[發明專利]半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201610812478.3
• 申請日: 2016-09-09
• 公開（公告）號: CN106711101A
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發明（設計）人: 波拉·巴洛葛盧;可陸提斯·史溫格;羅恩·休莫勒
• 申請（專利權）人: 艾馬克科技公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 北京寰華知識產權代理有限公司11408
• 代理人: 林柳岑,王興

1.一種制造半導體裝置的方法，所述方法包括：

將晶片固定到載體，所述晶片包括多個半導體裸片；

將所述固定的晶片部分地切塊；

囊封所述部分切塊的晶片；以及

將所述囊封的部分切塊的晶片切塊。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述將晶片固定到載體包括將所述晶片附接到熱釋放膠帶。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述將所述固定的晶片部分地切塊包括部分地蝕刻所述固定的晶片。

4.根據權利要求3所述的方法，其中所述部分地蝕刻所述固定的晶片包括：

沿著第一單分線的第一部分完全蝕刻通過所述固定的晶片；以及

阻止沿著所述第一單分線的第二部分蝕刻所述固定的晶片。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述將所述固定的晶片部分地切塊包括留下從所述多個半導體裸片中的第一裸片延伸到所述多個半導體裸片中的第二裸片的晶片材料的至少一個突片。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述晶片材料的至少一個突片從所述第一裸片的側面的中間延伸到所述第二裸片的側面的中間。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述囊封所述部分切塊的晶片包括在模制化合物中囊封所述部分切塊的晶片。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述將所述囊封晶片切塊包括切穿晶片材料和囊封物。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述將所述囊封的部分切塊的晶片切塊包括形成切割線，所述切割線比對所述固定晶片的所述部分切塊期間形成的蝕刻線窄。

10.根據權利要求1所述的方法，其包括在所述將所述囊封的部分切塊的晶片切塊之前從所述載體釋放所述囊封的部分切塊的晶片。

11.一種制造半導體裝置的方法，所述方法包括：

將晶片固定到載體，所述晶片包括多個半導體裸片；

至少部分地通過沿著單分線的第一部分完全蝕刻通過所述固定晶片，并且沿著所述單分線的第二部分留下在所述多個半導體裸片中的鄰近裸片之間延伸并且連接鄰近裸片的晶片材料的連接件，借此將所述固定晶片部分地切塊；

在模制化合物中囊封所述部分切塊的并且固定的晶片；以及

通過至少部分地沿著所述整個單分線完全鋸穿所述囊封的部分切塊的晶片，將所述囊封的部分切塊的晶片切塊。

12.根據權利要求11所述的方法，其中所述將所述囊封的部分切塊的晶片切塊包括沿著整個所述單分線形成切割線，所述切割線比在對所述固定晶片的所述部分切塊期間沿著所述單分線的所述第一部分形成的蝕刻線窄。

13.一種半導體裝置，其包括：

半導體裸片，其包括：

作用表面；

與所述作用表面相對的非作用表面；

多個側表面，其在所述作用表面與所述非作用表面之間延伸；以及

突片，其從所述多個側表面中的第一側表面延伸；以及

囊封物，其包圍所述半導體裸片的至少所述側表面，

其中所述突片的端面從所述囊封物中露出。

14.根據權利要求13所述的半導體裝置，其中所述突片圍繞在所述第一側表面上。

15.根據權利要求13所述的半導體裝置，其中所述突片的端面與所述囊封物的側表面共面。

16.根據權利要求13所述的半導體裝置，其中所述突片包括與所述半導體裸片的所述第一側表面相同的高度。

17.根據權利要求13所述的半導體裝置，其中所述囊封物覆蓋所述半導體裸片的所述非作用表面和所述突片的頂表面。

18.根據權利要求13所述的半導體裝置，其中所述囊封物包括環氧模制化合物。

19.根據權利要求13所述的半導體裝置，其中所述囊封物從所述半導體裸片的所述多個側表面向外橫向地延伸不超過25um。

20.根據權利要求13所述的半導體裝置，其中所述半導體裸片包括：

第二突片，其從所述多個側表面中的第二側表面延伸，其中所述第二突片的端面從所述囊封物中露出；

第三突片，其從所述多個側表面中的第三側表面延伸，其中所述第三突片的端面從所述囊封物中露出；以及

第四突片，其從所述多個側表面中的第四側表面延伸，其中所述第四突片的端面從所述囊封物中露出。