[發明專利]參數提取的方法及其系統

在審

• 申請號: 201610843746.8
• 申請日: 2016-09-23
• 公開（公告）號: CN107016143A
• 公開（公告）日: 2017-08-04
• 發明（設計）人: 林威仰;劉凱明
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,李偉

1.一種半導體設計方法，由至少一個處理器實施，包括：

生成包括晶體管的芯片的布局數據；

基于所述布局數據中的晶體管的位置信息確定用于所述晶體管的熱相關參數；

生成包括所述熱相關參數的網表數據；

基于所述網表數據實施布局后模擬；以及

驗證所述布局后模擬是否滿足設計規格。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，實施所述布局后模擬的步驟包括：基于所述晶體管的即時功率等級和熱相關參數實施所述布局后模擬。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，確定所述熱相關參數的步驟包括：基于所述晶體管的功率等級、所述晶體管的位置或所述晶體管是否共用共同的氧化物擴散(OD)區域來確定所述熱相關參數。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述布局數據包括所述晶體管共用的氧化物擴散(OD)區域，并且所述熱相關參數包括基于所述氧化物擴散區域的分組識別符和對應于各個晶體管的系列數字。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述熱相關參數包括坐標。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述坐標是相對于所述布局數據中的參考坐標的全局類型的坐標。

7.根據權利要求5所述的方法，其中，所述布局數據還包括氧化物擴散(OD)區域，所述方法還包括用于所述晶體管的基于所述布局數據的分組識別符。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述坐標是相對于所述氧化物擴散(OD)區域的本地化類型的坐標。

9.一種半導體設計方法，由至少一個處理器實施，包括：

生成包括晶體管的芯片的布局數據；

將具有與所述晶體管中的一個對應的標志區域的標志層結合至所述布局數據中；

基于所述布局數據，確定對于所述晶體管中的每一個的熱相關器件數量；

生成包括所述熱相關參數的網表數據；

基于所述網表數據實施布局后模擬；以及

驗證所述布局后模擬是否滿足設計規格。

10.一種半導體設計系統，包括一個或多個處理器和包括指令的一個或多個程序，當由所述一個或多個處理器執行所述指令時，使得所述系統：

生成包括晶體管的芯片的布局數據；

基于所述布局數據，確定用于所述晶體管的熱相關參數；

生成包括所述熱相關參數的網表數據；

基于所述網表數據實施布局后模擬；以及

驗證所述布局后模擬是否滿足設計規格。