[發明專利]電鍍的電部件、其制造方法及電系統

有效

• 申請號: 201610826808.4
• 申請日: 2016-06-30
• 公開（公告）號: CN106848059B
• 公開（公告）日: 2019-08-20
• 發明（設計）人: C·R·邦霍特;J·利勒
• 申請（專利權）人: HGST荷蘭公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

1.一種電鍍的電部件的制造方法，包含：

在基板之上沉積蝕刻停止層；

在該蝕刻停止層之上沉積導體材料及絕緣體材料的交替的層，以構造垂直堆疊體；

蝕刻溝槽穿過所述垂直堆疊體，以暴露所述蝕刻停止層；和

用相變材料在所述溝槽內電鍍所述導體材料的層以形成多個塞，每個塞布置在溝槽內導體材料的相應一個層的邊緣上并延伸超出絕緣體材料的相鄰層的邊緣進入溝槽中。

2.如權利要求1所述的方法，還包含蝕刻所述導體材料的層，使得在電鍍之前，所述導體材料的層從所述溝槽的側壁凹陷。

3.如權利要求1所述的方法，還包括使用相變材料的一個或多個塞來形成相變存儲器(PCM)單元和雙向閾值開關(OTS)中的至少一個。

4.如權利要求1所述的方法，其中蝕刻所述溝槽穿過所述垂直堆疊體包含：

在所述垂直堆疊體之上沉積硬掩模層；

移除所述硬掩模層的一部分，以暴露所述垂直堆疊體的頂部表面的一部分；以及

蝕刻所述垂直堆疊體的所述暴露的部分，以構造所述溝槽。

5.如權利要求1所述的方法，其中所述蝕刻停止層包含鉻。

6.如權利要求1所述的方法，其中所述導體材料包含摻雜硅、鉬(Mo)或鎢(W)或其合金。

7.如權利要求1所述的方法，其中利用通過水浴的所述導體材料的層與外部電源之間的電連接來電鍍相變材料的塞。

8.一種垂直的電部件的結構，包含：

在基板之上設置的抗蝕劑底層；和

垂直堆疊體，包括：

所述抗蝕劑底層之上的導體材料及絕緣體材料的交替的層，

穿過多個所述導體材料的層形成的溝槽，

塞，包括布置在所述溝槽內導體材料的相應層的邊緣上的相變材料，其中所述塞的形狀是半球形，并且所述塞的垂直厚度小于所述溝槽內的絕緣體材料的相鄰層的垂直厚度，以及

在該溝槽的側壁上形成的頂部接觸金屬層，其中所述塞布置在所述導體材料的所述相應層的所述邊緣與所述頂部接觸層之間。

9.如權利要求8所述的結構，其中所述導體材料的層從所述溝槽的所述側壁凹陷。

10.如權利要求8所述的結構，其中所述相變材料的電性能包含相變存儲器(PCM)或雙向閾值開關(OTS)中的至少一個。

11.如權利要求8所述的結構，其中所述導體材料包含摻雜硅、鉬(Mo)或鎢(W)。

12.如權利要求8所述的結構，所述溝槽具有圓錐形。

13.一種系統，包含：

存儲器件，所述存儲器件包含至少一個垂直陣列，垂直陣列中的每一個包含多個存儲器單元；

第一金屬材料，所述第一金屬材料垂直地連接存儲器單元的垂直陣列；以及

第二金屬材料，所述第二金屬材料連接到與所述存儲器單元的垂直陣列正交的平面內的導體材料，其中所述存儲器單元的所述垂直陣列包含：

基板之上的抗蝕劑層；

垂直堆疊體，所述垂直堆疊體包含：

所述抗蝕劑層之上的平面內的絕緣體材料的絕緣體層和所述平面內的導體材料的導體層的交替的層，其中所述導體和絕緣體層與所述基板的表面平行，

通過交替的絕緣體層和導體層形成的溝槽，以及

多個相變材料塞，其中每個塞從相應導體層的邊緣延伸到所述溝槽中并與多個塞中的其它塞隔開。

14.如權利要求13所述的系統，其中所述導體層的厚度小于所述絕緣體層的厚度。

15.如權利要求14所述的系統，其中所述導體層中的每一個的水平長度短于所述絕緣層中每一個的水平長度。