[發明專利]抗蝕劑剝離液

有效

• 申請號: 201610810602.2
• 申請日: 2014-02-17
• 公開（公告）號: CN106200283B
• 公開（公告）日: 2017-11-03
• 發明（設計）人: 淵上真一郎;鈴木靖紀;有富禮子;児玉明里;五十嵐軌雄;坂田俊彥
• 申請（專利權）人: 松下知識產權經營株式會社
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42;H01L21/311
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙)11277
• 代理人: 劉新宇

本申請是申請日為2014年2月17日、申請號為201480059453X、發明名稱為“抗蝕劑剝離液”的申請的分案申請。

技術領域

本發明為用于剝離在液晶、有機EL等顯示裝置、半導體的制造時使用的抗蝕劑的剝離液，更詳細而言，涉及如下抗蝕劑剝離液，可以說其能夠去除在干蝕刻中暴露于等離子體中的抗蝕劑，進而對鋁膜和銅膜實質上也不腐蝕。

背景技術

在液晶、有機EL(電致發光(Electro-Luminescence))等平板顯示器(FPD)的TFT(薄膜晶體管(Thin Film Transistor))制造工藝中，為了形成導電布線，使用利用光刻法的蝕刻。

該蝕刻中，例如在成膜后的金屬膜上形成抗蝕膜。對于抗蝕膜，通過圖案掩模而被曝光并顯影，從而想要利用蝕刻而殘留的圖案(或其負像圖案)殘留在膜上。然后，通過利用了等離子體等的干蝕刻去除露出的金屬膜。然后用抗蝕劑剝離液將保護了金屬膜免受干蝕刻的、經圖案化的抗蝕膜剝離。

以往的導電布線主要由鋁形成。但是，因FPD的大型化而需要使大量電流流過，已經研究了將電阻率更小的銅作為導電布線使用。

但是，銅往往被抗蝕劑剝離液腐蝕，對于使銅膜上形成的抗蝕膜剝離的抗蝕劑剝離液，需要使抗蝕膜剝離，并且抑制銅的腐蝕。因此，提出了一種抗蝕劑剝離液，其含有苯并三唑作為銅的緩蝕劑。另外，除此之外，哌嗪的化合物作為能夠剝離抗蝕劑而且對銅的腐蝕也少的物質被提出(專利文獻1、專利文獻2)。

另一方面，在FPD中，也有用鋁進行布線的部分，剝離鋁膜上的抗蝕膜和剝離銅膜上的抗蝕膜的抗蝕劑剝離液分別單獨進行制備。

共有鋁膜和銅膜上的抗蝕膜的剝離液這種問題的提起可以追溯到專利文獻1的時代。專利文獻3中公開了如下技術：對鋁和銅進行選擇蝕刻時，使質子給予性的有機溶劑或質子接受性的有機溶劑在室溫以上與剝離對象抗蝕膜締合，與氧化性物質在水分1000ppm以上的環境中放置。

此外，專利文獻4中公開了剝離銅膜上的抗蝕膜的抗蝕劑剝離液。專利文獻4中公開了含有胺、溶劑、強堿以及水的抗蝕劑剝離液。在專利文獻4中，通過在氧濃度為規定值以下的環境下使用這些組成的抗蝕劑剝離液，防止了銅的腐蝕。

此外，專利文獻5是為了解決經干蝕刻工藝的抗蝕膜變質而不易被顯影時的溶液剝離的問題而想到的技術。其中公開了由胺、醚、糖醇、季銨以及水構成的抗蝕劑剝離液。需要說明的是，在專利文獻4中，對于抗蝕膜的形成，假定在鋁膜上，但沒有假定在銅上。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開昭60-131535號公報

專利文獻2：日本特開2006-079093號公報

專利文獻3：日本特開平05-047654號公報

專利文獻4：日本特開2003-140364號公報

專利文獻5：日本特開平08-262746號公報

發明內容

發明要解決的問題

如專利文獻5中所提及的，經干蝕刻工藝的抗蝕膜變質、不易剝離。因此，需要在伯胺或仲胺那樣的強堿下使用剝離力強的抗蝕劑剝離液。

在使用這樣的剝離力強的抗蝕劑剝離液的情況下，基底為鋁膜時，不怎么被腐蝕。但是，基底為銅膜時，被腐蝕。需要說明的是，此處，基底包括在剝離抗蝕膜時處于直接暴露于抗蝕劑剝離液中的狀態的膜。

即，伯胺或仲胺一方面能夠使正型抗蝕劑中利用的酚醛清漆樹脂和作為堿不溶化劑的重氮萘醌化合物溶解于極性溶劑、水中，另一方面也會使銅溶解。

因此，目前，在銅膜為基底的情況下，剝離經干蝕刻工藝的抗蝕膜時，在用灰化等技術去除規定膜厚的抗蝕膜后，使用抗蝕劑剝離液。

在FPD的制造中，混合存在有使用銅膜的產品和使用鋁膜的產品。因此，只要能夠用1種抗蝕劑剝離液使鋁和銅上形成的抗蝕膜剝離，就可以將剝離工序生產線設為1個。此外，由于抗蝕劑剝離液的管理也能夠一元化，因此不僅在制造工序上非常優選，而且還有助于減少成本。

專利文獻1、2提及了提供如下的抗蝕劑剝離液，其將蝕刻工序中變質而難以剝離的抗蝕劑剝離，而且不腐蝕金屬布線。然而，實際上，改變基底的金屬的種類，確認不到剝離性、腐蝕性。

專利文獻3為關于鋁和銅同時存在的狀態下的抗蝕劑剝離的發明。但是，僅僅公開了具有烷基苯磺酸作為質子給予性的有機溶劑、并且含有單乙醇胺作為質子接受性的有機溶劑的剝離液，并沒有公開具體的組成。