[發(fā)明專利]靶面雜光光照度測量裝置及測量方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610834633.1 | 申請日： | 2016-09-20 |
| 公開（公告）號： | CN107843335B | 公開（公告）日： | 2019-09-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 郭幫輝 | 申請（專利權(quán)）人： | 海信集團(tuán)有限公司 |
| 主分類號： | G01J1/00 | 分類號： | G01J1/00;G01J1/04 |
| 代理公司： | 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438 | 代理人： | 邢雪紅;喬彬 |
| 地址： | 266071 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 雜光 靶面 光照度測量 漫反射層 光照度 測量 漫反射板 成像區(qū) 基板 反射光束 控制器 測量儀 非作用 光閥 投影鏡頭投影 余弦輻射體 反射特性 投影鏡頭 漫反射 框型 投射 投影 覆蓋 | ||
1.一種靶面雜光光照度測量裝置，其特征在于，包括：
漫反射板，包括框型的基板及漫反射層，所述基板用于覆蓋光閥靶面的非作用區(qū)，所述漫反射層設(shè)于所述基板上，所述漫反射層的反射特性滿足余弦輻射體的要求，照射在所述漫反射板的雜光經(jīng)所述漫反射層漫反射成反射光束；
投影鏡頭，設(shè)于所述漫反射板背向所述光閥的一側(cè)，所述投影鏡頭的視場能夠覆蓋所述光閥的靶面，所述反射光束經(jīng)所述投影鏡頭投影形成成像區(qū)；
測量儀，設(shè)于所述投影鏡頭背向所述漫反射板的一側(cè)，且用于測量所述非作用區(qū)的雜光投影到成像區(qū)上的光照度；
控制器，根據(jù)所述成像區(qū)的面積及光照度，根據(jù)：
計(jì)算得到靶面雜光光照度，其中，EA2是光閥的靶面雜光光照度；SA2是漫反射層的面積；EB2是成像區(qū)的光照度；SB2是成像區(qū)的面積；ρ是漫反射層的反射率；τ是投影鏡頭的透過率；U是投影鏡頭的物方半孔徑角。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靶面雜光光照度測量裝置，其特征在于，所述基板為方框形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靶面雜光光照度測量裝置，其特征在于，所述漫反射層為四氯化碳層或硫酸鋇層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靶面雜光光照度測量裝置，其特征在于，所述投影鏡頭為凸透鏡或透鏡組。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靶面雜光光照度測量裝置，其特征在于，所述測量儀為照度計(jì)或光強(qiáng)測量儀。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靶面雜光光照度測量裝置，其特征在于，還包括屏幕，所述屏幕設(shè)于所述成像區(qū)上，所述屏幕用于投影所述漫反射板的成像。
7.一種靶面雜光光照度測量方法，包括以下步驟：
漫反射板包括框型的基板及漫反射層，所述基板用于覆蓋光閥靶面的非作用區(qū)，所述漫反射層設(shè)于所述基板上，所述漫反射層的反射特性滿足余弦輻射體的要求，雜光投射于漫反射板上的漫反射層上，經(jīng)所述漫反射層反射形成反射光束，測量所述漫反射層的面積；
所述反射光束經(jīng)投影鏡頭投影形成成像區(qū)，測量所述成像區(qū)的面積；
測量儀放置于所述成像區(qū)，測量所述成像區(qū)的光照度；
控制器獲取所述漫反射層的面積、所述成像區(qū)的面積、所述成像區(qū)的光照度，并根據(jù)：
計(jì)算得到靶面雜光光照度，其中，EA2是光閥的靶面雜光光照度；SA2是漫反射層的面積；EB2是成像區(qū)的光照度；SB2是成像區(qū)的面積；ρ是漫反射層的反射率；τ是投影鏡頭的透過率；U是投影鏡頭的物方半孔徑角。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的靶面雜光光照度測量方法，其特征在于，所述測量儀為照度計(jì)，所述測量儀直接測量所述成像區(qū)的光照度。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的靶面雜光光照度測量方法，其特征在于，所述測量儀為光強(qiáng)測量儀，所述測量儀通過測量所述成像區(qū)的光強(qiáng)度，并將光強(qiáng)度轉(zhuǎn)化為光照度，得到所述成像區(qū)的光照度。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的靶面雜光光照度測量方法，其特征在于，所述成像區(qū)位于屏幕上，所述測量儀放置于所述屏幕上，測量所述屏幕上的成像區(qū)的光照度。
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