[發明專利]具有量子點成像器的成像和解碼裝置有效
| 申請號: | 201610848146.0 | 申請日: | 2012-03-04 |
| 公開(公告)號: | CN107425019B | 公開(公告)日: | 2019-03-12 |
| 發明(設計)人: | B.喬瓦諾夫斯基;D.范沃爾金伯格;A.徹恩亞科夫 | 申請(專利權)人: | 手持產品公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 陳嵐 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 量子 成像 解碼 裝置 | ||
1.一種成像裝置,包括:
成像子系統,包括圖像傳感器陣列和操作用于將圖像聚焦到該圖像傳感器陣列上的成像光學器件組件,該圖像傳感器陣列包括多個像素,其中代表性的像素包括光敏部分和讀出部分,該光敏部分包括一個或多個納米晶體,該讀出部分能夠中繼入射光數據,該入射光數據表示入射在該一個或多個納米晶體上的光;
數據存儲元件,能夠存儲圖像數據幀,該圖像數據幀包括在成像操作期間通過至少一些像素的讀出部分傳送的數據;
其中包括一個或多個納米晶體的該光敏部分被設置尺寸以既增進可見光范圍的波長收集的分布又增進代表性的像素的總體量子效率;以及
其中該代表性的像素進一步包括像素內數據存儲部分,該像素內數據存儲部分能夠存儲表示入射在該一個或多個納米晶體上的光的數據,以及將表示入射在該一個或多個納米晶體上的光的數據傳送到數據存儲元件。
2.權利要求1的成像裝置,其中,該代表性的像素中的一個或多個納米晶體主要由半導體材料組成,并且在該代表性的像素中的至少一些相鄰的納米晶體間具有導電連接。
3.權利要求1的成像裝置,其中,該一個或多個納米晶體具有對可見光敏感的帶隙。
4.權利要求1的裝置,其中,該讀出部分至少包括第一像素電極和第二像素電極,兩者將該光敏部分連接到數據讀出結構。
5.權利要求1的成像裝置,其中,該讀出部分包括至少第一像素電極,其將該光敏部分連接到數據讀出結構,以及該成像子系統進一步包括位于像素外的一個或多個陣列電極,該一個或多個陣列電極與該第一像素電極一起完成電路。
6.權利要求1的成像裝置,其中,代表性的像素包括多個像素子層,其中每個像素子層包括與其他一個或多個像素子層的平均納米晶體尺寸不同的平均納米晶體尺寸。
7.權利要求1的成像裝置,其中,代表性的像素包括在該像素的表面處的第一像素子層、在該第一像素子層之下的第二像素子層、以及在該第二像素子層之下的第三像素子層,其中,該第一像素子層具有第一平均納米晶體尺寸,該第二像素子層具有比該第一平均納米晶體尺寸大的第二平均納米晶體尺寸,以及該第三像素子層具有比該第二平均納米晶體尺寸大的第三平均納米晶體尺寸。
8.權利要求1的成像裝置,其中,該納米晶體膠狀懸浮在聚合物介質中。
9.權利要求1的成像裝置,其中,該納米晶體被印刻在該讀出部分上。
10.一種成像方法,包括:
使用包括圖像傳感器陣列和成像光學器件組件的成像子系統,將圖像聚焦到該圖像傳感器陣列上,該圖像傳感器陣列包括多個像素,其中代表性的像素包括光敏部分和讀出部分,該光敏部分包括多個納米晶體,該讀出部分能夠中繼入射光數據,該入射光數據表示入射在一個或多個納米晶體上的光,其中包括一個或多個納米晶體的該光敏部分被設置尺寸以既增進可見光范圍的波長收集的分布又增進代表性的像素的總體量子效率;
將在該多個像素中的每一個像素中表示入射在該一個或多個納米晶體上的光的入射光數據存儲在該多個像素中的每一個像素中包括的像素內數據存儲部分上;
將來自一個或多個像素的入射光數據傳送到該圖像傳感器陣列外部的數據存儲元件;
在數據存儲元件上存儲圖像數據幀,該圖像數據幀包括從該一個或多個像素傳送的入射光數據。
11.權利要求10的成像方法,其中,配置多個該像素的每一個像素以用于在成像操作期間同時發起記錄圖像數據以及同時結束記錄圖像數據。
12.權利要求10的成像方法,進一步包括電子同步快門控制電路,配置該電子同步控制電路以生成曝光控制定時脈沖,該曝光控制定時脈沖能夠在成像操作期間引起所述圖像傳感器陣列的所述像素的同步曝光。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





