[發明專利]電子組件的系統級封裝有效
| 申請號: | 201610826441.6 | 申請日: | 2016-09-18 |
| 公開(公告)號: | CN107342270B | 公開(公告)日: | 2020-03-31 |
| 發明(設計)人: | 胡迪群 | 申請(專利權)人: | 胡迪群 |
| 主分類號: | H01L23/48 | 分類號: | H01L23/48;H01L23/488;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司: | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人: | 隆翔鷹 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子 組件 系統 封裝 | ||
1.一種電子組件的系統級封裝,其特征是,包括至少一個芯片、封裝膠體、第一重新分配電路和第二重新分配電路,
芯片具有復數個輸入/輸出焊墊;
封裝膠體包裹于芯片外部;
第一重新分配電路依據第一設計準則制作,設置于封裝膠體的底側;第一重新分配電路具有第一上層倒T型金屬以及第一下層倒T型金屬;經由第一上層倒T型金屬電性耦合至芯片的輸入/輸出焊墊;第一重新分配電路向下扇出,使得第一下層倒T型金屬具有一個密度低于第一上層倒T型金屬;
第二重新分配電路依據第二設計準則制作,設置于第一重新分配電路的底側;第二重新分配電路具有第二上層倒T型金屬與第二下層倒T型金屬;第二重新分配電路向下扇出,使得第二下層倒T型金屬具有一個密度低于第二上層倒T型金屬;
第二重新分配電路經由第二上層倒T型金屬電性耦合至第一重新分配電路的第一下層倒T型金屬的底側;
第二重新分配電路的任一導線的厚度與寬度,大于第一重新分配電路的任一導線的厚度與寬度。
2.如權利要求1所述之電子組件的系統級封裝,其特征是,所述之倒T型金屬由剖面圖觀察為一次成型,上端縱向金屬與下端橫向金屬之間沒有分隔線。
3.如權利要求1所述之電子組件的系統級封裝,其特征是,所述之封裝膠體的頂表面與芯片的頂表面為共平面。
4.如權利要求1所述之電子組件的系統級封裝,其特征是,進一步包含第一介電層、第二介電層和復數個第一組金手指,第一介電層埋設所述之第一重新分配電路,構成第一電路重新分配層;第二介電層埋設所述之第二重新分配電路,構成第二電路重新分配層;復數個第一組金手指設置于第二介電層的底部。
5.如權利要求4所述之電子組件的系統級封裝,其特征是,進一步包含延伸單元和第二組復數個金手指,延伸單元系第二電路重新分配層延伸超出封裝膠體的一個對應的側邊所構成;第二組復數個金手指設置于所述之延伸單元的頂側。
6.如權利要求5所述之電子組件的系統級封裝,其特征是,進一步包含軟性電路板單元和第三組復數個金手指,第三組復數個金手指設置于所述之軟性電路板單元;第三組復數個金手指對應于所述之復數個第一組金手指,且適于電性耦合至復數個第一組金指。
7.如權利要求5所述之電子組件的系統級封裝,其特征是,進一步包含復數個底部金屬墊,所述之復數個底部金屬墊設置于第二重新分配電路的底側。
8.如權利要求7所述之電子組件的系統級封裝,其特征是,進一步包含復數個開口,所述之復數個開口設置于所述之第二介電層的底側,每個開口分別裸露第二重新分配電路的一個對應的底部金屬墊的底表面。
9.如權利要求8所述之電子組件的系統級封裝,其特征是,進一步包含至少一個被動組件,所述之被動組件電性耦合至底部金屬墊。
10.如權利要求1所述之電子組件的系統級封裝,其特征是,所述之倒T型金屬由上端縱向金屬與下端水平金屬所構成,且于剖面圖中,上端縱向金屬呈上窄下寬的形狀。
11.如權利要求4所述之電子組件的系統級封裝,其特征是,進一步包含延伸單元和復數個金屬接點,延伸單元由第一電路重新分配層的一邊延伸出來,延伸超出封裝膠體的一個對應的側邊;復數個金屬接點設置于延伸單元的端點處,提供外部電子組件電性耦合之用。
12.如權利要求11所述之電子組件的系統級封裝,其特征是,所述之外部電子組件為控制按鍵、揚聲器、照相機、麥克風或電源。
13.如權利要求4所述之電子組件的系統級封裝,其特征是,進一步包含延伸單元和復數個金屬接點,延伸單元由第二電路重新分配層的一邊延伸出來,延伸超出封裝膠體的一個對應的側邊;復數個金屬接點設置于延伸單元的端點處,提供外部電子組件電性耦合之用。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于胡迪群,未經胡迪群許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610826441.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:扇出型封裝結構及其制造方法
- 下一篇:焊球、其制造方法以及半導體元件





