[發明專利]半導體存儲器件及其操作方法

有效

• 申請號: 201610843664.3
• 申請日: 2016-09-22
• 公開（公告）號: CN107240412B
• 公開（公告）日: 2021-01-26
• 發明（設計）人: 樸鐘慶;徐智賢
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C7/10
• 分類號: G11C7/10
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;劉久亮

提供了半導體存儲器件及其操作方法。半導體存儲器件包括：存儲單元陣列，所述存儲單元陣列包括多個頁；外圍電路，所述外圍電路適合于通過向所述存儲單元陣列施加編程電壓、通過電壓和管晶體管操作電壓來執行編程操作；以及控制邏輯，所述控制邏輯適合于控制所述外圍電路執行所述編程操作，其中，所述控制邏輯根據所述多個頁當中的所選頁的地址來調節所述管晶體管操作電壓的電位電平。

技術領域

本公開的一個方面涉及電子器件，更具體地，涉及半導體存儲器件及其操作方法。

背景技術

半導體器件，特別是半導體存儲器件，通常分成易失性存儲器件和非易失性存儲器件。

非易失性存儲器件以相對低的速度進行讀/寫操作，但是即使在切斷電源后也能保持所存儲的數據。因此，非易失性存儲器件用來存儲不管電源如何都要被保持的數據。非易失性存儲器件的示例為只讀存儲器(ROM)、掩模ROM(MROM)、可編程ROM(PROM)、可擦除可編程ROM(EPROM)、電可擦除可編程ROM(EEPROM)、閃存、相變隨機訪問存儲器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻式RAM(RRAM)、鐵電RAM(FRAM)等。閃存分成NOR型閃存和NAND型閃存。

閃存具有自由編程和擦除數據的RAM的優點以及即使切斷電源也保持所存儲的數據的ROM的優點。閃存廣泛用作諸如數字相機、個人數字助理(PDA)和MP3播放器的便攜式電子設備的存儲介質。

閃存可以分成具有水平地形成在半導體基板上的串(string)的二維半導體器件和具有豎直地形成在半導體基板上的串的三維半導體器件。

三維半導體器件是為了克服二維半導體器件中的集成度極限而設計的存儲器件，并且包括豎直地形成在半導體基板上的多個串。存儲串包括串聯地聯接在位線和源線(source line)之間的漏極選擇晶體管、存儲單元和源極選擇晶體管。

發明內容

實施方式提供了一種半導體存儲器件及其操作方法，該半導體存儲器件及其操作方法能夠防止在該半導體存儲器件的編程操作過程中的編程干擾。

根據本公開的一個方面，提供了一種半導體存儲器件，該半導體存儲器件包括：存儲單元陣列，所述存儲單元陣列包括多個頁；外圍電路，所述外圍電路適合于通過向所述存儲單元陣列施加編程電壓、通過電壓(pass voltage)和管晶體管(pipe transistor)操作電壓執行編程操作；以及控制邏輯，所述控制邏輯適合于控制所述外圍電路執行所述編程操作，其中，所述控制邏輯根據所述多個頁當中的所選頁的地址來調節所述管晶體管操作電壓的電位電平。

根據本公開的一個方面，提供了一種半導體存儲器件，該半導體存儲器件包括：多個串，所述多個串包括串聯聯接在位線和源線之間的多個存儲單元；外圍電路，所述外圍電路適合于通過向所述多個串施加編程電壓、通過電壓和管晶體管操作電壓來執行編程操作；以及控制邏輯，所述控制邏輯適合于控制所述外圍電路執行所述編程操作，其中，所述控制邏輯根據所述多個存儲單元當中的所選存儲單元的編程順序來調節所述管晶體管操作電壓的電位電平。

根據本公開的一個方面，提供了一種操作半導體存儲器件的方法，該半導體存儲器件包括多個串，所述多個串包括串聯聯接在位線和源線之間的多個漏極側存儲單元、管晶體管和多個源極側存儲單元，該方法包括以下步驟：根據所述多個漏極側存儲單元和所述多個源極側存儲單元當中被施加編程電壓的所選存儲單元的位置設置管晶體管操作電壓的電位電平；向所述管晶體管施加所設置的管晶體管操作電壓；以及通過向所選存儲單元施加所述編程電壓并向其它存儲單元施加通過電壓而對所選存儲單元執行編程操作。

附圖說明

現在，將參照附圖在下文中更充分地描述示例性實施方式。然而，這些示例性實施方式可以以不同的形式實施，并且不應被解釋為限于這里闡述的實施方式。相反，提供這些實施方式是為了使本公開全面完整，并將示例實施方式的范圍充分地傳達給本領域技術人員。