[發明專利]用于確定處理速率的方法和裝置

有效

• 申請號: 201610824280.7
• 申請日: 2016-09-14
• 公開（公告）號: CN107026079B
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: 亞辛·卡布茲;呂克·阿爾巴雷德;安德魯·D·貝利;喬治·盧克;塞翁克永·李;索斯藤·利爾
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/66
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠;張靜

本發明涉及用于確定處理速率的方法和裝置。一種用于在處理室中干法處理襯底的方法被提供。所述襯底被置于所述處理室中。所述襯底被干法處理，其中所述干法處理產生至少一種氣體副產品。所述至少一種氣體副產品的濃度被測量。所述至少一種氣體副產品的所述濃度被用于確定所述襯底的處理速率。

參考引用

本公開通過參考并入了由Albarede等人于相同日期提交的名稱為“APPARATUSFOR DETERMINING PROCESS RATE”的專利，該美國專利流水號為，代理人案卷號為LAM1P521/3758-1US，該專利通過參考并入以用于全部目的。

技術領域

本公開涉及半導體器件的制造。更具體地，本公開涉及制造半導體器件時所使用的蝕刻。

背景技術

在半導體晶片的處理過程中，含硅層被選擇性地蝕刻。

發明內容

為了實現上述內容并且根據本公開的目的，一種用于在處理室中干法處理襯底的方法被提供。所述襯底被置于所述處理室中。所述襯底被干法處理，其中所述干法處理產生至少一種氣體副產品。所述至少一種氣體副產品的濃度被測量。所述至少一種氣體副產品的所述濃度被用于確定所述襯底的處理速率。

在另一表現方式中，一種用于在處理室中干法蝕刻襯底上面的至少8個交替層的方法被提供。所述襯底被置于所述處理室中。所述至少8個交替層被干法蝕刻，其中所述干法蝕刻產生至少一種氣體副產品。所述至少一種氣體副產品的濃度被測量。所述至少一種氣體副產品的所述濃度被用于確定所述襯底的蝕刻速率、蝕刻選擇度和蝕刻均勻度。室參數基于所測定的所述濃度被改變。

具體而言，本發明的一些方面可以闡述如下:

1.一種用于在處理室中干法處理襯底的方法，其包括：

將所述襯底置于所述處理室中；

干法處理所述襯底，其中所述干法處理產生至少一種氣體副產品；

測量所述至少一種氣體副產品的濃度；和

利用所述至少一種氣體副產品的所述濃度來確定所述襯底的處理速率。

2.如條款1所述的方法，其進一步包括利用所述至少一種氣體副產品的所述濃度來確定處理均勻度。

3.如條款2所述的方法，其進一步包括利用所述至少一種氣體副產品的所述濃度來確定工藝終點。

4.如條款3所述的方法，其中所述工藝是等離子體蝕刻，且進一步包括利用所述至少一種氣體副產品的所述濃度來確定深寬比依賴的ER。

5.如條款4所述的方法，其中所述工藝是等離子體蝕刻交替層，且進一步包括利用所述至少一種氣體副產品的所述濃度來確定深寬比依賴的選擇度。

6.如條款5所述的方法，其進一步包括：

創建與處理速率和處理均勻度相關的多個濃度模型；和

使隨著時間推移而測量的副產品濃度符合所述多個濃度模型中的至少一個。

7.如條款1所述的方法，其進一步包括基于所測定的所述至少一種氣體副產品的所述濃度來改變室設置。

8.如條款1所述的方法，其中所述干法處理所述襯底包括等離子體蝕刻所述襯底或所述襯底上面的堆層。

9.如條款1所述的方法，其中所述干法處理所述襯底包括蝕刻含硅層。

10.如條款1所述的方法，其中所述副產品包括SiF₄、SiCl₄、SiBr₄、COF₂、CO₂、CO和CF₄中的至少一種。