[發(fā)明專利]與工作范圍相關(guān)的非易失性存儲器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610851419.7
• 申請日: 2016-09-26
• 公開（公告）號: CN107293326B
• 公開（公告）日: 2020-11-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄭會三
• 申請（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C16/26
• 分類號: G11C16/26;G11C16/10;G11C16/30
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 李少丹;許偉群

一種非易失性存儲器件可以包括非易失性存儲單元和感測電路。該感測電路耦接到該非易失性存儲單元的位線。該感測電路可以使用反相器來實施，所述反相器包括耦接到電源電壓線的P溝道晶體管和耦接到地電壓的N溝道晶體管。所述P溝道晶體管的柵極耦接到地電壓。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求2016年4月11日提交的申請?zhí)枮?0-2016-0044099的韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，其通過引用整體合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開的各種實施例總體而言可以涉及非易失性存儲器件，更具體地，涉及與工作范圍相關(guān)的非易失性存儲器(NVM)器件。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體存儲器件根據(jù)其數(shù)據(jù)易失性而通常分為隨機(jī)存取存儲(RAM)器件或只讀存儲(ROM)器件。RAM器件在電源被中斷時丟失所儲存的數(shù)據(jù)。與此相反的是，ROM器件在電源被中斷時仍保持所儲存的數(shù)據(jù)。ROM器件也可以根據(jù)數(shù)據(jù)輸入方法(即，數(shù)據(jù)編程方法)而分為可編程ROM(PROM)器件或掩模ROM器件。PROM器件可以以不編程的狀態(tài)制造和售出，從而在其制造之后由消費者(即，用戶)來直接編程。掩模ROM器件可以在其制造期間使用基于由用戶請求的數(shù)據(jù)而制造的注入掩模來編程。PROM器件可以包括一次性PROM(OTPROM)器件、可擦除PROM(EPROM)器件和電可擦除PROM(EEPROM)器件。一旦OTPROM器件被編程，就不能改變OTPROM器件的編程數(shù)據(jù)。

N溝道晶體管或P溝道晶體管可以用作非易失性存儲器件(例如，OTPROM器件)的單元晶體管。如果使用P溝道晶體管作為非易失性存儲器件的單元晶體管，則P溝道單元晶體管可以具有關(guān)斷態(tài)作為其初始狀態(tài)，以及可以具有導(dǎo)通態(tài)作為其編程態(tài)。P溝道單元晶體管的讀取操作可以通過感測連接到從多個P溝道單元晶體管選擇的任意P溝道單元晶體管的位線的電壓電平來執(zhí)行。在這種情況下，該位線的電壓電平可以通過耦接在電源電壓線與位線之間的負(fù)載電阻器的電阻值與被選中的P溝道單元晶體管的等效電阻的電阻比例來確定。當(dāng)電子系統(tǒng)尺寸縮減且被分成更多個系統(tǒng)時，需要更多的電源電壓電平來操作電子系統(tǒng)中所采用的非易失性存儲器件。在這種情況下，采用P溝道晶體管作為單元晶體管的非易失性存儲器件的讀取操作可能不穩(wěn)定地執(zhí)行。結(jié)果，可能因為電源電壓的強(qiáng)度而限制了非易失性存儲器件的工作范圍。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)一個實施例，可以提供一種非易失性存儲器件。該非易失性存儲器件可以包括非易失性存儲單元和感測電路。該感測電路耦接到該非易失性存儲單元的位線。該感測電路可以使用反相器來實施，所述反相器包括耦接到電源電壓線的P溝道晶體管和耦接到地電壓的N溝道晶體管。所述P溝道晶體管的柵極耦接到地電壓。

附圖說明

圖1是圖示常規(guī)非易失性存儲器件的電路圖。

圖2是圖示當(dāng)單元晶體管具有初始狀態(tài)時圖1中所示的非易失性存儲器件的單元晶體管和電阻式負(fù)載部分的電阻值隨電源電壓變化的圖。

圖3是圖示當(dāng)單元晶體管具有編程態(tài)時圖1中所示的非易失性存儲器件的單元晶體管和電阻式負(fù)載部分的電阻值隨電源電壓變化的圖。

圖4是圖示根據(jù)一個實施例的非易失性存儲器件的示例代表的電路圖。

圖5是圖4中圖示的非易失性存儲器件的等效電路圖以用于圖示當(dāng)高電源電壓被施加給非易失性存儲器件時非易失性存儲器件中所包括的編程了的單元晶體管的讀取操作。

圖6是圖4中圖示的非易失性存儲器件的等效電路圖以用于圖示當(dāng)高電源電壓被施加給非易失性存儲器件時非易失性存儲器件中所包括的初始單元晶體管的讀取操作。

圖7是圖4中圖示的非易失性存儲器件的等效電路圖以用于圖示當(dāng)?shù)碗娫措妷罕皇┘咏o非易失性存儲器件時非易失性存儲器件中所包括的編程了的單元晶體管的讀取操作。