[發(fā)明專利]移動(dòng)終端以及克服晶體老化的搜網(wǎng)方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610814714.5
• 申請(qǐng)日: 2016-09-09
• 公開（公告）號(hào): CN106850937A
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 裴偉偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)發(fā)科技(新加坡)私人有限公司
• 主分類號(hào): H04M1/725
• 分類號(hào): H04M1/725;H04W48/18
• 代理公司: 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)44280
• 代理人: 何青瓦

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及移動(dòng)終端克服晶體老化技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種移動(dòng)終端以及克服晶體老化的搜網(wǎng)方法。

背景技術(shù)

在移動(dòng)終端生產(chǎn)，銷售及用戶的使用過程中，如刷機(jī)等，移動(dòng)終端的各項(xiàng)射頻指標(biāo)會(huì)隨著用戶的使用環(huán)境及使用時(shí)間發(fā)生變化，尤其是晶體老化引起的頻率精度這項(xiàng)指標(biāo)。其他指標(biāo)的變化客戶端不容易感知，不影響正常的通信功能。如果頻率精度出現(xiàn)異常，會(huì)導(dǎo)致移動(dòng)終端失去通信功能，對(duì)用戶體驗(yàn)，品牌影響力及售后都會(huì)帶來負(fù)面的影響。

目前的移動(dòng)終端在出廠時(shí)進(jìn)行一次校準(zhǔn)，后續(xù)的任何操作都不能破壞這份參數(shù)。部分廠商也會(huì)要求將移動(dòng)終端的配置參數(shù)(即golden參數(shù))寫入代碼。即使這份參數(shù)丟失，可以調(diào)用代碼中的設(shè)定，功能也基本能夠保證OK，不用返廠，例如刷機(jī)操作失誤等等。

但是頻率精度會(huì)隨著晶體的老化發(fā)生頻偏，校準(zhǔn)與集成golden參數(shù)的方式都無法完全避免失效的概率，由于時(shí)間的增加，或者晶體本身的一致性問題，會(huì)概率性出現(xiàn)異常。此類問題目前的解決方法是移動(dòng)終端返廠，拆機(jī)使用儀器進(jìn)行校準(zhǔn)，耗費(fèi)大量的人力，物力。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種移動(dòng)終端以及克服晶體老化的搜網(wǎng)方法，能夠有效解決晶體老化或晶體批次不良導(dǎo)致無法搜網(wǎng)的問題，進(jìn)而擴(kuò)大搜網(wǎng)應(yīng)用場(chǎng)景。

本發(fā)明提供一種克服晶體老化的搜網(wǎng)方法，包括：調(diào)用存儲(chǔ)在易失性隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器中的第一區(qū)域的參數(shù)進(jìn)行搜網(wǎng)；如果搜網(wǎng)失敗，則調(diào)用存儲(chǔ)在易失性隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器中的第二區(qū)域的參數(shù)進(jìn)行搜網(wǎng)；如果搜網(wǎng)次數(shù)大于第一預(yù)設(shè)值，則重新獲取參數(shù)并進(jìn)行搜網(wǎng)；如果搜網(wǎng)成功，則將第一區(qū)域的參數(shù)更新為重新獲取的參數(shù)。

其中，存儲(chǔ)在第一區(qū)域的參數(shù)的初始值與存儲(chǔ)在第二區(qū)域的參數(shù)相同。

其中，參數(shù)包括電容陣列的電容和變?nèi)荻O管的電容，改變電容陣列的電容用于粗調(diào)參數(shù)；改變變?nèi)荻O管的電容用于細(xì)調(diào)參數(shù)。

其中，重新獲取參數(shù)并進(jìn)行搜網(wǎng)的步驟包括：以預(yù)設(shè)的步進(jìn)調(diào)整電容陣列的電容進(jìn)行搜網(wǎng)使頻率誤差最小；對(duì)變?nèi)荻O管的電容進(jìn)行校準(zhǔn)并進(jìn)行搜網(wǎng)使頻率誤差趨于零。

其中，對(duì)變?nèi)荻O管的電容進(jìn)行校準(zhǔn)的步驟包括：如果變?nèi)荻O管的電容的值與變?nèi)荻O管的電容的變化范圍中間的值之差超出預(yù)設(shè)范圍，則調(diào)整變?nèi)荻O管的電容的變化范圍中間的值處于變?nèi)荻O管的電容的變化范圍的中間位置。

其中，如果調(diào)用存儲(chǔ)在第二區(qū)域的參數(shù)搜網(wǎng)成功，則將第一區(qū)域的參數(shù)更新為第二區(qū)域的參數(shù)。

本發(fā)明還提供一種移動(dòng)終端，包括：第一搜網(wǎng)模塊，用于調(diào)用存儲(chǔ)在易失性隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器中的第一區(qū)域的參數(shù)進(jìn)行搜網(wǎng)；第二搜網(wǎng)模塊，與第一搜網(wǎng)模塊連接，用于如果搜網(wǎng)失敗，則調(diào)用存儲(chǔ)在易失性隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器中的第二區(qū)域的參數(shù)進(jìn)行搜網(wǎng)；第三搜網(wǎng)模塊，與第二搜網(wǎng)模塊連接，用于如果搜網(wǎng)次數(shù)大于第一預(yù)設(shè)值，則重新獲取參數(shù)并進(jìn)行搜網(wǎng)；參數(shù)更新模塊，與第三搜網(wǎng)模塊連接，用于如果搜網(wǎng)成功，則將第一區(qū)域的參數(shù)更新為重新獲取的參數(shù)。

其中，存儲(chǔ)在第一區(qū)域的參數(shù)的初始值與存儲(chǔ)在第二區(qū)域的參數(shù)相同。

其中，參數(shù)包括電容陣列的電容和變?nèi)荻O管的電容，改變電容陣列的電容用于粗調(diào)參數(shù)；改變變?nèi)荻O管的電容用于細(xì)調(diào)參數(shù)。

其中，第三搜網(wǎng)模塊用于：以預(yù)設(shè)的步進(jìn)調(diào)整電容陣列的電容進(jìn)行搜網(wǎng)使頻率誤差最小；對(duì)變?nèi)荻O管的電容進(jìn)行校準(zhǔn)并進(jìn)行搜網(wǎng)使頻率誤差趨于零。

其中，第三搜網(wǎng)模塊還用于：如果變?nèi)荻O管的電容的值與變?nèi)荻O管的電容的變化范圍中間的值之差超出預(yù)設(shè)范圍，則調(diào)整變?nèi)荻O管的電容的變化范圍中間的值處于變?nèi)荻O管的電容的變化范圍的中間位置。

其中，參數(shù)更新模塊還用于：如果第二搜網(wǎng)模塊調(diào)用存儲(chǔ)在第二區(qū)域的參數(shù)搜網(wǎng)成功，則將第一區(qū)域的參數(shù)更新為第二區(qū)域的參數(shù)。

通過上述方案，本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明通過調(diào)用存儲(chǔ)在易失性隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器中的第一區(qū)域的參數(shù)進(jìn)行搜網(wǎng)；如果搜網(wǎng)失敗，則調(diào)用存儲(chǔ)在易失性隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器中的第二區(qū)域的參數(shù)進(jìn)行搜網(wǎng)；如果搜網(wǎng)次數(shù)大于第一預(yù)設(shè)值，則重新獲取參數(shù)并進(jìn)行搜網(wǎng)；如果搜網(wǎng)成功，則將第一區(qū)域的參數(shù)更新為重新獲取的參數(shù)，能夠有效解決晶體老化或晶體批次不良導(dǎo)致無法搜網(wǎng)的問題，進(jìn)而擴(kuò)大搜網(wǎng)應(yīng)用場(chǎng)景。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。其中：