[發明專利]制造在鋼鐵制造過程中增加熱量和控制成分的坯塊的方法

在審

• 申請號: 201610843256.8
• 申請日: 2016-09-22
• 公開（公告）號: CN106967857A
• 公開（公告）日: 2017-07-21
• 發明（設計）人: 張煐哲;金炯秀
• 申請（專利權）人: 克林瑟路遜公司
• 主分類號: C21B3/02
• 分類號: C21B3/02;C21C7/06
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙)11363
• 代理人: 王建國,許偉群

技術領域

本發明涉及一種制造用在鋼鐵制造過程中的增加熱量和控制成分的坯塊的方法。更具體地，本發明涉及一種制造用在鋼鐵制造過程中的增加熱量和控制成分的坯塊的方法，其基于在低壓和低溫大氣下進行的真空蒸發或在大氣壓力下進行的大氣蒸發，將包括在廢漿中的油去除到預定水平，由此可以在使硅的氧化最小的同時將包括在廢漿中的油去除到適當的水平，防止在制造過程中爆發火災，并且容易以塊的形式模制坯塊，并且本發明涉及一種制造作為坯塊原料的用于生產鋼鐵的增加熱量和控制成分的壓塊的方法。

背景技術

通常，具有高熱值的硅(Si)被用作增熱劑，以在鋼鐵制造過程中增加高爐中的溫度。這種鋼鐵制造過程本身就需要大量的硅。但是，因為用作增熱劑的硅的價格很高，所以存在的問題是整體鋼鐵制造成本增加。

另外，在鋼鐵制造過程中，執行在大約1500℃溫度下在鐵水中包括碳的雜質氧化成氧化物，并且去除作為爐渣的這些氧化物的過程。在鋼鐵制造過程中吹預定時間的氧氣之后，熔液流出。在此過程中，為了成分控制和脫氧的目的，加入錳鐵、硅鐵等。為了生產加入的硅鐵需要大量的硅，這主要依賴進口，導致價格提高。由于這個原因，存在的問題是整體鋼鐵制造成本增加。

同時，硅被用作半導體行業的主要材料。包含大量硅的廢漿作為半導體生產過程的副產品被排放。

具體地說，通過使用線鋸將硅錠切成厚度薄的切片過程，整平切的硅晶片表面的表面拋光過程等獲得硅晶片。在此過程中，大量包括硅鋸屑、磨料、冷卻油和磨損的線鋸成分的副產品以廢漿的形式被排放。在此，碳化硅(SiC)通常用作磨料，并且諸如PEG和DEG的水溶性油用作冷卻油。磨損的線鋸成分可以取決于線鋸的構成材料，并且通常包括諸如鐵(Fe)的金屬成分。

當這種廢漿被燃燒或掩埋在地下時，發生嚴重的空氣和土壤污染。因此，使廢漿凝固成水泥和儲存或掩埋水泥的方法已經被應用。

根據現有技術，存在的問題是廢棄了能夠在鋼鐵制造過程中用作諸如增熱劑而回收的昂貴的硅。

因此，需要一個計劃，用于能夠使以此方式廢棄的含硅廢漿在鋼鐵制造過程中被有效凈化和回收。

同時，含硅廢漿由具有不同直徑的顆粒團組成。當細粉成分的含量很高時，在鋼鐵制造過程中回收含硅廢漿的過程中可能發生以下問題。

首先，在回收含硅廢漿的干燥過程中，存在由于硅鋸屑成分和氧氣的反應引起火災的可能性。

其次，因為硅的整個表面面積增加并且與氧氣接觸的面積增加，所以硅的氧化物的量增加。

第三，以塊的形狀模制的坯塊的強度降低，并且模制的坯塊容易破碎。

[專利文獻]

1.韓國未審查專利申請公開No.10-2006-0028191(2006年3月29日公開，名稱為APPARATUS AND METHOD FOR RECYCLING THE DISPOSED SLUDGE PRODUCED IN THE MANUFACTURING PROCESS OF THE SILICON WAFER)

2.韓國未審查專利申請公開No.10-2006-0059539(2006年6月2日公開，名稱為APPARATUS FOR RECYCLING THE DISPOSED SLUDGE PRODUCED IN THE MANUFACTURING PROCESS OF THE SILICON WAFER)

3.韓國授權專利No.10-0776966(2007年11月9日授權，名稱為APPARATUS FOR RECYCLING THE DISPOSED SLUDGE PRODUCED IN THE MANUFACTURING PROCESS OF THE SILICON WAFER)

發明內容

本發明涉及，提供一種通過凈化制造半導體或太陽能電池晶片時產生的含硅廢漿，制造用在鋼鐵制造過程中的增加熱量和控制成分的坯塊的方法，并且本發明涉及一種制造作為坯塊原料的用于生產鋼鐵的增加熱量和控制成分的壓塊的方法。

另外，本發明涉及，提供一種制造用在鋼鐵制造過程中的增加熱量和控制成分的坯塊的方法，其基于在低壓和低溫大氣下進行的真空蒸發或在大氣壓力下進行的大氣蒸發，將包括在廢漿中的油去除到預定水平，由此可以在使硅的氧化最小的同時將包括在廢漿中的油去除到適當的水平，并且提供一種制造作為坯塊原料的用于生產鋼鐵的增加熱量和控制成分的壓塊的方法。