[發(fā)明專利]半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610812478.3
• 申請日: 2016-09-09
• 公開（公告）號: CN106711101A
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發(fā)明（設計）人: 波拉·巴洛葛盧;可陸提斯·史溫格;羅恩·休莫勒
• 申請（專利權）人: 艾馬克科技公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 北京寰華知識產(chǎn)權代理有限公司11408
• 代理人: 林柳岑,王興

技術領域

本發(fā)明關于一種半導體裝置及其制造方法。

背景技術

各種半導體封裝，例如囊封在模制化合物中的半導體封裝，生產(chǎn)起來不必要地昂貴并且在囊封過程期間會遇到制造缺陷。所屬領域的技術人員通過參看圖式比較常規(guī)方法與本公開其余部分中闡述的本發(fā)明的方法和系統(tǒng)的一些態(tài)樣，將容易明白常規(guī)囊封半導體封裝及其制造方法的局限性和缺點。

發(fā)明內(nèi)容

本公開的各種態(tài)樣提供囊封半導體封裝及其生產(chǎn)方法。作為非限制性實例，可以通過部分切塊晶片、模制部分切塊的晶片和完全切塊模制的并且部分切塊的晶片，借此生產(chǎn)半導體封裝。

更具體地說，在一個實施例中，一種制造半導體裝置的方法，所述方法包括：將晶片固定到載體，所述晶片包括多個半導體裸片；將所述固定的晶片部分地切塊；囊封所述部分切塊的晶片；以及將所述囊封的部分切塊的晶片切塊。所述將晶片固定到載體包括將所述晶片附接到熱釋放膠帶。所述將所述固定的晶片部分地切塊包括部分地蝕刻所述固定的晶片。所述部分地蝕刻所述固定的晶片包括：沿著第一單分線的第一部分完全蝕刻通過所述固定的晶片；以及阻止沿著所述第一單分線的第二部分蝕刻所述固定的晶片。所述將所述固定的晶片部分地切塊包括留下從所述多個半導體裸片中的第一裸片延伸到所述多個半導體裸片中的第二裸片的晶片材料的至少一個突片。所述晶片材料的至少一個突片從所述第一裸片的側面的中間延伸到所述第二裸片的側面的中間。所述囊封所述部分切塊的晶片包括在模制化合物中囊封所述部分切塊的晶片。所述將所述囊封晶片切塊包括切穿晶片材料和囊封物。所述將所述囊封的部分切塊的晶片切塊包括形成切割線，所述切割線比對所述固定晶片的所述部分切塊期間形成的蝕刻線窄。在所述將所述囊封的部分切塊的晶片切塊之前從所述載體釋放所述囊封的部分切塊的晶片。

在另一實施例中，一種制造半導體裝置的方法，所述方法包括：將晶片固定到載體，所述晶片包括多個半導體裸片；至少部分地通過沿著單分線的第一部分完全蝕刻通過所述固定晶片，并且沿著所述單分線的第二部分留下在所述多個半導體裸片中的鄰近裸片之間延伸并且連接鄰近裸片的晶片材料的連接件，借此將所述固定晶片部分地切塊；在模制化合物中囊封所述部分切塊的并且固定的晶片；以及通過至少部分地沿著所述整個單分線完全鋸穿所述囊封的部分切塊的晶片，將所述囊封的部分切塊的晶片切塊。所述將所述囊封的部分切塊的晶片切塊包括沿著整個所述單分線形成切割線，所述切割線比在對所述固定晶片的所述部分切塊期間沿著所述單分線的所述第一部分形成的蝕刻線窄。

在另一實施例中，一種半導體裝置，其包括：半導體裸片，其包括：作用表面；與所述作用表面相對的非作用表面；多個側表面，其在所述作用表面與所述非作用表面之間延伸；以及突片，其從所述多個側表面中的第一側表面延伸；以及囊封物，其包圍所述半導體裸片的至少所述側表面，其中所述突片的端面從所述囊封物中露出。所述突片圍繞在所述第一側表面上。所述突片的端面與所述囊封物的側表面共面。所述突片包括與所述半導體裸片的所述第一側表面相同的高度。所述囊封物覆蓋所述半導體裸片的所述非作用表面和所述突片的頂表面。所述囊封物包括環(huán)氧模制化合物。所述囊封物從所述半導體裸片的所述多個側表面向外橫向地延伸不超過25um。所述半導體裸片包括：第二突片，其從所述多個側表面中的第二側表面延伸，其中所述第二突片的端面從所述囊封物中露出；第三突片，其從所述多個側表面中的第三側表面延伸，其中所述第三突片的端面從所述囊封物中露出；以及第四突片，其從所述多個側表面中的第四側表面延伸，其中所述第四突片的端面從所述囊封物中露出。

附圖說明

圖1示出了根據(jù)本公開的各種態(tài)樣的制造半導體封裝的實例方法的流程圖。

圖2A-圖2D示出了說明根據(jù)本公開的各種方面的圖1的實例方法的各種態(tài)樣的圖式。

圖3A-圖3C示出了說明根據(jù)本公開的各種態(tài)樣的實例半導體封裝的側視圖、透視圖和分解視圖的圖式。

具體實施方式