[發明專利]一種新型金剛線多晶硅片表面噴砂粗糙方法

有效

• 申請號: 201610844815.7
• 申請日: 2016-09-23
• 公開（公告）號: CN106392895B
• 公開（公告）日: 2019-06-18
• 發明（設計）人: 陸繼波;王海慶;路景剛;王祿寶
• 申請（專利權）人: 江蘇美科硅能源有限公司
• 主分類號: B24C1/10
• 分類號: B24C1/10;B24C3/08;B24C9/00;B28D5/04
• 代理公司: 上海海頌知識產權代理事務所(普通合伙) 31258
• 代理人: 陳麗君

本發明涉及一種新型金剛線多晶硅片表面噴砂粗糙方法，其方法如下：(1)通過金剛線切片機將多晶硅錠切割成多晶硅片；（2）預清，清除多晶硅片表面殘留物，隨后烘干；（3）將多晶硅片至于噴砂流水線，進行噴砂粗糙處理，將碳化硅均勻噴涂于多晶硅片表面，使多晶硅片表面形成厚度為2um~6um的單面粗糙面；（4）化學清洗清除多晶硅片表面金屬離子殘留；（5）由自動分選機篩選；本發明利于提高金剛線多晶硅片光電轉換效率，降低電池制造端的投入成本。

技術領域

本發明涉及一種新型金剛線多晶硅片表面噴砂粗糙方法，屬于屬于太陽能光伏發電材料領域。

背景技術

多晶硅由于其晶體各向異性的屬性，金剛線多晶切片表面形成的損傷層低，在電池制造時，表面腐蝕后，無法形成均勻性的絨面導色差硅片，反光率高達20~24%，而導致-光電效率低。

傳統的多晶制絨工藝通過硝酸和氫氟酸的混酸進行金剛線多晶制絨，但仍存在以下問題：

1、金剛線表面粗糙度低，無法形成均勻的絨面，導致反光，影響效率；

2、金剛線多晶硅片制絨添加劑使用，引入了新的金屬離子，導致效率波動，同時絨面效果不均勻；

3“等離子蝕刻黑硅技術”的運用，電池端解決了制絨問題，但設備造價昂貴，投入太高，同時需要報廢現有有電池生產線，重新添置設備。

發明內容

本發明的目的是針對現有技術的缺陷，提供一種新型金剛線多晶硅片表面噴砂粗糙方法，利于提高金剛線多晶硅片光電轉換效率，降低電池制造端的投入成本。

本發明是通過如下的技術方案予以實現的：

一種新型金剛線多晶硅片表面噴砂粗糙方法，其方法如下：

(1) 將多晶硅錠通過金剛線切片機，切割成多晶硅片；

（2）將多晶硅片預清洗，清除多晶硅片表面殘留物，隨后將多晶硅片烘干；

（3）將烘干后的多晶硅片置于噴砂流水線，進行噴砂粗糙處理，將碳化硅均勻噴涂于多晶硅片表面，使多晶硅片表面形成厚度為2um~6um的單面粗糙面；

（4）對噴砂粗糙處理后的多晶硅片進行化學清洗，清除多晶硅片表面金屬離子殘留，隨后將多晶硅片烘干；

（5）將經步驟（4）的多晶硅片置于自動分選機上進行自動檢測硅片表面質量，將表面無穿孔、邊緣和表面無破損的多晶硅篩選出進行儲存。

上述一種新型金剛線多晶硅片表面噴砂粗糙方法，其中，烘干溫度為100~120℃，烘干時間為30~40min。

上述一種新型金剛線多晶硅片表面噴砂粗糙方法，其中，所述噴砂流水線包括轉盤工作臺、噴砂機構和精密過濾器，所述轉盤工作臺上設有若干漏孔，所述轉盤工作臺底部設有碳化硅回收室，所述碳化硅回收室與精密過濾器之間設有導料管，所述碳化硅回收室頂部設有負壓吸附裝置，所述噴砂機構包括若干噴砂管和輸料管，所述輸料管分別與若干噴砂管和精密過濾器相連，所述輸料管上設有氣砂混合器，若干噴砂管上均設有若干導管，所述導管上設有噴頭和偏心輪機構，所述噴頭與轉盤工作臺垂直，且距離多晶硅片表面20mm，所述噴砂機構外設有護罩，所述護罩與碳化硅回收室位置對應設置。

上述一種新型金剛線多晶硅片表面噴砂粗糙方法，其中，所述漏孔直徑為3mm。

上述一種新型金剛線多晶硅片表面噴砂粗糙方法，其中，所述負壓吸附裝置包括真空吸盤、吸氣管和吸風機，所述吸氣管一端穿過轉盤工作臺與真空吸盤相連，另一端與吸風機相連。