[發明專利]形成柵極的方法和FINFET

在審

• 申請號: 201610845869.5
• 申請日: 2016-09-23
• 公開（公告）號: CN107039258A
• 公開（公告）日: 2017-08-11
• 發明（設計）人: 蕭宇廷;吳政達;譚倫光;嚴亮宇;王廷君;吳宗翰;游偉明
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,李偉

1.一種形成柵極的方法，包括：

形成偽柵極；

橫向鄰近所述偽柵極形成層間電介質(ILD)；

將摻雜劑摻雜到所述偽柵極和所述層間電介質中，其中，所述偽柵極的表面摻雜劑濃度低于所述層間電介質的表面摻雜劑濃度；

在將所述摻雜劑摻雜到所述偽柵極和所述層間電介質中之后，去除所述偽柵極以形成腔體；以及

在所述腔體中形成所述柵極。

2.根據權利要求1所述的形成柵極的方法，其中，層間電介質的鄰近所述偽柵極的表面摻雜劑濃度低于層間電介質的遠離所述偽柵極的表面摻雜劑濃度。

3.根據權利要求1所述的形成柵極的方法，還包括：在橫向鄰近所述偽柵極形成所述層間電介質之后并且在將所述摻雜劑摻雜到所述偽柵極和所述層間電介質中之前，執行第一退火工藝。

4.根據權利要求3所述的形成柵極的方法，其中，執行所述第一退火工藝包括：對所述層間電介質執行所述第一退火工藝以加寬所述偽柵極的上部寬度。

5.根據權利要求3所述的形成柵極的方法，還包括：在將所述摻雜劑摻雜到所述偽柵極和所述層間電介質中之后并且在去除所述偽柵極之前，執行第二退火工藝。

6.根據權利要求1所述的形成柵極的方法，還包括：在橫向鄰近所述偽柵極形成所述層間電介質之前，橫向鄰近所述偽柵極形成接觸蝕刻停止層(CESL)。

7.根據權利要求6所述的形成柵極的方法，還包括：在橫向鄰近所述偽柵極形成所述接觸蝕刻停止層之前，橫向鄰近所述偽柵極形成間隔件。

8.根據權利要求1所述的形成柵極的方法，其中，所述腔體的上部寬度不小于所述腔體的下部寬度。

9.一種鰭式場效應晶體管，包括：

鰭結構；

柵極，橫跨在所述鰭結構上方；

源極-漏極區域，位于所述鰭結構中；以及

層間電介質，橫向鄰近所述柵極并且包括摻雜劑，其中，所述層間電介質的鄰近所述柵極的摻雜劑濃度低于所述層間電介質的遠離所述柵極的摻雜劑濃度。

10.一種鰭式場效應晶體管，包括：

鰭結構；

柵極，橫跨在所述鰭結構上方；

源極-漏極區域，位于所述鰭結構中；

層間電介質，橫向鄰近所述柵極并且包括摻雜劑；以及

間隔件，橫向介于所述柵極與所述層間電介質之間，其中，由所述間隔件限定的間隔不具有頸部。