[發明專利]一種新型金剛線多晶硅片表面噴砂粗糙方法

有效

• 申請號: 201610844815.7
• 申請日: 2016-09-23
• 公開（公告）號: CN106392895B
• 公開（公告）日: 2019-06-18
• 發明（設計）人: 陸繼波;王海慶;路景剛;王祿寶
• 申請（專利權）人: 江蘇美科硅能源有限公司
• 主分類號: B24C1/10
• 分類號: B24C1/10;B24C3/08;B24C9/00;B28D5/04
• 代理公司: 上海海頌知識產權代理事務所(普通合伙) 31258
• 代理人: 陳麗君

1.一種新型金剛線多晶硅片表面噴砂粗糙方法，其特征為，其方法如下：

(1) 將多晶硅錠通過金剛線切片機，切割成多晶硅片；

（2）將多晶硅片預清洗，清除多晶硅片表面殘留物，隨后將多晶硅片烘干；

（3）將烘干后的多晶硅片置于噴砂流水線，進行噴砂粗糙處理，將碳化硅均勻噴涂于多晶硅片表面，使多晶硅片表面形成厚度為2um~6um的單面粗糙面；

所述噴砂流水線包括轉盤工作臺、噴砂機構和精密過濾器，所述轉盤工作臺上設有若干漏孔，所述轉盤工作臺底部設有碳化硅回收室，所述碳化硅回收室與精密過濾器之間設有導料管，所述碳化硅回收室頂部設有負壓吸附裝置，所述噴砂機構包括若干噴砂管和輸料管，所述輸料管分別與若干噴砂管和精密過濾器相連，所述輸料管上設有氣砂混合器，若干噴砂管上均設有若干導管，所述導管上設有噴頭和偏心輪機構，所述噴頭與轉盤工作臺垂直，且距離多晶硅片表面20mm，所述噴砂機構外設有護罩，所述護罩與碳化硅回收室位置對應設置；

（4）對噴砂粗糙處理后的多晶硅片進行化學清洗，清除多晶硅片表面金屬離子殘留，隨后將多晶硅片烘干；

（5）將經步驟（4）的多晶硅片置于自動分選機上進行自動檢測硅片表面質量，將表面無穿孔、邊緣和表面無破損的多晶硅篩選出進行儲存。

2.如權利要求1所述的一種新型金剛線多晶硅片表面噴砂粗糙方法，其特征為，烘干溫度為100~120℃，烘干時間為30~40min。

3.如權利要求1所述的一種新型金剛線多晶硅片表面噴砂粗糙方法，其特征為，所述漏孔直徑為3mm。

4.如權利要求1所述的一種新型金剛線多晶硅片表面噴砂粗糙方法，其特征為，所述負壓吸附裝置包括真空吸盤、吸氣管和吸風機，所述吸氣管一端穿過轉盤工作臺與真空吸盤相連，另一端與吸風機相連。

5.如權利要求1所述的一種新型金剛線多晶硅片表面噴砂粗糙方法，其特征為，所述偏心輪機構包括偏心輪、連桿和往復軌道，所述偏心輪上設有轉軸，所述轉軸連接電動機，電動機帶動轉軸使偏心輪以150r/min速度旋轉，所述往復軌道兩端與護罩相連，所述往復軌道上設有支架，所述支架與導管相連，所述連桿分別與偏心輪和支架相連。

6.如權利要求1所述的一種新型金剛線多晶硅片表面噴砂粗糙方法，其特征為，所述碳化硅粒徑為6.7 um ~10.2um，碳化硅顆粒整體離散系數<23%。