[發明專利]半導體裝置的制造方法及襯底處理裝置

在審

• 申請號: 201610818466.1
• 申請日: 2016-09-12
• 公開（公告）號: CN107492491A
• 公開（公告）日: 2017-12-19
• 發明（設計）人: 大橋直史;豐田一行;島本聰;菊池俊之
• 申請（專利權）人: 株式會社日立國際電氣
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213;H01L21/764;H01J37/32
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 楊宏軍,李文嶼

1.一種半導體裝置的制造方法，包括：

在形成有第一層間絕緣膜和布線層的襯底中，接收所述布線層的膜厚信息的工序，其中，所述布線層形成在所述第一層間絕緣膜上，具有埋入有用作布線的多個含銅膜的槽、和設置在所述槽之間且將所述含銅膜之間絕緣的布線間絕緣膜；

將所述襯底載置在設置于處理室的內側的襯底載置部的工序；

基于與所述布線層的膜厚信息相應的蝕刻控制值，通過蝕刻氣體將所述布線層蝕刻的工序。

2.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述蝕刻控制值為蝕刻時間，所述蝕刻時間設定為蝕刻至比所述槽的底位置更深的位置。

3.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述布線層的膜厚信息為所述布線間絕緣膜的膜厚信息。

4.如權利要求3所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述布線層的膜厚信息為將所述含銅膜研磨之后的所述布線層的膜厚信息。

5.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述布線層的膜厚信息為將所述含銅膜研磨之后的所述布線層的膜厚信息。

6.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述膜厚信息為所述襯底的中央面和外周面的膜厚分布信息，

在所述蝕刻的工序中，

當所述膜厚分布信息表現出所述中央面比所述外周面厚時，使所述中央面處的所述襯底的單位面積的所述蝕刻氣體的暴露量比所述外周面處的所述襯底的單位面積的所述蝕刻氣體的暴露量多，

當所述膜厚分布信息為表現出所述外周面比所述中央面大的信息時，使所述外周面處的所述襯底的單位面積的所述蝕刻氣體的暴露量比所述中央面處的所述襯底的單位面積的所述蝕刻氣體的暴露量多。

7.如權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述布線層的膜厚信息為將所述含銅膜研磨之后的所述布線層的膜厚信息。

8.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述膜厚信息為所述襯底的中央面和外周面的膜厚分布信息，

在所述蝕刻的工序中，

當所述膜厚分布信息表現出所述中央面比所述外周面厚時，使向所述中央面供給的所述蝕刻氣體的量比向所述外周面供給的所述蝕刻氣體的量多，

當所述膜厚分布信息表現出所述外周面比所述中央面大的信息時，使向所述外周面供給的所述蝕刻氣體的量比向所述中央面供給的所述蝕刻氣體的量多。

9.如權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述布線層的膜厚信息為將所述含銅膜研磨之后的所述布線層的膜厚信息。

10.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述膜厚信息為所述襯底的中央面和其外周面的膜厚分布信息，

在所述蝕刻的工序中，

當所述膜厚分布信息表現出所述中央面比所述外周面厚時，使向所述中央面供給的所述蝕刻氣體的濃度比向所述外周面供給的所述蝕刻氣體的濃度高，

當所述膜厚分布信息表現出所述外周面的膜厚比所述中央面大時，使向所述外周面供給的所述蝕刻氣體的濃度比向所述中央面供給的所述蝕刻氣體的濃度高。

11.如權利要求10所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述布線層的膜厚信息為將所述含銅膜研磨之后的所述布線層的膜厚信息。

12.如權利要求10所述的半導體裝置的制造方法，其中，控制所述蝕刻氣體的濃度時，控制向所述蝕刻氣體添加的非活性氣體的供給量。

13.如權利要求12所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述布線層的膜厚信息為將所述含銅膜研磨之后的所述布線層的膜厚信息。

14.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述膜厚信息為所述襯底的中央面和其外周面的膜厚分布信息，

在所述蝕刻的工序中，

當所述膜厚分布信息表現出所述中央面比所述外周面厚時，使向所述中央面供給的所述蝕刻氣體的等離子體密度比向所述外周面供給的所述蝕刻氣體的等離子體密度高，

當所述膜厚分布信息表現出所述外周面比所述中央面大時，使向所述外周面供給的所述蝕刻氣體的等離子體密度比向所述中央面供給的所述蝕刻氣體的等離子體密度高。