[發明專利]基板液處理裝置和基板液處理方法有效
| 申請號: | 201610849288.9 | 申請日: | 2016-09-23 |
| 公開(公告)號: | CN107017160B | 公開(公告)日: | 2021-10-01 |
| 發明(設計)人: | 田中幸二;鹽川俊行;益富裕之;佐藤尊三;田中裕司;稻田尊士;平山司 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/306 | 分類號: | H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基板液 處理 裝置 方法 | ||
1.一種基板液處理裝置,其特征在于,
該基板液處理裝置具有:
處理槽,其用于將多個基板以排列的狀態浸漬于處理液來進行處理;以及
處理液供給噴嘴,其在所述處理槽的內部配置于所述基板的下方,在沿著所述多個基板的排列方向延伸的管體形成有用于噴出所述處理液的噴出口,
在所述管體形成的所述噴出口形成有第1側面和第2側面,第1側面和第2側面在與所述基板的排列方向正交的水平方向上隔開間隔,所述第1側面和/或所述第2側面的外側端緣設于比從所述管體的中心沿著徑向使內側端緣延伸而得的位置朝向水平方向地向外側打開的位置。
2.根據權利要求1所述的基板液處理裝置,其特征在于,
在所述管體的內部收納有用于供給所述處理液的內管,用于從所述內管向所述管體供給所述處理液的供給口被形成為與形成于所述管體的所述噴出口朝向相反的方向。
3.根據權利要求2所述的基板液處理裝置,其特征在于,
在排列的所述多個基板之間均配置有所述噴出口,并且在并列設置的所述噴出口之間均配置有所述供給口。
4.根據權利要求1~3中任一項所述的基板液處理裝置,其特征在于,
在所述管體的內部收納有用于供給所述處理液的內管,所述內管的外周面比所述第1側面和/或所述第2側面向外側突出。
5.根據權利要求1~3中任一項所述的基板液處理裝置,其特征在于,
在所述處理槽的內部,將多個所述處理液供給噴嘴配置為各自的所述噴出口的所述第1側面和所述第2側面之間的中央部處的所述處理液的噴出方向彼此平行而不交叉。
6.根據權利要求1~3中任一項所述的基板液處理裝置,其特征在于,
在所述處理槽的內部,將多個所述處理液供給噴嘴配置在為了將所述基板以排列的狀態保持而設置的多個基板保持體之間。
7.根據權利要求6所述的基板液處理裝置,其特征在于,
將所述基板保持體的側面形成為與所述噴出口的所述第1側面和所述第2側面之間的中央部處的所述處理液的噴出方向平行而不交叉。
8.根據權利要求1所述的基板液處理裝置,其特征在于,
該基板液處理裝置還具有氣泡供給部,該氣泡供給部用于在所述處理槽的內部從所述基板的下方供給氣泡。
9.根據權利要求8所述的基板液處理裝置,其特征在于,
所述氣泡供給部將氣泡與處理液一起從所述處理液供給噴嘴噴出。
10.根據權利要求8或9所述的基板液處理裝置,其特征在于,
所述氣泡在從所述處理液供給噴嘴噴出的處理液的流動壓力的作用下成為液體狀。
11.根據權利要求8或9所述的基板液處理裝置,其特征在于,
所述氣泡是通過使處理液沸騰而生成的。
12.根據權利要求8或9所述的基板液處理裝置,其特征在于,
所述氣泡是通過控制處理液的流動壓力、處理液的溫度、處理液的濃度中的至少任一者而生成的。
13.根據權利要求12所述的基板液處理裝置,其特征在于,
在所述處理槽的外部設置大氣壓傳感器,根據從所述大氣壓傳感器獲得的信號,對生成所述氣泡的處理液的溫度、處理液的濃度進行校正。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





