[發明專利]氮氧化鋁陶瓷粉體及其制備方法有效
| 申請號: | 201610846350.9 | 申請日: | 2016-09-23 |
| 公開(公告)號: | CN107867863B | 公開(公告)日: | 2020-08-14 |
| 發明(設計)人: | 王思青;張術偉;王衍飛;張長瑞;李斌;楊煥;周六順;肖永紅 | 申請(專利權)人: | 中國人民解放軍國防科學技術大學 |
| 主分類號: | C04B35/58 | 分類號: | C04B35/58;C04B35/626;C04B35/624 |
| 代理公司: | 湖南兆弘專利事務所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 趙洪;張鮮 |
| 地址: | 410073 湖南省長沙市開福區德雅路1*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氧化鋁陶瓷 及其 制備 方法 | ||
1.一種氮氧化鋁陶瓷粉體的制備方法,包括以下步驟:
(1)制備鋁源和碳源:將有機醇鋁溶解于溶劑中,所述溶劑由無水乙醇和去離子水組成,持續攪拌形成有機醇鋁溶膠,將糖類化合物和尿素溶解于去離子水中,再加入乙二醇,得到碳源混合溶液;所述有機醇鋁為仲丁醇鋁,所述糖類化合物為葡萄糖,所述葡萄糖和所述仲丁醇鋁的摩爾比為1∶8~10;
(2)制備AlON陶瓷先驅體:將步驟(1)所得的有機醇鋁溶膠和碳源混合溶液混合并攪拌,使有機醇鋁發生水解反應生成氫氧化鋁,得濕凝膠;干燥所述濕凝膠,得到AlON陶瓷先驅體;
(3)分段熱處理:將步驟(2)所得的AlON陶瓷先驅體進行分段熱處理,具體為:先在氮氣氣氛下進行第一次升溫,至1350~1550℃,保溫1h~2h,所述第一次升溫的升溫速率為8℃/min~14℃/min;再在氬氣氣氛下進行第二次升溫,至1750℃~1850℃,保溫2h~3h,得氮氧化鋁陶瓷粉體。
2.根據權利要求1所述的氮氧化鋁陶瓷粉體的制備方法,其特征在于,所述步驟(1)中,所述尿素與所述仲丁醇鋁的摩爾比為1∶10~14。
3.根據權利要求2所述的氮氧化鋁陶瓷粉體的制備方法,其特征在于,所述步驟(1)中,所述碳源混合溶液中的去離子水與所述仲丁醇鋁的摩爾比為2~4∶1~3。
4.根據權利要求3所述的氮氧化鋁陶瓷粉體的制備方法,其特征在于,所述步驟(1)中,乙二醇與所述碳源混合溶液中去離子水的體積比為1∶2。
5.根據權利要求4所述的氮氧化鋁陶瓷粉體的制備方法,其特征在于,所述步驟(1)中,仲丁醇鋁的濃度為1.2 mol/L~1.5mol/L。
6.根據權利要求1~5任一項所述的氮氧化鋁陶瓷粉體的制備方法,其特征在于,所述步驟(2)中,所述水解反應的溫度為60℃~70℃;所述干燥的具體過程為:先將濕凝膠在80℃~120℃下烘干,再在70℃下真空干燥。
7.根據權利要求1~5任一項所述的氮氧化鋁陶瓷粉體的制備方法,其特征在于,所述步驟(3)中,所述第二次升溫的升溫速率為6℃/min~10℃/min。
8.根據權利要求1~5任一項所述的氮氧化鋁陶瓷粉體的制備方法,其特征在于,還包括將步驟(3)所得氮氧化鋁陶瓷粉體進行除碳,所述除碳工藝為:在含氧氣氛下升溫至700℃~800℃,保溫2h。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國人民解放軍國防科學技術大學,未經中國人民解放軍國防科學技術大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610846350.9/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





