[發(fā)明專利]形成具有改善的臺階覆蓋的SiC溝槽的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610847669.3 | 申請日： | 2016-09-23 |
| 公開（公告）號： | CN107039248A | 公開（公告）日： | 2017-08-11 |
| 發(fā)明（設計）人： | 鄭垠植;金禹澤;楊昌憲;樸兌洙;金起賢;尹勝腹;樸镕浦 | 申請（專利權）人： | 美普森半導體公司（股） |
| 主分類號： | H01L21/04 | 分類號： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金國,鐘強 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 形成 具有 改善 臺階 覆蓋 sic 溝槽 方法 | ||
1.一種形成具有改善的臺階覆蓋的SiC功率半導體的溝槽的方法，包括：
通過在高濃度半導體基板層之上形成的外延層之上注入第一雜質離子而形成第二濃度層；
在所述第二濃度層之上形成SiO2層；
在所述SiO2層之上形成PR掩模圖案，所述PR掩模圖案具有為溝槽的形成而設計的圖案；
利用所述PR掩模圖案通過蝕刻所述SiO2層形成SiO2掩模圖案；
移除蝕刻所述SiO2層之后殘留的所述PR掩模圖案；和
利用所述SiO2掩模圖案通過干法蝕刻包括所述第二濃度層的所述外延層而形成所述溝槽。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述第二濃度層具有比所述外延層更高濃度的雜質。
3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述第二濃度層的形成為所述溝槽的深度的約5％至20％。
4.根據(jù)權利要求2所述的方法，其中所述第二濃度層形成為所述溝槽的深度的約8％。
5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述外延層中的雜質的濃度為3.0×1015Cm-3，所述第二濃度層中的雜質的濃度為1×1020Cm-3。
6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述第二濃度層的厚度為0.2μm，并且所述溝槽的凹陷的深度為2.5μm。
7.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，在形成所述溝槽的步驟中，所述溝槽的垂直壁形成為朝向其上側變薄，并且所述垂直壁的上端之下的部分被開鑿為具有瓶頸形狀。
8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述第一雜質離子為氮離子。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
