[發明專利]電鍍的電部件、其制造方法及電系統

有效

• 申請號: 201610826808.4
• 申請日: 2016-06-30
• 公開（公告）號: CN106848059B
• 公開（公告）日: 2019-08-20
• 發明（設計）人: C·R·邦霍特;J·利勒
• 申請（專利權）人: HGST荷蘭公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

本公開總體上涉及一種用于存儲器件的電部件的結構、系統以及制造方法。例如，在蝕刻停止層上沉積導電材料和絕緣材料層的交替的層，以構造垂直堆疊體，穿過蝕刻溝槽穿過垂直堆疊體，以暴露蝕刻停止層，基于所需的電性能，使用電鍍材料電鍍導電層，以及形成導電層中的每一個的電鍍材料之間的連接。

技術領域

本公開的實施例總體上涉及一種電子器件，并且更具體地，涉及一種電鍍相變開關或雙向閾值開關(OTS)的3D陣列。

背景技術

相變存儲器(PCM)是一種非易失性存儲技術。PCM是新興技術，存儲級存儲器(SCM)應用的候選，和驅逐固態存儲應用中NOR及NAND閃存的強勁競爭者，以及在NAND閃存的情況下，是固態驅動器(SSD)。PCM運行是基于通過加熱存儲器單元(典型地基于例如Ge2Sb2Te5的硫化物)，使存儲器單元在兩個穩定狀態(晶態與非晶態)之間切換，。為了加熱存儲器單元，電流流經PCM單元。

PCM單元的陣列布置為陣列，PCM單元中的每一個可以與例如雙向閾值開關(OTS)的選擇開關耦合。字線(WL)和位線(BL)布置為使得存儲器單元中的每一個能夠被編程或查詢。一行PCM單元由單個的字線WL觸發，并且那一行中的PCM單元中的每一個將根據所述PCM單元的狀態(即根據PCM單元處于其高(非晶態)或低(晶態)電阻狀態)影響它電連接到的位線BL。

發明內容

本公開的某些實施例總體上涉及一種用于制造電鍍的電部件的方法，包含：在基板之上沉積蝕刻停止層；在所述蝕刻停止層上沉積導電材料及絕緣材料的交替的層，以構造垂直堆疊體；穿過堆疊體蝕刻溝槽穿過垂直堆疊體，以暴露所述蝕刻停止層；形成電網絡，以電連接到所述導電層的一部分；基于電部件的所需的電性能，使用電鍍材料在所述溝槽中的所述導電層上電鍍；在所述溝槽內的電鍍材料上形成電連接，以允許穿過電連接穿過所述溝槽到所述電鍍材料；以及移除所述電網絡到所述導電層的連接。

本公開的某些實施例總體上涉及一種用于垂直的電鍍電部件的結構，包含：設置在基板上的蝕刻停止層；堆疊體包含蝕刻停止層之上導電材料及絕緣材料的交替的層的垂直堆疊體，其中：垂直堆疊體具有至少一個穿過其形成的溝槽，基于電部件的所需的電性能，使用電鍍材料電鍍導電層，以在所述溝槽的側壁上形成，所述電鍍材料的形狀為半球形，所述電鍍材料的厚度小于所述溝槽的寬度，所述電鍍材料的厚度小于所述溝槽中相鄰絕緣層的厚度；以及在所述溝槽的側壁上形成的頂部接觸金屬層，其中所述電鍍材料在所述導電層與所述頂部接觸層之間，并且其中所述頂部接觸層連接到所述溝槽中其它相鄰的電鍍結構。

本公開的某些實施例總體上涉及一種電系統，包含；包含至少一個垂直陣列的存儲器件，垂直陣列中的每一個包含多個存儲器單元；電存取所述存儲器件中的多個存儲器單元的選擇器器件；垂直地連接所述存儲器單元的垂直陣列的第一金屬材料；以及連接到與所述存儲器單元的垂直陣列正交的平面中的導電材料的第二金屬材料，并且其中所述存儲器單元的垂直陣列包含：基板之上的蝕刻停止層；垂直堆疊體，所述垂直堆疊體包含所述蝕刻停止層之上的平面內絕緣體材料和所述平面內導體材料的交替的層，其中：平面內導體及絕緣體層與基板的表面平行，所述垂直堆疊體包含至少一個穿過其形成的溝槽，以及使用電鍍材料電鍍所述導體層，其中所述電鍍材料基于電部件的所需的電性能，以在所述溝槽的側壁上形成。

附圖說明

為使本公開上面敘述的特征可以被更詳細地理解，上面簡要概括的本公開可以參考實施例進行更具體的描述，其中實施例中的一些在附圖中圖示。然而，應注意附圖僅示出了本公開的典型實施例，因此不應認為局限其范疇，因為本公開可以認可其它同樣有效的實施例。

圖1為實例性處理系統的框圖。

圖2A圖示根據本公開的某些實施例，具有導電材料及絕緣材料的交替的層的實例性垂直堆疊體。

圖2B圖示根據本公開的某些實施例，具有導電材料及絕緣材料的交替的層的兩個實例性垂直堆疊體。