[發明專利]移動終端以及克服晶體老化的搜網方法

在審

• 申請號: 201610814714.5
• 申請日: 2016-09-09
• 公開（公告）號: CN106850937A
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發明（設計）人: 裴偉偉
• 申請（專利權）人: 聯發科技(新加坡)私人有限公司
• 主分類號: H04M1/725
• 分類號: H04M1/725;H04W48/18
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙)44280
• 代理人: 何青瓦

1.一種克服晶體老化的搜網方法，其特征在于，所述克服晶體老化的搜網方法包括：

調用存儲在易失性隨機訪問存儲器中的第一區域的參數進行搜網；

如果搜網失敗，則調用存儲在所述易失性隨機訪問存儲器中的第二區域的參數進行搜網；

如果搜網失敗且搜網次數大于第一預設值，則重新獲取參數并進行搜網；

如果搜網成功，則將所述第一區域的參數更新為重新獲取的所述參數。

2.根據權利要求1所述的克服晶體老化的搜網方法，其特征在于，存儲在所述第一區域的參數的初始值與存儲在所述第二區域的參數相同。

3.根據權利要求1所述的克服晶體老化的搜網方法，其特征在于，所述參數包括電容陣列的電容和變容二極管的電容，改變所述電容陣列的電容用于粗調所述參數；改變變容二極管的電容用于細調所述參數。

4.根據權利要求3所述的克服晶體老化的搜網方法，其特征在于，所述重新獲取參數并進行搜網的步驟包括：

以預設的步進調整所述電容陣列的電容進行搜網使頻率誤差最小；

對所述變容二極管的電容進行校準并進行搜網使頻率誤差趨于零。

5.根據權利要求4所述的克服晶體老化的搜網方法，其特征在于，所述對所述變容二極管的電容進行校準的步驟包括：

如果所述變容二極管的電容的值與所述變容二極管的電容的變化范圍中間的值之差超出預設范圍，則調整所述變容二極管的電容的變化范圍中間的值處于所述變容二極管的電容的變化范圍的中間位置。

6.根據權利要求1所述的克服晶體老化的搜網方法，其特征在于，如果調用存儲在所述第二區域的參數搜網成功，則將所述第一區域的參數更新為所述第二區域的參數。

7.一種移動終端，其特征在于，所述移動終端包括：

第一搜網模塊，用于調用存儲在易失性隨機訪問存儲器中的第一區域的參數進行搜網；

第二搜網模塊，與所述第一搜網模塊連接，用于如果搜網失敗，則調用存儲在所述易失性隨機訪問存儲器中的第二區域的參數進行搜網；

第三搜網模塊，與所述第二搜網模塊連接，用于如果搜網失敗且搜網次數大于第一預設值，則重新獲取參數并進行搜網；

參數更新模塊，與所述第三搜網模塊連接，用于如果搜網成功，則將所述第一區域的參數更新為重新獲取的所述參數。

8.根據權利要求7所述的移動終端，其特征在于，存儲在所述第一區域的參數的初始值與存儲在所述第二區域的參數相同。

9.根據權利要求7所述的移動終端，其特征在于，所述參數包括電容陣列的電容和變容二極管的電容，改變所述電容陣列的電容用于粗調所述參數；改變變容二極管的電容用于細調所述參數。

10.根據權利要求9所述的移動終端，其特征在于，所述第三搜網模塊用于：

以預設的步進調整所述電容陣列的電容進行搜網使頻率誤差最小；

對所述變容二極管的電容進行校準并進行搜網使頻率誤差趨于零。

11.根據權利要求10所述的移動終端，其特征在于，所述第三搜網模塊還用于：

如果所述變容二極管的電容的值與所述變容二極管的電容的變化范圍中間的值之差超出預設范圍，則調整所述變容二極管的電容的變化范圍中間的值處于所述變容二極管的電容的變化范圍的中間位置。

12.根據權利要求7所述的移動終端，其特征在于，所述參數更新模塊還用于：

如果所述第二搜網模塊調用存儲在所述第二區域的參數搜網成功，則將所述第一區域的參數更新為所述第二區域的參數。