[發(fā)明專利]基板結(jié)構(gòu)及其制法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610846610.2
• 申請日: 2016-09-23
• 公開（公告）號(hào): CN107871724B
• 公開（公告）日: 2021-08-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡文宏
• 申請（專利權(quán)）人: 恒勁科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/495
• 分類號(hào): H01L23/495;H01L21/60
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 周濱;章侃銥

一種基板結(jié)構(gòu)及其制法包括：介電層、形成于該介電層上且具有凸部的金屬層、以及形成于該介電層及該金屬層與該凸部上的保護(hù)層，以通過該凸部而增加該金屬層與該保護(hù)層之間的結(jié)合面積及卡固效果，避免該金屬層與該保護(hù)層之間發(fā)生分層。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開有關(guān)一種基板結(jié)構(gòu)，特別涉及一種具有金屬層的基板結(jié)構(gòu)及其制法。

背景技術(shù)

隨著電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展以及封裝技術(shù)的演進(jìn)，半導(dǎo)體封裝件的尺寸或體積也隨之不斷縮小，通過使該半導(dǎo)體封裝件達(dá)到輕薄短小的目的。目前應(yīng)用于電子產(chǎn)品中的半導(dǎo)體封裝件的基板，如手機(jī)晶片的載板、鏡頭模塊電路板或線圈板等，其表面需制作大銅面區(qū)域，以達(dá)到散熱或減低噪聲的技術(shù)效果，且需制作絕緣保護(hù)層，以隔絶線路而避免線路與其它元件接觸。

圖1A為現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體封裝件1的剖面示意圖。如圖1所示，該半導(dǎo)體封裝件1包括有封裝基板11及接置于該封裝基板11上的半導(dǎo)體晶片12，其中封裝基板11包含有介電層10、形成于該介電層10相對兩側(cè)上的線路層110,112、以及形成于該介電層10與該線路層110,112上并具有外露該線路層110,112的開孔130的絕緣保護(hù)層13，以供該半導(dǎo)體晶片12以其電極墊120通過多個(gè)焊錫凸塊14覆晶結(jié)合于該封裝基板11的上方線路層110上，之后形成多個(gè)焊球15于該封裝基板11的下方線路層112上。

然而，于該封裝基板11中，該線路層110,112與該絕緣保護(hù)層13的材質(zhì)不同，且該介電層10與該絕緣保護(hù)層13的材質(zhì)也不相同，故于該半導(dǎo)體封裝件1的制作過程中進(jìn)行溫度循環(huán)(temperature cycle)或應(yīng)力變化時(shí)，如通過回焊爐、或經(jīng)歷落摔等制程或測試時(shí)，該線路層110,112與該絕緣保護(hù)層13或該介電層10與該絕緣保護(hù)層13之間等異質(zhì)材料結(jié)合的區(qū)域易因熱膨脹系數(shù)(Coefficient of thermal expansion，簡稱CTE)不匹配(mismatch)、應(yīng)力集中或結(jié)合性不佳等情況而相互分離，即發(fā)生分層(delaminating)的問題，造成這些焊錫凸塊14與焊球15無法有效電性連接該半導(dǎo)體晶片12與封裝基板11、或產(chǎn)品無法通過可靠度測試，致使產(chǎn)品的良率不佳。

又，如圖1B所示，雖可將該線路層110的表面形成粗糙化結(jié)構(gòu)110a，其粗化程度的Ra值大約0.1至0.5微米，以增加該線路層110與該絕緣保護(hù)層13的結(jié)合性，但該線路層110與該絕緣保護(hù)層13之間的結(jié)合面仍呈現(xiàn)平直面，導(dǎo)致應(yīng)力的分布方向會(huì)沿該線路層110與該絕緣保護(hù)層13之間的結(jié)合面連續(xù)延伸(如圖1B所示的箭頭方向A，即相對該介電層10表面的水平方向)，因而仍容易產(chǎn)生分層。

另外，隨著半導(dǎo)體封裝件微型化(miniaturization)的封裝需求，該線路層110的尺寸也隨之縮減，致使不易進(jìn)行粗糙化制程。甚者，即便進(jìn)行粗糙化制程也無法有效阻止該線路層110,112與該絕緣保護(hù)層13或該介電層10與該絕緣保護(hù)層13之間發(fā)生分層問題。

因此，如何克服悉知技術(shù)的缺點(diǎn)，實(shí)為目前各界亟欲解決的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述悉知技術(shù)的缺失，本公開提供一種基板結(jié)構(gòu)及其制法，避免該金屬層與該保護(hù)層之間發(fā)生分層。

本公開的基板結(jié)構(gòu)，包括：介電層，其具有相對的第一側(cè)與第二側(cè)；第一金屬層，其形成于該介電層的第一側(cè)且具有多個(gè)一體成形的第一凸部；以及保護(hù)層，其形成于該介電層的第一側(cè)及該第一金屬層與該第一凸部上。

本公開還提供一種基板結(jié)構(gòu)的制法，其包括：提供一表面具有多個(gè)凹部的承載件；形成第一金屬層于該承載件上與該凹部中，以令該第一金屬層于該凹部中形成有一體成形的第一凸部；形成介電層于該承載件與該第一金屬層上；移除該承載件，以外露該第一金屬層與該第一凸部；以及形成保護(hù)層于該介電層及該第一金屬層與該第一凸部上。

前述的基板結(jié)構(gòu)及其制法中，該介電層于該凹部中形成有一體成形的第二凸部。另外，于移除該承載件之后，該保護(hù)層還形成于該第二凸部上。