與所述第一構件相鄰,并且所述第四構件在所述長側方向上與所述第二構件相鄰,
其中所述第一構件至所述第四構件中的每一個構件具有在所述帶狀束的行進方向上延伸的表面,所述行進方向與所述長側方向正交,并且
所述第一構件的所述表面的至少一部分不平行于所述行進方向。
13.根據權利要求12所述的裝置,其中,所述第一構件至所述第四構件是電極、磁極或線圈。
14.根據權利要求12所述的裝置,其中,所述第一構件的整個所述表面不平行于所述行進方向。
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