[發(fā)明專利]反應(yīng)性熱處理設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610823220.3 | 申請日: | 2016-09-14 |
| 公開(公告)號: | CN107527970A | 公開(公告)日: | 2017-12-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 黃庭輝 | 申請(專利權(quán))人: | 上銀光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/032;C23C14/58 |
| 代理公司: | 北京遠大卓悅知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11369 | 代理人: | 史霞 |
| 地址: | 中國臺灣苗栗*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 反應(yīng) 熱處理 設(shè)備 | ||
1.一種反應(yīng)性熱處理設(shè)備,適于處理一薄膜裝置,該反應(yīng)性熱處理設(shè)備包括:
一爐管,沿著一方向延伸,具有一第一端與一第二端,該爐管還包括:
一高溫部,靠近該第二端,用于擺放該薄膜裝置;
一低溫部,靠近該第一端,具有一氣密結(jié)構(gòu);及
一閥門,設(shè)置于該第一端;
其特征在于,該低溫部的一內(nèi)側(cè)壁具有一凹陷部,此凹陷部與該高溫部的一內(nèi)側(cè)壁形成一段差。
2.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)性熱處理設(shè)備,其特征在于,該低溫部的該凹陷部以外的內(nèi)側(cè)壁,是與該高溫部的內(nèi)側(cè)壁切齊。
3.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)性熱處理設(shè)備,其特征在于,該凹陷部是延伸通過整個該低溫部。
4.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)性熱處理設(shè)備,其特征在于,該高溫部與該低溫部是以相同材料制成。
5.如權(quán)利要求4所述的反應(yīng)性熱處理設(shè)備,其特征在于,該高溫部與該低溫部是以石英制成。
6.如權(quán)利要求4所述的反應(yīng)性熱處理設(shè)備,其特征在于,該高溫部與該低溫部是一整體結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求4所述的反應(yīng)性熱處理設(shè)備,其特征在于,該高溫部與該低溫部是以不同材料制成。
8.如權(quán)利要求7所述的反應(yīng)性熱處理設(shè)備,其特征在于,該低溫部是以不銹鋼制成。
9.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)性熱處理設(shè)備,其特征在于,還包括一容器,與該凹陷部嵌合。
10.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)性熱處理設(shè)備,其特征在于,該高溫部的長度大于該低溫部的長度。
11.一種反應(yīng)性熱處理設(shè)備的制造方法,包括:
提供一爐管,該爐管沿著一方向而設(shè)置,該爐管還包括一第一端與一第二端,該爐管包括一高溫部與一低溫部,該高溫部是靠近該第二端并用以放置一薄膜裝置,該低溫部靠近該第一端且還具有一氣密結(jié)構(gòu);及
在該低溫部的內(nèi)側(cè)壁上形成一凹陷部,該凹陷部與該高溫部的內(nèi)側(cè)壁形成一段差。
12.如權(quán)利要求11所述的反應(yīng)性熱處理設(shè)備的制造方法,其特征在于,還包括:
于該凹陷部形成一容器與該凹陷部嵌合。
13.如權(quán)利要求11所述的反應(yīng)性熱處理設(shè)備的制造方法,其特征在于,該高溫部的長度大于該低溫部的長度。
14.如權(quán)利要求11所述的反應(yīng)性熱處理設(shè)備的制造方法,其特征在于,該高溫部與該低溫部是以相同材料形成。
15.如權(quán)利要求11所述的反應(yīng)性熱處理設(shè)備的制造方法,其特征在于,該高溫部與該低溫部是以不同材料形成。
16.如權(quán)利要求11所述的反應(yīng)性熱處理設(shè)備的制造方法,其特征在于,該低溫部是以不銹鋼形成。
17.一種反應(yīng)性熱處理設(shè)備的制造方法,包括:
提供一第一爐管;
提供一第二爐管,該第二爐管具有一氣密結(jié)構(gòu),其特征在于該第一爐管的長度大于該第二爐管的長度,該第二爐管的截面積大于該第一爐管的截面積;
接合該第一爐管與該第二爐管,使該第一爐管與該第二爐管的交界處形成一段差。
18.如權(quán)利要求17所述的反應(yīng)性熱處理設(shè)備的制造方法,其特征在于,該第一爐管與該第二爐管為不銹鋼材質(zhì)。
19.如權(quán)利要求17所述的反應(yīng)性熱處理設(shè)備的制造方法,其特征在于,該第一爐管與該第二爐管為石英材質(zhì)。
20.如權(quán)利要求17所述的反應(yīng)性熱處理設(shè)備的制造方法,其特征在于,該第一爐管為石英,該第二爐管為不銹鋼。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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