[發明專利]反應性熱處理設備在審
| 申請號: | 201610823220.3 | 申請日: | 2016-09-14 |
| 公開(公告)號: | CN107527970A | 公開(公告)日: | 2017-12-29 |
| 發明(設計)人: | 黃庭輝 | 申請(專利權)人: | 上銀光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/032;C23C14/58 |
| 代理公司: | 北京遠大卓悅知識產權代理事務所(普通合伙)11369 | 代理人: | 史霞 |
| 地址: | 中國臺灣苗栗*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 反應 熱處理 設備 | ||
技術領域
一種反應性熱處理設備,特別是一種用于處理薄膜裝置,并且具有一凹陷部可防止含硒氣體冷凝的液態硒回流的反應性熱處理設備。
背景技術
太陽能發電是一種可再生且環保的發電方式,在太陽能發電的過程中不會產生二氧化碳或其他溫室氣體。也因此,太陽能發電在逐漸重視環保的現代,開始被廣泛使用,現在于住宅建筑、公共設施、裝置藝術或交通工具上,都能夠看到太陽能發電裝置。
要將陽光轉換為電力,則需要太陽能電池,以儲存太陽能轉換的電力。太陽能電池的種類較多,其中CIGS(銅銦鎵硒)太陽能電池擁有較佳的轉換效率、穩定性佳、弱光特性良好的優點,因此CIGS太陽能電池是目前市場主流的太陽能電池的一。
傳統的CIGS太陽能電池,其常用的制造方法是濺鍍法,將Ga/Cu/In等元素濺鍍在Mo金屬基板后,再使用硒化爐在以高溫450~550℃進行硒化反應。然而,請參閱圖1,圖1所示為習知硒化過程的示意圖。在硒化爐10中,靠近爐口的低溫部12溫度須維持在250℃以下,避免O形環劣化導致漏氣。然
而,當爐中的硒氣體14靠近低溫部12時,硒氣體14會冷凝成液態硒且順著低溫部的爐壁向下流,并順著爐壁下方回流到高溫部11中。回到高溫部11的冷凝液態硒又會產生氣化作用,并與原本在高溫區的氣體混合,導致硒氣體14濃度變化,進而影響制造過程的穩定性。因此,本發明的有益效果是可避免冷凝的液態硒回流高溫區,維持硒反應的穩定性,提高薄膜裝置加工的良率。
發明內容
本發明的有益效果是提供一種反應性熱處理設備,可避免冷凝的液態硒回流高溫區,維持硒反應的穩定性,提高薄膜裝置加工的良率。
本發明提供一種反應性熱處理設備,適于處理一薄膜裝置,該反應性熱處理設備包括一爐管。爐管沿著一方向延伸,具有一第一端與一第二端,該爐管還包括一高溫部、一低溫部及一閥門。高溫部靠近該第二端,用以擺放薄膜裝置。低溫部靠近該第一端,具有一氣密結構。閥門設置于該第一端。其中,該低溫部的一內側壁具有一凹陷部,此凹陷部與該高溫部的一內側壁形成一段差。
上述的反應性熱處理設備,其中,低溫部的凹陷部以外的內側壁,是與高溫部的內側壁切齊。
上述的反應性熱處理設備,其中,凹陷部是延伸通過整個低溫部。
上述的反應性熱處理設備,其中,高溫部與低溫部是以相同材料制成。
上述的反應性熱處理設備,其中,高溫部與該低溫部是以石英制成。
上述的反應性熱處理設備,其中,高溫部與該低溫部是一整體結構。
上述的反應性熱處理設備,其中,高溫部與該低溫部是以不同材料制成。
上述的反應性熱處理設備,其中,低溫部是以不銹鋼制成。
上述的反應性熱處理設備,還包括一容器,該容器與該凹陷部嵌合。
上述的反應性熱處理設備,其中,高溫部的長度大于該低溫部的長度。
本發明還提供一種反應性熱處理設備的制造方法,包括:
提供一爐管,該爐管沿著一方向而設置,該爐管還包括一第一端與一第二端,該爐管包括一高溫部與一低溫部,該高溫部是靠近該第二端并用以放置一薄膜裝置,該低溫部靠近該第一端且還具有一氣密結構;及
在該低溫部的內側壁上形成一凹陷部,該凹陷部與該高溫部的內側壁形成一段差。
上述的反應性熱處理設備的制造方法,還包括:形成一容器與該凹陷部嵌合。
上述的反應性熱處理設備的制造方法,其中,該高溫部的長度大于該低溫部的長度。
上述的反應性熱處理設備的制造方法,其中,該高溫部與該低溫部是以相同材料形成。
上述的反應性熱處理設備的制造方法,其中,該高溫部與該低溫部是以不同材料制成。
上述的反應性熱處理設備的制造方法,其中,該低溫部是以不銹鋼形成。
本發明還提供另一種反應性熱處理設備的制造方法,包括:
提供一第一爐管;
提供一第二爐管,該第二爐管具有一氣密結構,其中該第一爐管的長度大于該第二爐管的長度,該第二爐管的截面積大于該第一爐管的截面積;
接合該第一爐管與該第二爐管,使該第一爐管與該第二爐管的交界處形成一段差。
上述的反應性熱處理設備的制造方法,其中,該第一爐管與該第二爐管為不銹鋼材質。
上述的反應性熱處理設備的制造方法,其中,該第一爐管與該第二爐管為石英材質。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





