[發明專利]一種去氣腔室和半導體處理裝置

有效

• 申請號: 201610854013.4
• 申請日: 2016-09-27
• 公開（公告）號: CN107871681B
• 公開（公告）日: 2019-10-08
• 發明（設計）人: 賈強;丁培軍;趙夢欣;王厚工
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;羅瑞芝

本發明提供一種去氣腔室和半導體處理裝置。該去氣腔室包括腔體和片盒，腔體的側壁上開設有傳片口；片盒在腔體內可沿豎直方向移動，還包括設置在腔體內的加熱組件，加熱組件包括第一光源件和第二光源件，腔體以傳片口為界分為第一腔體和第二腔體；第一光源件位于第一腔體內，第二光源件位于第二腔體內；第一光源件和第二光源件用于對片盒內的待去氣基片進行均衡加熱。該去氣腔室通過設置加熱組件，能使放置于片盒中的待去氣基片都能受到均衡加熱，從而確保了待去氣基片在去氣工藝和取放片過程中的工藝溫度均衡，進而不僅提高了待去氣基片的去氣工藝質量，而且為后續工藝過程提供了更加潔凈的基片。

技術領域

本發明涉及半導體器件制備技術領域，具體地，涉及一種去氣腔室和半導體處理裝置。

背景技術

在半導體制造技術領域，物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition，PVD)是指采用物理方法，將材料源——固體或液體表面氣化氣態原子、分子或部分電離成離子，并通過低壓氣體，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術。

在PVD設備中，通常需要Degas(去氣)工藝步驟，例如在如圖1所示的銅互連PVD工藝流程中，該工藝步驟的作用是在真空系統中，去除掉基片在大氣中吸附的水蒸氣等雜質，清潔基片表面，為后續工序提供盡可能干凈的基片。

如圖2所示，傳統的去氣加熱系統主要由真空腔室4、片盒2、升降系統5和光源6組成。真空腔室4提供了工藝環境，片盒2用于承載多個基片，升降系統5通過驅動片盒2升降將片盒2中放置于不同高度位置的基片傳輸到取放片的高度位置上(即傳片口11的高度位置)，光源6提供了熱量。

上述去氣加熱系統的工作流程如下：1)通過升降系統5將第一批多個基片從傳片口11傳輸到片盒2上的不同高度位置；2)通過升降系統5將片盒2頂起到光源6處的工藝位置上；3)點亮光源6，加熱基片；4)關閉光源6，降低片盒2至傳片口11的高度，并取走完成工藝的一些基片，同時補充一些基片；5)遵循先進先出的原則，循環工作。

在實際進行加熱去氣工藝時，由于傳片口11位于光源6的下方位置，因此存在著一種現象，即每次取放片都會將片盒2降下來，這樣就遠離了光源6的輻射區域，導致片盒2連同基片溫度下降，且這種溫度下降不可控，每個基片隨著工藝流程的設定其下降次數也不相同，對基片的最終工藝結果例如工藝溫度、均勻性等影響較大。

發明內容

本發明針對現有技術中存在的上述技術問題，提供一種去氣腔室和半導體處理裝置。該去氣腔室通過設置多個加熱組件，能使放置于片盒中的待去氣基片都能受到均衡加熱，從而確保了待去氣基片在去氣工藝和取放片過程中的工藝溫度均衡，進而不僅提高了待去氣基片的去氣工藝質量，而且為后續工藝過程提供了更加潔凈的基片。

本發明提供一種去氣腔室，包括腔體和片盒，所述腔體的側壁上開設有傳片口，所述傳片口用于使所述待去氣基片傳入或傳出所述腔體；所述片盒在所述腔體內可沿豎直方向移動，還包括設置在所述腔體內的加熱組件，所述加熱組件包括第一光源件和第二光源件，所述腔體以所述傳片口為界分為第一腔體和第二腔體；所述第一光源件位于所述第一腔體內，所述第二光源件位于所述第二腔體內；所述第一光源件和所述第二光源件用于對所述片盒內的所述待去氣基片進行均衡加熱。

優選地，所述加熱組件還包括第一反光筒和第二反光筒，所述第一反光筒位于所述第一腔體和所述第一光源件之間；所述第二反光筒位于所述第二腔體和所述第二光源件之間；

所述第一反光筒和所述第二反光筒用于將照射到其上的光線向所述片盒內的所述待去氣基片反射。

優選地，所述第一反光筒和所述第二反光筒對接形成一體，且在對應所述傳片口的位置設有第一開口，所述第一開口能使所述待去氣基片通過。

優選地，所述加熱組件還包括第一反光板和第二反光板，所述第一反光板蓋合在所述第一反光筒的遠離所述傳片口的一端，所述第二反光板蓋合在所述第二反光筒的遠離所述傳片口的一端；