[發(fā)明專利]一種金屬掩膜版及其制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610855271.4
• 申請(qǐng)日: 2016-09-27
• 公開（公告）號(hào): CN107868932A
• 公開（公告）日: 2018-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王國兵
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海和輝光電有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/04
• 分類號(hào): C23C14/04
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 孟金喆,胡彬

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實(shí)施例涉及金屬掩膜版制備技術(shù)，尤其涉及一種金屬掩膜版及其制作方法。

背景技術(shù)

有機(jī)發(fā)光顯示裝置性能優(yōu)良，能夠自發(fā)光無需背光，易于實(shí)現(xiàn)柔性顯示，且響應(yīng)時(shí)間短，因此備受用戶青睞。

有機(jī)發(fā)光器件的有效制備是實(shí)現(xiàn)有機(jī)發(fā)光顯示裝置應(yīng)用的基礎(chǔ)，現(xiàn)有技術(shù)中實(shí)現(xiàn)有機(jī)發(fā)光器件的制備方法有多種，其中使用較為廣泛的一種方法是像素并置法，采用這種方法制作出的有機(jī)發(fā)光器件顯示色彩純正，且發(fā)光效率高。具體的，像素并置法利用金屬掩膜版作為鍍膜工藝中的掩膜工具來形成像素材料層，因此，金屬掩膜版的精度直接影響著形成有機(jī)發(fā)光器件的性能。

目前常用的金屬掩膜版制作方法為濕法刻蝕，濕法刻蝕的側(cè)刻量較大，且開口尺寸較大，因此精度較低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種金屬掩膜版及其制作方法，以提高形成金屬掩膜版的精度。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種金屬掩膜版的制作方法，所述制作方法包括：

提供一金屬基板；

在所述金屬基板上形成圖形化的介質(zhì)層；

在所述金屬基板以及所述介質(zhì)層上形成掩膜材料層；

去除所述介質(zhì)層以及所述介質(zhì)層上的所述掩膜材料層；以及

分離所述金屬基板與剩余的所述掩膜材料層,以利用剩余的所述掩膜材料層構(gòu)成所述金屬掩膜版。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種金屬掩膜版，所述金屬掩膜版采用本發(fā)明任一實(shí)施例所述的制作方法形成。

本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案，通過提供一金屬基板，在金屬基板上形成圖形化的介質(zhì)層，在金屬基板以及介質(zhì)層上形成掩膜材料層，去除介質(zhì)層以及介質(zhì)層上的掩膜材料層，并分離金屬基板與剩余的掩膜材料層,以利用剩余的掩膜材料層構(gòu)成金屬掩膜版，省去了現(xiàn)有技術(shù)中的濕法刻蝕工藝，避免了濕法刻蝕工藝導(dǎo)致的金屬掩膜版精度低的問題，達(dá)到了提高金屬掩膜版精度的有益效果。

附圖說明

為了更加清楚地說明本發(fā)明示例性實(shí)施例的技術(shù)方案，下面對(duì)描述實(shí)施例中所需要用到的附圖做一簡單介紹。顯然，所介紹的附圖只是本發(fā)明所要描述的一部分實(shí)施例的附圖，而不是全部的附圖，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖得到其他的附圖。

圖1a-圖1f是現(xiàn)有技術(shù)中金屬掩膜版的制作方法的示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例中提供的一種金屬掩膜版的制作方法的流程示意圖；

圖3-圖9是本發(fā)明實(shí)施例提供的金屬掩膜版的制作方法的示意圖；

圖10是圖9中金屬掩膜版的俯視示意圖；

圖11是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種金屬掩膜版的俯視示意圖；

圖12是形成減重槽后金屬掩膜版的俯視示意圖；

圖13是沿圖12中虛線CD的剖面示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。

圖1a-圖1f是現(xiàn)有技術(shù)中金屬掩膜版的制作方法的示意圖。如圖1a所示，提供一金屬基板101，通過對(duì)金屬基板101圖形化獲得金屬掩膜版，即金屬基板101為金屬掩膜版的掩膜材料層。通常為減小待形成金屬掩膜版的熱膨脹系數(shù)，金屬基板101采用鎳鐵合金材料形成。然后在金屬基板101的一個(gè)表面上形成光刻膠層102，如圖1b所示。采用光罩103遮光進(jìn)行曝光工藝，如圖1c所示。利用顯影液對(duì)光刻膠進(jìn)行顯影，獲得圖形化的光刻膠層102，使圖形化的光刻膠層102對(duì)應(yīng)待形成金屬掩膜版開孔之外的區(qū)域，如圖1d所示。以圖形化的光刻膠作為掩膜，采用濕法刻蝕對(duì)金屬基板101進(jìn)行處理，如圖1e所示。再將金屬基板101上的光刻膠去除，進(jìn)而獲得金屬掩膜版，如圖1f所示。

現(xiàn)有技術(shù)中采用濕法刻蝕對(duì)金屬基板101進(jìn)行處理，雖然有光刻膠的掩蓋，但是由于濕法刻蝕側(cè)刻量較大，形成的開孔尺寸較大，且不易精確控制，因此，一方面被光刻膠覆蓋的金屬基板101邊緣會(huì)被刻蝕掉，影響了金屬掩膜版的精度，另一方面，濕法刻蝕無法形成小尺寸開孔，使形成金屬掩膜版的開孔尺寸較大。

針對(duì)上述問題，本發(fā)明提供了一種金屬掩膜版的制作方法，該方法可獲得小尺寸開孔的金屬掩膜版，且未使用濕法刻蝕工藝，進(jìn)而避免了濕法刻蝕工藝導(dǎo)致的金屬掩膜版精度低的問題。

基于以上描述，本發(fā)明實(shí)施例提供了如下的解決方案。