[發(fā)明專利]一種基于IBIS的集成電路總劑量效應(yīng)建模方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610824474.7
• 申請日: 2016-09-14
• 公開（公告）號: CN106649920A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王泉;劉太彬;劉錦輝;李靜月;劉剛
• 申請（專利權(quán)）人: 西安電子科技大學(xué)
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 北京科億知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11350
• 代理人: 湯東鳳

1.一種基于IBIS的集成電路總劑量效應(yīng)建模方法，其特征在于，所述基于IBIS的集成電路總劑量效應(yīng)建模方法是對原始電子器件分別采用不同的目標(biāo)累積劑量進(jìn)行輻照，得到不同輻照劑量下器件的受損情況；對經(jīng)過輻照后的器件進(jìn)行數(shù)據(jù)測量，根據(jù)測量數(shù)據(jù)對經(jīng)過輻照后的原始電子器件分別進(jìn)行模型提取，構(gòu)建全部目標(biāo)累計劑量下電子器件的IBIS模型數(shù)據(jù)庫；在給定輻照總劑量D的情況下，根據(jù)D對構(gòu)建好的器件模型數(shù)據(jù)庫進(jìn)行插值操作，獲得該輻照劑量下的VI和VT插值數(shù)據(jù)，并根據(jù)插值數(shù)據(jù)構(gòu)建IBIS模型，即該輻照劑量下器件的IBIS總劑量效應(yīng)模型。

2.如權(quán)利要求1所述的基于IBIS的集成電路總劑量效應(yīng)建模方法，其特征在于，由原始電子器件的IBIS模型和經(jīng)過不同目標(biāo)累積劑量輻照后的電子器件的IBIS模型共同構(gòu)成與總劑量輻射相關(guān)的器件IBIS模型數(shù)據(jù)庫。

3.如權(quán)利要求1所述的基于IBIS的集成電路總劑量效應(yīng)建模方法，其特征在于，對經(jīng)過一定目標(biāo)劑量輻照后的電子器件進(jìn)行VI和VT IBIS數(shù)據(jù)的測量，構(gòu)建該目標(biāo)劑量輻照條件下的電子器件的IBIS模型數(shù)據(jù)文件。

4.如權(quán)利要求1所述的基于IBIS的器件總劑量效應(yīng)建模方法，其特征在于，對VT IBIS模型數(shù)據(jù)進(jìn)行插值的操作，具體包括：

對每一個輻照劑量下的IBIS數(shù)據(jù)文件中的VT數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)一化操作；即對VT數(shù)據(jù)而言，合并所有IBIS文件中的時間T，并且除去其中重復(fù)的時間節(jié)點，最終得出一個統(tǒng)一的時間T的分布；

為VT數(shù)據(jù)提取不同輻照劑量下同一時間節(jié)點T對應(yīng)的電壓數(shù)據(jù)；

給定輻照劑量D，根據(jù)同一時間節(jié)點T下不同劑量的電壓數(shù)據(jù)V進(jìn)行插值操作，獲得D下該時間T對應(yīng)的電壓V，用相同的插值方法為D下剩余的其他時間節(jié)點進(jìn)行插值操作，獲得輻照劑量D下的器件的IBIS數(shù)據(jù)模型。

5.一種利用權(quán)利要求1～4任意一項所述基于IBIS的集成電路總劑量效應(yīng)建模方法構(gòu)建的在輻照條件下進(jìn)行PCB信號完整性仿真分析所需的集成電路總劑量效應(yīng)模型。