[發明專利]基板液處理裝置和基板液處理方法有效
| 申請號: | 201610849288.9 | 申請日: | 2016-09-23 |
| 公開(公告)號: | CN107017160B | 公開(公告)日: | 2021-10-01 |
| 發明(設計)人: | 田中幸二;鹽川俊行;益富裕之;佐藤尊三;田中裕司;稻田尊士;平山司 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/306 | 分類號: | H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基板液 處理 裝置 方法 | ||
本發明提供一種基板液處理裝置和基板液處理方法。基板液處理裝置能夠利用處理液對基板均勻地進行處理。在本發明中,基板液處理裝置具有:處理槽,其用于將多個基板以排列的狀態浸漬于處理液來進行處理;以及處理液供給噴嘴,其在所述處理槽的內部配置于所述基板的下方,在沿著所述基板的排列方向延伸的管體形成有用于噴出所述處理液的噴出口,所述噴出口形成有第1側面和第2側面,第1側面和第2側面在與所述基板的排列方向正交的水平方向上隔開間隔,所述第1側面和/或所述第2側面的外側端緣設于比從所述管體的中心沿著徑向使內側端緣延伸而得的位置(B1、D1)朝向水平方向地向外側打開的位置(A1、C1)。
技術領域
本發明涉及一種使多個基板以排列的狀態浸漬于處理液來進行液處理的基板液處理裝置以及基板液處理方法。
背景技術
在制造半導體部件、平板顯示器等時,使用基板液處理裝置,利用清洗液、蝕刻液等處理液對半導體晶圓、液晶基板等基板實施各種液處理。
例如,在專利文獻1中公開的基板液處理裝置中,在處理槽的底部設有兩個處理液供給噴嘴,從處理液供給噴嘴向處理槽的內部供給處理液。
在該基板液處理裝置中,多個基板以鉛垂立起的姿勢沿水平方向隔開間隔地排列的狀態浸漬于儲存有處理液的處理槽。處理液供給噴嘴向基板的排列方向延伸,用于噴出處理液的噴出口沿著基板的排列方向隔開間隔地設置。噴出口由具有圓形開口的貫通孔形成。兩個處理液供給噴嘴使各自的噴出口朝向基板的中央側并向內側斜上方傾斜。
并且,在基板液處理裝置中,從兩個處理液供給噴嘴的噴出口向基板的中央噴出處理液,從而在處理槽的內部形成沿著基板的表面流動的處理液的上升流,利用上升的處理液對基板的表面進行液處理。
專利文獻1:日本特開2012-15490號公報
發明內容
在所述以往的基板液處理裝置中,兩個處理液供給噴嘴的噴出口由向基板的中央側傾斜的貫通孔形成,因此從處理液供給噴嘴噴出的處理液的指向性非常高。
因此,從處理液供給噴嘴噴出的大部分處理液向基板的中央側呈傾斜狀流動,從兩個處理液供給噴嘴噴出的處理液彼此在基板的中央部發生碰撞。由此,在處理槽的內部,因處理液的流速的差而產生渦流,出現處理液滯留的部分。結果,在所述以往的基板液處理裝置中,有可能無法均勻地對基板的表面進行液處理。
因此,本發明是一種基板液處理裝置,該基板液處理裝置具有:處理槽,其用于將多個基板以排列的狀態浸漬于處理液來進行處理;以及處理液供給噴嘴,其在所述處理槽的內部配置于所述基板的下方,在沿著所述基板的排列方向延伸的管體形成有用于噴出所述處理液的噴出口,所述噴出口形成有第1側面和第2側面,第1側面和第2側面在與所述基板的排列方向正交的水平方向上隔開間隔,所述第1側面和/或所述第2側面的外側端緣設于比從所述管體的中心沿著徑向使內側端緣延伸而得的位置朝向水平方向地向外側打開的位置。
另外,本發明是一種基板液處理裝置,該基板液處理裝置具有:處理槽,其用于將多個基板以排列的狀態浸漬于處理液來進行處理;以及處理液供給噴嘴,其在所述處理槽的內部配置于所述基板的下方,在沿著所述多個基板的排列方向延伸的管體形成有用于噴出所述處理液的噴出口,所述噴出口形成有第1側面和第2側面,第1側面和第2側面在與所述基板的排列方向正交的水平方向上隔開間隔,所述第1側面與所述第2側面之間的開口角度被設為打開180度以上的角度的狀態。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





