[發(fā)明專利]一種去氣腔室和半導體處理裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610854013.4
• 申請日: 2016-09-27
• 公開（公告）號: CN107871681B
• 公開（公告）日: 2019-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 賈強;丁培軍;趙夢欣;王厚工
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;羅瑞芝

1.一種去氣腔室，包括腔體和片盒，所述腔體的側(cè)壁上開設(shè)有傳片口，所述傳片口用于使待去氣基片傳入或傳出所述腔體；所述片盒在所述腔體內(nèi)可沿豎直方向移動，其特征在于，還包括設(shè)置在所述腔體內(nèi)的加熱組件，所述加熱組件包括第一光源件和第二光源件，所述腔體以所述傳片口為界分為第一腔體和第二腔體；所述第一光源件位于所述第一腔體內(nèi)，所述第二光源件位于所述第二腔體內(nèi)；所述第一光源件和所述第二光源件用于對所述片盒內(nèi)的所述待去氣基片進行均衡加熱；

所述加熱組件還包括第一反光筒和第二反光筒，所述第一反光筒位于所述第一腔體和所述第一光源件之間；所述第二反光筒位于所述第二腔體和所述第二光源件之間；

所述第一反光筒和所述第二反光筒用于將照射到其上的光線向所述片盒內(nèi)的所述待去氣基片反射；并且，

所述第一反光筒和所述第二反光筒對接形成一體，且在對應(yīng)所述傳片口的位置設(shè)有第一開口，所述第一開口能使所述待去氣基片通過。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去氣腔室，其特征在于，所述加熱組件還包括第一反光板和第二反光板，所述第一反光板蓋合在所述第一反光筒的遠離所述傳片口的一端，所述第二反光板蓋合在所述第二反光筒的遠離所述傳片口的一端；

所述第一反光板和所述第二反光板用于將照射到其上的光線向所述片盒內(nèi)的所述待去氣基片反射。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去氣腔室，其特征在于，所述第一光源件包括多個第一線光源，所述多個第一線光源相互平行且圍成一圈；所述第一線光源的長度方向平行于所述片盒的移動方向；

所述第二光源件包括多個第二線光源，所述多個第二線光源相互平行且圍成一圈；所述第二線光源的長度方向平行于所述片盒的移動方向；

所述片盒能在所述第一線光源和所述第二線光源圍成的空間內(nèi)移動。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去氣腔室，其特征在于，所述第一反光筒和所述第二反光筒的內(nèi)壁能使照射到其上的光線發(fā)生漫反射和/或鏡面反射。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的去氣腔室，其特征在于，所述第一反光板面向所述第一反光筒筒內(nèi)的內(nèi)壁和所述第二反光板面向所述第二反光筒筒內(nèi)的內(nèi)壁能使照射到其上的光線發(fā)生漫反射和/或鏡面反射。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去氣腔室，其特征在于，所述第一反光筒和所述第二反光筒采用不銹鋼材質(zhì)。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的去氣腔室，其特征在于，所述第一反光板和所述第二反光板采用不銹鋼材質(zhì)。

8.一種半導體處理裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-7任意一項所述的去氣腔室。