[發明專利]具有量子點成像器的成像和解碼裝置有效
| 申請號: | 201610848146.0 | 申請日: | 2012-03-04 |
| 公開(公告)號: | CN107425019B | 公開(公告)日: | 2019-03-12 |
| 發明(設計)人: | B.喬瓦諾夫斯基;D.范沃爾金伯格;A.徹恩亞科夫 | 申請(專利權)人: | 手持產品公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 陳嵐 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 量子 成像 解碼 裝置 | ||
本發明涉及具有量子點成像器的成像和解碼裝置。公開了用于基于作為量子點的半導體納米晶體來用解碼成像器進行成像,以及解碼圖像中的可解碼特征的裝置、系統和方法。在說明性實施例中,裝置包括:成像子系統、數據存儲元件以及處理器。該成像子系統包括圖像傳感器陣列和操作用于將圖像聚焦到該圖像傳感器陣列上的成像光學器件組件。該圖像傳感器陣列包括多個像素,其中像素包括光敏部分和讀出部分,該光敏部分包括一個或多個納米晶體,該讀出部分能夠中繼入射光數據,該入射光數據表示入射在一個或多個納米晶體上的光。該數據存儲元件能夠存儲圖像數據幀,該圖像數據包括在成像操作期間通過至少一些像素的讀出部分傳送的數據。該處理器操作用于接收來自數據存儲元件的一個或多個圖像數據幀,以及執行解碼操作以用于對在至少一個圖像數據幀中表示的可解碼特征執行嘗試解碼。
本申請是國家申請號為201210126114.1,申請日為2012年3月4日,發明名稱為“具有量子點成像器的成像和解碼裝置”的發明專利申請的分案申請。
相關申請的交叉引用
本申請要求編號為13/040,737、2011年3月4日申請的、標題為“具有量子點成像器的成像和解碼裝置”的美國專利申請的優先權。上述申請通過引用整體結合于此。
技術領域
本發明一般涉及用于成像和解碼圖像中的可解碼特征的裝置。
背景技術
用于讀取和解碼可解碼標記的標記讀取終端和解碼成像器可以以各種種類可用。例如,沒有鍵盤和顯示器的最小特征化的標記讀取終端在銷售點應用中是常見的。沒有鍵盤和顯示器的標記讀取終端是可以以可識別的槍式形狀因子可用,該槍式形狀因子具有把手和可被食指致動的觸發按鈕(扳機)。具有鍵盤和顯示器的標記讀取終端也是可用的。配備了鍵盤和顯示器的標記讀取終端通常用于運送和倉庫應用,并且可以以結合了顯示器和鍵盤的形狀因子可用。在配備了鍵盤和顯示器的標記讀取終端中,用于致動解碼消息的輸出的觸發按鈕通常被提供在如能夠被操作者的拇指致動的這樣的位置中。以沒有鍵盤和顯示器形式的標記讀取終端或者以配備了鍵盤和顯示器形式的標記讀取終端通常被用于各種數據收集應用中,包括銷售應用點、運送應用、庫存應用、安全檢查點應用、以及病人護理應用。一些標記讀取終端適用于讀取條碼符號,包括一個或多個一維(1D)條碼、堆疊1D條碼、以及二維(2D)條碼。其他標記讀取終端適用于使用光學字符識別(OCR)來讀取標準字符,同時還有其他標記讀取終端被配備來讀取條碼符號和OCR字符兩者。具有成像子系統的數字裝置,例如智能電話、平板電腦、以及移動計算機的其他形式,也可被用于捕獲和對圖像幀執行嘗試解碼,該圖像幀具有一個或多個可解碼特征,例如以任意各種格式的字符、單詞、句子、一維(1D)條碼、堆疊1D條碼、以及二維(2D)條碼。
一些標記讀取終端和解碼成像器采用基于電荷耦合器件(CCD)的圖像傳感器。基于CCD的圖像傳感器包含電耦合光敏光電二極管陣列,其將入射光能量轉換為電荷包。在操作中,該電荷包為了后續處理而被轉移出該CCD成像器傳感器。
一些標記讀取終端和解碼成像器采用基于互補金屬氧化物半導體(CMOS)的圖像傳感器作為替代的成像技術。和CCD一樣,基于CMOS的圖像傳感器包含光敏光電二極管陣列,其將入射光能量轉換為電荷包。然而,不同于CCD,基于CMOS的圖像傳感器允許二維陣列中的每個像素被直接尋址。這樣的一個優點在于,可以獨立地訪問整個圖像數據幀的子區域,用于剪裁的或窗口化的圖像數據幀?;贑MOS的圖像傳感器的另一個優點在于,通常它們具有較低的每像素成本。這主要是由于實際上CMOS圖像傳感器在大容量晶片制造設施中用標準的CMOS工藝來制造,該大容量晶片制造設施生產諸如微處理器等的通用集成電路。除了較低的成本,該通用制造工藝意味著CMOS像素陣列可在單個電路上與其他標準電子裝置一起被集成,該標準電子裝置諸如是時鐘驅動器、數字邏輯電路、模擬/數字轉換器等等。這轉而具有了減少空間需要以及降低電力使用的進一步優點。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





