[發(fā)明專利]晶片的加工方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610825396.2 | 申請日： | 2016-09-14 |
| 公開（公告）號： | CN107053499B | 公開（公告）日： | 2020-01-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 田中圭 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社迪思科 |
| 主分類號： | B28D5/00 | 分類號： | B28D5/00;B23K26/08;B23K26/70;H01L21/78 |
| 代理公司： | 11127 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 李輝;于靖帥 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶片 加工 方法 | ||
1.一種晶片的加工方法，將晶片分割成一個個的器件芯片，該晶片在由形成于第1方向上的多條第1分割預(yù)定線和形成于與該第1方向交叉的第2方向上的多條第2分割預(yù)定線劃分出的各區(qū)域中形成有器件，并且該第1分割預(yù)定線和該第2分割預(yù)定線中的至少該第2分割預(yù)定線以非連續(xù)的方式形成，該晶片的加工方法具有如下的步驟：
第1方向改質(zhì)層形成步驟，沿著該第1分割預(yù)定線，將對于晶片具有透過性的波長的激光束從晶片的背面?zhèn)染酃庠诰膬?nèi)部而進行照射，在晶片的內(nèi)部形成沿著該第1分割預(yù)定線的多層的第1方向改質(zhì)層；
第2方向改質(zhì)層形成步驟，在實施了該第1方向改質(zhì)層形成步驟之后，沿著該第2分割預(yù)定線，將對于晶片具有透過性的波長的激光束從晶片的背面?zhèn)染酃庠诰膬?nèi)部而進行照射，在晶片的內(nèi)部形成沿著該第2分割預(yù)定線的多層的第2方向改質(zhì)層；以及
分割步驟，在實施了該第1方向改質(zhì)層形成步驟和該第2方向改質(zhì)層形成步驟之后，對晶片施加外力，以該第1方向改質(zhì)層和該第2方向改質(zhì)層為斷裂起點將晶片沿著該第1分割預(yù)定線和該第2分割預(yù)定線斷裂從而分割成一個個的器件芯片，
其特征在于，
該第2方向改質(zhì)層形成步驟包含如下的T字路加工步驟：在與形成有該第1方向改質(zhì)層的該第1分割預(yù)定線呈T字路相交的該第2分割預(yù)定線的內(nèi)部形成第2方向改質(zhì)層，
在該T字路加工步驟中，當(dāng)將聚光成圓錐形狀的激光束的聚光點從晶片的背面定位在正面附近時，以該圓錐形狀的激光束的一部分不超過先形成的該第1方向改質(zhì)層的方式形成第1改質(zhì)層，當(dāng)與該第1改質(zhì)層重疊地形成第2改質(zhì)層時，也以聚光成該圓錐形狀的激光束的一部分不超過先形成的該第1方向改質(zhì)層的方式形成第2改質(zhì)層，以相同的方式依次形成的第2方向改質(zhì)層的端部從下層到上層朝向先形成的第1方向改質(zhì)層形成為逆階梯狀。
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