[發明專利]真空蒸鍍法制備還原氧化石墨烯薄膜

在審

• 申請號: 201610835913.4
• 申請日: 2016-09-20
• 公開（公告）號: CN106629696A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: 耿宏章;王潔;達世勛;賈松霖;許春霞;石培培
• 申請（專利權）人: 天津工業大學
• 主分類號: C01B32/198
• 分類號: C01B32/198
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種新穎的還原氧化石墨烯薄膜的制備工藝，其特征在于采用氧化石墨烯溶液通過棒涂法制備氧化石墨烯薄膜，通過真空蒸鍍鋁膜的方法還原得到還原氧化石墨烯薄膜，并且大面積、低成本、高效、環保。制備步驟如下：以石墨作原料通過改進的Hummers法制備氧化石墨烯溶液，通過棒涂法制備氧化石墨烯薄膜，通過真空蒸鍍鋁，在氧化石墨烯薄膜表面蒸鍍不同厚度的鋁膜，在鹽酸溶液中進行還原，再用稀鹽酸和去離子水沖洗后烘干得到還原氧化石墨烯薄膜。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于得到的氧化石墨烯片徑尺寸集中在10-20μm范圍內。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于氧化石墨烯溶液的濃度為1-10mg/ml，棒涂法所用邁耶棒的直徑為0.2-0.8cm。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于真空蒸鍍的速度為

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于真空蒸鍍的鋁膜厚度為1-50nm。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于所用鹽酸的濃度為1-12M。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于還原反應時間需要2-20分鐘。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于得到的還原氧化石墨烯薄膜的面電阻范圍為0.1-25kΩ/sq，透光率范圍為60-95％。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于還原之后面粗糙度下降且膜表面沒有破壞。