[發(fā)明專利]靶面雜光光照度測量裝置及測量方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610834633.1
• 申請日: 2016-09-20
• 公開（公告）號: CN107843335B
• 公開（公告）日: 2019-09-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭幫輝
• 申請（專利權(quán)）人: 海信集團(tuán)有限公司
• 主分類號: G01J1/00
• 分類號: G01J1/00;G01J1/04
• 代理公司: 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438
• 代理人: 邢雪紅;喬彬

本發(fā)明提供了一種靶面雜光光照度測量裝置及測量方法。靶面雜光光照度測量裝置包括漫反射板、投影鏡頭、測量儀及控制器。漫反射板包括框型的基板及漫反射層，基板用于覆蓋光閥靶面的非作用區(qū)，漫反射層設(shè)于基板上。漫反射層的反射特性滿足余弦輻射體的要求，投射在漫反射板的雜光經(jīng)漫反射層漫反射成反射光束。反射光束經(jīng)投影鏡頭投影形成成像區(qū)。測量儀用于測量非作用區(qū)的雜光投影到成像區(qū)上的光照度。控制器根據(jù)成像區(qū)的面積及光照度，計(jì)算得到靶面雜光光照度。通過上述靶面雜光光照度測量裝置及測量方法能夠?qū)崿F(xiàn)對DMD等光閥進(jìn)行靶面雜光光照度的測量。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及激光投影領(lǐng)域，特別是一種投影系統(tǒng)中的靶面雜光光照度測量裝置及測量方法。

背景技術(shù)

投影顯示技術(shù)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于家庭、商務(wù)、教育、工程等多個(gè)領(lǐng)域，根據(jù)所使用的光調(diào)制器件不同，投影顯示技術(shù)可以分為三種技術(shù)架構(gòu)：數(shù)字光處理DLP(Digital LightProcessing)、液晶顯示器LCD(Liquid Crystal Display)和硅基液晶LCOS(LiquidCrystal on Silicon)。其中，DLP技術(shù)是投影顯示領(lǐng)域中使用最廣泛的一種技術(shù)方案，因?yàn)镈LP技術(shù)架構(gòu)比LCD和LCOS的架構(gòu)更容易實(shí)現(xiàn)，成本更低。DLP技術(shù)架構(gòu)中，采用美國TI公司的數(shù)字微反射鏡DMD(Liquid Crystal on Silicon)芯片作為光調(diào)制器件。

DMD的尺寸較小，長和寬在幾個(gè)毫米左右，DMD上有成千上萬的微小反射鏡片，通過這些小反射鏡將照射到DMD表面的光線反射進(jìn)入鏡頭中，進(jìn)而進(jìn)行成像。如圖1所示。入射到DMD表面的光斑尺寸需要與DMD本身的尺寸相適應(yīng)，以便最大可能的利用光斑能量。

DMD表面稱為靶面，靶面包括位于靶面中部的作用區(qū)域及位于作用區(qū)域之外四周的非作用區(qū)域。作用區(qū)域用于反射用于成像的光線。由于光學(xué)結(jié)構(gòu)加工累積公差的原因，通常不能保證DMD所需的光斑與實(shí)際達(dá)到DMD表面的光斑大小完全重合，并為了使得DMD接收到光能量均勻的光斑，一般到達(dá)DMD表面的實(shí)際照射光斑通常是大于DMD的作用區(qū)域，以保證DMD的作用區(qū)域能夠完全接受光斑照射。

DMD非作用區(qū)域反射不用于成像的光線。由于光斑通常邊緣的勻化能量密度小，照射于非作用區(qū)域，為DMD的靶面雜光。這塊區(qū)域的外邊沿為DMD的封裝區(qū)域，封裝區(qū)域通常使用一些有機(jī)膠體粘接DMD殼體。在投影光機(jī)裝調(diào)過程中，DMD非作用區(qū)域的光線可能會移動(dòng)到封裝區(qū)域。如果照射在非作用區(qū)域的靶面雜光達(dá)到一定強(qiáng)度時(shí)，隨著照射時(shí)間的增加，會使得固定DMD殼體用的有機(jī)膠體發(fā)生析出，降低DMD本身的可靠性。因此，需要測量DMD靶面雜光的光照度，評估其是否達(dá)到損壞閾值。

在DLP投影系統(tǒng)中，由于DMD靶面雜光的光照度較高，傳感器的量程很快達(dá)到飽和度，無法直接測量其光照度。而且，測量DMD靶面雜光的光照度，需要在DMD工作過程中進(jìn)行測量，由于DMD靶面的空間很微小，難以測量。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種能夠?qū)MD等光閥進(jìn)行靶面雜光光照度測量的靶面雜光光照度測量裝置及測量方法。

一種靶面雜光光照度測量裝置，包括：

漫反射板，包括框型的基板及漫反射層，所述基板用于覆蓋光閥靶面的非作用區(qū)，所述漫反射層設(shè)于所述基板上，所述漫反射層的反射特性滿足余弦輻射體的要求，照射在所述漫反射板的雜光經(jīng)所述漫反射層漫反射成反射光束；

投影鏡頭，設(shè)于所述漫反射板背向所述光閥的一側(cè)，所述投影鏡頭的視場能夠覆蓋所述光閥的靶面，所述反射光束經(jīng)所述投影鏡頭投影形成成像區(qū)；

測量儀，設(shè)于所述投影鏡頭背向所述漫反射板的一側(cè)，且用于測量所述非作用區(qū)的雜光投影到成像區(qū)上的光照度；

控制器，根據(jù)所述成像區(qū)的面積及光照度，根據(jù)：