[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610843821.0 | 申請日： | 2016-09-23 |
| 公開（公告）號： | CN107564866B | 公開（公告）日： | 2022-12-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鄭禮輝;林俊成;蔡柏豪 | 申請（專利權(quán)）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L23/544 |
| 代理公司： | 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32243 | 代理人： | 顧伯興 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 封裝 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體封裝，其特征在于，包括：
重布線層；
至少一管芯，設(shè)置在所述重布線層上；
模塑料體，設(shè)置在所述重布線層上且包覆所述至少一管芯；
貫穿層間通孔，設(shè)置在所述重布線層上且貫穿過所述模塑料體，其中，所述貫穿層間通孔電性連接至所述重布線層和所述至少一管芯；
保護(hù)膜，設(shè)置在所述模塑料體與所述至少一管芯上，其中，位在所述至少一管芯上的所述保護(hù)膜包括具有實(shí)質(zhì)上平坦底部的溝槽的溝槽圖案，位在所述至少一管芯上的部份所述保護(hù)膜從所述實(shí)質(zhì)上平坦底部暴露出來，其中位在所述至少一管芯上的所述溝槽圖案不作為至所述重布線層的導(dǎo)通路徑；
連接結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述貫穿層間通孔上；以及
導(dǎo)電組件，電性連接至所述重布線層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，還包括：介電材料層，所述介電材料層設(shè)置在所述模塑料體與所述至少一管芯上，且設(shè)置在所述模塑料體、所述至少一管芯與所述保護(hù)膜之間，其中所述介電材料層暴露出所述貫穿層間通孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，其中位在所述模塑料體上的所述介電材料層包括第一開口，位于所述第一開口內(nèi)的所述連接結(jié)構(gòu)直接接觸所述貫穿層間通孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，其中位在所述模塑料體上的所述介電材料層上的所述保護(hù)膜包括第二開口，而所述第二開口的尺寸大于所述第一開口的尺寸。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，其中位在所述模塑料體上的所述介電材料層上的所述保護(hù)膜包括第二開口，而所述第二開口的尺寸小于所述第一開口的尺寸。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，其中所述保護(hù)膜覆蓋所述介電材料層的所述第一開口的側(cè)壁，所述連接結(jié)構(gòu)直接連觸所述保護(hù)膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，其中所述保護(hù)膜覆蓋部分的所述連接結(jié)構(gòu)。
8.一種半導(dǎo)體封裝，其特征在于，包括：
重布線層；
至少一管芯，設(shè)置在所述重布線層上；
貫穿層間通孔，設(shè)置在所述重布線層上且位在所述至少一管芯旁側(cè)，其中，所述貫穿層間通孔與所述重布線層和所述至少一管芯電性連接；
模塑料體，設(shè)置在所述重布線層上，且包覆所述至少一管芯與所述貫穿層間通孔；
介電材料層，設(shè)置在所述模塑料體與所述至少一管芯上，其中所述介電材料層包括設(shè)置在所述至少一管芯上的第一介電圖案；
保護(hù)膜，設(shè)置在所述模塑料體和所述至少一管芯之上與所述介電材料層上，其中位在所述第一介電圖案上且位在所述至少一管芯上方的所述保護(hù)膜具有包括實(shí)質(zhì)上平坦底部的溝槽的溝槽圖案，位在所述至少一管芯上方的部份所述保護(hù)膜從所述實(shí)質(zhì)上平坦底部暴露出來，其中位在所述至少一管芯上的所述溝槽圖案不作為至所述重布線層的導(dǎo)通路徑；
第一連接結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述貫穿層間通孔上；以及
導(dǎo)電組件，電性連接至所述重布線層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，其中所述介電材料層包括設(shè)置在所述模塑料體上的第二介電圖案，所述第二介電圖案具有開口暴露出所述貫穿層間通孔，而位于所述開口內(nèi)的所述第一連接結(jié)構(gòu)直接連接至所述貫穿層間通孔。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，其中所述第二介電圖案與位在所述第二介電圖案上的所述保護(hù)膜構(gòu)成階梯結(jié)構(gòu)。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，其中位在所述第二介電圖案上的所述保護(hù)膜覆蓋所述第二介電圖案的所述開口的側(cè)壁。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，其中位在所述第二介電圖案上的所述保護(hù)膜部份覆蓋所述第一連接結(jié)構(gòu)。
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