[發明專利]用于確定處理速率的方法和裝置

有效

• 申請號: 201610824280.7
• 申請日: 2016-09-14
• 公開（公告）號: CN107026079B
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: 亞辛·卡布茲;呂克·阿爾巴雷德;安德魯·D·貝利;喬治·盧克;塞翁克永·李;索斯藤·利爾
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/66
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠;張靜

1.一種用于在處理室中干法處理襯底的方法，其包括：

創建與處理速率和處理均勻度相關的多個濃度模型；

將所述襯底置于所述處理室中；

干法處理所述襯底，其中所述干法處理產生至少一種氣體副產品；

測量所述至少一種氣體副產品的濃度；

使隨著時間推移而測量的所述至少一種氣體副產品濃度符合所述多個濃度模型中的至少一個；

利用所述至少一種氣體副產品的所述濃度來確定所述襯底的處理速率；

根據符合的所述多個濃度模型中的至少一個和所述至少一種氣體副產品的測量的濃度創建工藝參數；

使用所創建的工藝參數以確定不同批次和不同室之間的性能；和

利用所述至少一種氣體副產品的所述濃度來確定處理均勻度，

其中所述測量所述至少一種氣體副產品的濃度包括利用使用多路氣室的IR吸收來測量所述至少一種氣體副產品的所述濃度。

2.如權利要求1所述的方法，其進一步包括利用所述至少一種氣體副產品的所述濃度來確定工藝終點。

3.如權利要求2所述的方法，其中所述工藝是等離子體蝕刻，且進一步包括利用所述至少一種氣體副產品的所述濃度來確定深寬比依賴的蝕刻速率。

4.如權利要求3所述的方法，其中所述工藝是等離子體蝕刻交替層，且進一步包括利用所述至少一種氣體副產品的所述濃度來確定深寬比依賴的選擇度。

5.如權利要求1所述的方法，其進一步包括基于所測定的所述至少一種氣體副產品的所述濃度來改變室設置。

6.如權利要求1所述的方法，其中所述干法處理所述襯底包括等離子體蝕刻所述襯底或所述襯底上面的堆層。

7.如權利要求1所述的方法，其中所述干法處理所述襯底包括蝕刻含硅層。

8.如權利要求1所述的方法，其中所述副產品包括SiF₄、SiCl₄、SiBr₄、COF₂、CO₂、CO和CF₄中的至少一種。

9.如權利要求1所述的方法，其中利用所述至少一種氣體副產品的所述濃度來確定蝕刻選擇度。

10.如權利要求1所述的方法，其中所述IR吸收在所述至少一種氣體副產品通過排放泵被泵出之后測量所述至少一種氣體副產品的所述濃度。

11.如權利要求1所述的方法，其中所述副產品包括SiF₄。

12.一種用于在處理室中干法蝕刻襯底上面的至少8個交替層的方法，其包括：

創建與處理速率和處理均勻度相關的多個濃度模型；

將所述襯底置于所述處理室中；

干法蝕刻所述至少8個交替層，其中所述干法蝕刻產生至少一種氣體副產品；

測量所述至少一種氣體副產品的濃度；

使隨著時間推移而測量的所述至少一種氣體副產品濃度符合所述多個濃度模型中的至少一個；

利用所述至少一種氣體副產品的所述濃度來確定所述襯底的蝕刻速率、蝕刻選擇度和蝕刻均勻度；

根據符合的所述多個濃度模型中的至少一個和所述至少一種氣體副產品的測量的濃度創建工藝參數；

使用所創建的工藝參數以確定不同批次和不同室之間的性能；和

基于所測定的所述濃度改變室參數，

其中所述測量所述至少一種氣體副產品的濃度包括利用使用多路氣室的IR吸收來測量所述至少一種氣體副產品的所述濃度。