[發明專利]經表面處理的銅箔及其制造方法

在審

• 申請號: 201610853234.X
• 申請日: 2016-09-26
• 公開（公告）號: CN107130288A
• 公開（公告）日: 2017-09-05
• 發明（設計）人: 范元辰;崔恩實;宋基德
• 申請（專利權）人: 日進材料股份有限公司
• 主分類號: C25F3/02
• 分類號: C25F3/02
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司11286
• 代理人: 孫昌浩,李盛泉

1.一種經表面處理的銅箔，包括在銅箔的至少一個表面貼附有凸粒的粗糙化處理面，其中，所述表面處理銅箔的表面粗糙度為2.5～3.0μm，貼附于所述銅箔的一個表面的凸粒的高度為1.0～3.0μm，凸粒與凸粒之間的間距為0.1～0.7μm，觀察剖面25μm內的凸粒個數為10～60個。

2.如權利要求1所述的經表面處理的銅箔，其中，所述經表面處理的銅箔的表面粗糙度為2.5～2.8μm。

3.如權利要求1所述的經表面處理的銅箔，其中，所述經表面處理的銅箔在低介電常數用半固化片中表現出0.7kgf以上的粘接強度。

4.如權利要求3所述的經表面處理的銅箔，其中，所述表面處理銅箔在低介電常數用半固化片中表現出1.0kgf以上的粘接強度。

5.如權利要求1所述的經表面處理的銅箔，其中，用于形成所述凸粒的粗糙化處理在由Mo 1～10g/L、Co 1～10g/L、W 0.1～0.5g/L、Cu 10～20g/L、H₂SO₄ 100～200g/L構成的鍍浴中實施。

6.如權利要求1所述的經表面處理的銅箔，其中，用于形成所述凸粒的粗糙化處理在由Mo 1～10g/L、Mn 0.1～0.5g/L、W 0.1～0.5g/L、Cu 10～20g/L、H₂SO₄ 100～200g/L構成的鍍浴中實施。

7.如權利要求1所述的經表面處理的銅箔，其中，用于形成所述凸粒的粗糙化處理在由Mo 1～10g/L、Na 1～10g/L構成的鍍浴中實施。

8.如權利要求1所述的經表面處理的銅箔，其中，在所述粗糙化處理面的凸粒粒子的上部形成有外蓋鍍金屬層。

9.一種經表面處理的銅箔的制造方法，包括如下步驟：

第一步驟，準備電解銅箔；

第二步驟，對所述電解銅箔的表面進行酸洗處理；

第三步驟，在包含有Mo、Co、W、Mn、Cu、H₂SO₄、Na中的至少一種物質的鍍浴中對所述經酸洗處理的電解銅箔進行粗糙化處理，從而形成凸粒；

第四步驟，在形成的所述凸粒的上部形成鍍金屬層。

10.如權利要求9所述的經表面處理的銅箔的制造方法，其中，所述電解銅箔的粗糙化處理在由Mo 1～10g/L、Co 1～10g/L、W 0.1～0.5g/L、Cu 10～20g/L、H₂SO₄ 100～200g/L構成的鍍浴中實施。

11.如權利要求9所述的經表面處理的銅箔的制造方法，其中，所述電解銅箔的粗糙化處理在由Mo 1～10g/L、Mn 0.1～0.5g/L、W 0.1～0.5g/L、Cu 10～20g/L、H₂SO₄ 100～200g/L構成的鍍浴中實施。

12.如權利要求9所述的經表面處理的銅箔的制造方法，其中，所述電解銅箔的粗糙化處理在由Mo 1～10g/L、Na 1～10g/L構成的鍍浴中實施。

13.一種經表面處理的銅箔的制造方法，對電解銅箔的表面進行酸洗處理，并在包含有Mo、Co、W、Mn、Cu、H₂SO₄、Na中的至少一種物質的鍍浴中對所述經酸洗處理的電解銅箔進行粗糙化處理而形成凸粒，從而執行所述電解銅箔的表面處理，其中，

所述經表面處理的銅箔的表面粗糙度為2.5～2.8μm，貼附于所述銅箔的一個表面的凸粒的高度為1.0～3.0μm，凸粒與凸粒之間的間距為0.1～0.7μm，觀察剖面25μm內的凸粒的個數為10～60個。

14.如權利要求13所述的經表面處理的銅箔的制造方法，其中，還包括如下步驟：

在所述凸粒的上部形成外蓋鍍金屬層。