[發明專利]半導體封裝及其制造方法

有效

• 申請號: 201610843821.0
• 申請日: 2016-09-23
• 公開（公告）號: CN107564866B
• 公開（公告）日: 2022-12-20
• 發明（設計）人: 鄭禮輝;林俊成;蔡柏豪
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/544
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

提供一種半導體封裝及半導體封裝的制造方法。所述半導體封裝包括：重布線層、位在重布線層上的至少一管芯、位在重布線層上且于管芯旁側的貫穿層間通孔以及包覆設置于重布線層上的管芯及貫穿層間通孔的模塑料體。所述半導體封裝具有連接至貫穿層間通孔的連接結構，以及覆蓋模塑料體與管芯的保護膜。其保護膜系由印刷工藝所形成。

技術領域

本發明實施例是有關于一種半導體封裝及其制造方法。

背景技術

晶片級封裝技術需要不斷進展，以滿足系統級封裝(system-in-package)或甚至系統單芯片(system-on-chip)的技術需求，諸如：尺寸縮減、高效能內連件與異質集成(heterogeneous integration)等。

發明內容

本發明實施例提供一種半導體封裝，所述半導體封裝具有重布線層、至少一管芯、模塑料體、貫穿層間通孔、保護膜、連接結構與導電組件。至少一管芯設置在重布線層上。模塑料體設置在重布線層上，且包覆所述至少一管芯。貫穿過模塑料體的貫穿層間通孔設置在重布線層上且電性連接至重布線層和所述至少一管芯。保護膜設置在模塑料體與所述至少一管芯上。位在所述至少一管芯上的保護膜包括具有實質上平坦底部的溝槽的溝槽圖案。連接結構設置在貫穿層間通孔上。導電組件電性連接至重布線層。

基于上述，依照本發明實施例的制造方法不需額外的激光標記工藝來形成背側標記，因此可以避免激光標記工藝造成的膜層損傷或脫層，導致封裝可有更高的產量和良率。

為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。

附圖說明

圖1A至1J為依照本發明實施例的部分實施例的各種階段的半導體封裝制造方法的剖面示意圖。

圖2A-2B為依照本發明實施例的部分實施例的半導體封裝的剖面示意圖。

圖3A至3D為依照本發明實施例的部分實施例的各種階段的半導體封裝制造方法的剖面示意圖。

圖4-7為依照本發明實施例的部分實施例的多種半導體封裝的剖面示意圖。

附圖標記說明：

10、30：半導體封裝

20：第二半導體封裝

22：背側

102：載具

104：脫黏層

106：介電材料層

106a、106b：介電圖案

108：種層

108a：種層圖案

110：掩膜圖案

120：貫穿層間通孔

130：第一管芯

132：接點

160：模塑料體

170、210：重布線層

172：底金屬層

180：導電組件

190：保護膜

190a：頂表面

192：溝槽圖案

193：溝槽

194：平坦底部

196：通孔圖案

200、220：連接結構