[發明專利]晶片的加工方法

有效

• 申請號: 201610825396.2
• 申請日: 2016-09-14
• 公開（公告）號: CN107053499B
• 公開（公告）日: 2020-01-31
• 發明（設計）人: 田中圭
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: B28D5/00
• 分類號: B28D5/00;B23K26/08;B23K26/70;H01L21/78
• 代理公司: 11127 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 李輝;于靖帥

提供晶片的加工方法。將垂直形成的第1分割預定線和第2分割預定線中的至少第2分割預定線以非連續的方式形成的晶片分割成一個個的器件芯片，該晶片的加工方法包含如下的步驟：第1方向改質層形成步驟，沿著第1分割預定線在晶片的內部形成第1方向改質層；以及第2方向改質層形成步驟，沿著第2分割預定線在晶片的內部形成第2方向改質層。第2方向改質層形成步驟包含T字路加工步驟，在與形成有第1方向改質層的第1分割預定線呈T字路相交的第2分割預定線的內部形成第2方向改質層。在T字路加工步驟中，多層的第2方向改質層的端部從下層到上層朝向先形成的第1方向改質層形成為逆階梯狀。

技術領域

本發明涉及硅晶片、藍寶石晶片等晶片的加工方法。

背景技術

硅晶片、藍寶石晶片等晶片中，IC、LSI、LED等多個器件由分割預定線劃分而形成在正面上，通過加工裝置將晶片分割成一個個的器件芯片，分割得到的器件芯片廣泛應用于移動電話、個人計算機等各種電子設備。

關于晶片的分割，廣泛采用使用了被稱為劃片器的切削裝置的劃片方法。在劃片方法中，使切削刀具以30000rpm左右的高速旋轉并且切入晶片從而切削晶片，將晶片分割成一個個的器件芯片，該切削刀具利用金屬或樹脂將類金剛石等磨粒固化而制成厚度為30μm左右。

另一方面，近年來，開發出使用激光束而將晶片分割成一個個的器件芯片的方法，并將其實用化。作為使用激光束而將晶片分割成一個個的器件芯片的方法，公知有以下說明的第1和第2加工方法。

第1加工方法是如下的方法：將對于晶片具有透過性的波長(例如1342nm)的激光束的聚光點定位在與分割預定線對應的晶片的內部，而沿著分割預定線照射激光束從而在晶片內部形成改質層，然后通過分割裝置對晶片施加外力而以改質層為分割起點將晶片分割成一個個的器件芯片(例如，參照日本特許第3408805號)。

第2加工方法是如下的方法：將對于晶片具有吸收性的波長(例如355nm)的激光束照射到與分割預定線對應的區域而通過燒蝕加工形成加工槽，然后施加外力而以加工槽為分割起點將晶片分割成一個個的器件芯片(例如，參照日本特開平10-305420號)。

在上述第1加工方法中，不會產生加工屑，與以往通常使用的由切削刀具進行的劃片相比較，存在切割線的極小化及無水加工等優點，廣泛地使用。

并且，在基于激光束的照射的劃片方法中存在如下的優點：能夠對替代成投影晶片這樣的、分割預定線(間隔道)非連續的結構的晶片進行加工(例如，參照日本特開2010-123723號)。在對分割預定線非連續的晶片的加工中，根據分割預定線的設定來接通/切斷激光束的輸出而進行加工。

專利文獻1：日本特許第3408805號公報

專利文獻2：日本特開平10-305420號公報

專利文獻3：日本特開2010-123723號公報

但是，在第2方向上伸長的分割預定線與第1方向上連續地伸長的分割預定線呈T字路而相遇的交點附近，存在如下的問題。

(1)當在與第1分割預定線呈T字路相交的第2分割預定線的內部形成第2改質層時，其中，在與器件的一邊平行的該第1分割預定線的內部先形成有第1改質層，隨著激光束的聚光點接近T字路的交點而用于加工第2分割預定線的激光束的一部分照射到已經形成的第1改質層，會產生激光束的反射或者散射，光泄露至器件區域，存在因該泄漏光對器件造成損傷而使器件的品質降低這樣的問題。

(2)相反，當在與器件的一邊平行的第1分割預定線中形成改質層之前，沿著與第1分割預定線呈T字路相遇的第2分割預定線在晶片的內部先形成改質層時，在T字路的交點處不存在將由形成于T字路的交點附近的改質層產生的裂痕的行進阻斷的改質層，導致裂痕從T字路的交點伸長1～2mm左右而到達器件，存在使器件的品質降低這樣的問題。

發明內容