[發明專利]一種基于IBIS的集成電路總劑量效應建模方法

在審

• 申請號: 201610824474.7
• 申請日: 2016-09-14
• 公開（公告）號: CN106649920A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: 王泉;劉太彬;劉錦輝;李靜月;劉剛
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙)11350
• 代理人: 湯東鳳

1.一種基于IBIS的集成電路總劑量效應建模方法，其特征在于，所述基于IBIS的集成電路總劑量效應建模方法是對原始電子器件分別采用不同的目標累積劑量進行輻照，得到不同輻照劑量下器件的受損情況；對經過輻照后的器件進行數據測量，根據測量數據對經過輻照后的原始電子器件分別進行模型提取，構建全部目標累計劑量下電子器件的IBIS模型數據庫；在給定輻照總劑量D的情況下，根據D對構建好的器件模型數據庫進行插值操作，獲得該輻照劑量下的VI和VT插值數據，并根據插值數據構建IBIS模型，即該輻照劑量下器件的IBIS總劑量效應模型。

2.如權利要求1所述的基于IBIS的集成電路總劑量效應建模方法，其特征在于，由原始電子器件的IBIS模型和經過不同目標累積劑量輻照后的電子器件的IBIS模型共同構成與總劑量輻射相關的器件IBIS模型數據庫。

3.如權利要求1所述的基于IBIS的集成電路總劑量效應建模方法，其特征在于，對經過一定目標劑量輻照后的電子器件進行VI和VT IBIS數據的測量，構建該目標劑量輻照條件下的電子器件的IBIS模型數據文件。

4.如權利要求1所述的基于IBIS的器件總劑量效應建模方法，其特征在于，對VT IBIS模型數據進行插值的操作，具體包括：

對每一個輻照劑量下的IBIS數據文件中的VT數據進行統一化操作；即對VT數據而言，合并所有IBIS文件中的時間T，并且除去其中重復的時間節點，最終得出一個統一的時間T的分布；

為VT數據提取不同輻照劑量下同一時間節點T對應的電壓數據；

給定輻照劑量D，根據同一時間節點T下不同劑量的電壓數據V進行插值操作，獲得D下該時間T對應的電壓V，用相同的插值方法為D下剩余的其他時間節點進行插值操作，獲得輻照劑量D下的器件的IBIS數據模型。

5.一種利用權利要求1～4任意一項所述基于IBIS的集成電路總劑量效應建模方法構建的在輻照條件下進行PCB信號完整性仿真分析所需的集成電路總劑量效應模型。