[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201610809531.4
• 申請日: 2016-09-08
• 公開（公告）號: CN106997902B
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 車知勛
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王新華

1.一種半導體器件，包括：

鰭型圖案，從基板突出并包括彼此相反的第一側表面和第二側表面；

第一溝槽，與所述第一側表面接觸；

第二溝槽，與所述第二側表面接觸；

第一襯層，共形地形成在所述第一溝槽的側表面和底表面上；

第一場絕緣膜，設置在所述第一襯層上并部分地填充所述第一溝槽；

第二襯層，共形地形成在所述第二溝槽的側表面和底表面上并暴露所述第二溝槽的底表面的一部分；以及

第二場絕緣膜，設置在所述第二襯層上并部分地填充所述第二溝槽，

其中所述第二襯層的一部分設置在所述第二場絕緣膜的底部之下。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一溝槽的寬度小于所述第二溝槽的寬度。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一溝槽的深度小于所述第二溝槽的深度。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第二場絕緣膜的上表面比所述第一場絕緣膜的上表面高、或者與所述第一場絕緣膜的上表面一致。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，還包括形成在所述鰭型圖案以及所述第一場絕緣膜和所述第二場絕緣膜上的柵電極。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中所述柵電極包括第一部分和第二部分，

所述第一部分交疊所述第一場絕緣膜，

所述第二部分交疊所述第二場絕緣膜，并且

所述第二部分的厚度比所述第一部分的厚度薄。

7.根據權利要求4所述的半導體器件，其中所述第二襯層包括共形地形成在所述第二溝槽的所述側表面上的側部區域以及與所述側部區域連接并沿所述第二溝槽的所述底表面的一部分共形地形成的底部區域，

所述第二場絕緣膜包括與所述側部區域接觸的第一區域以及與所述第一區域接觸并通過所述第一區域與所述側部區域間隔開的第二區域，并且

所述第一區域的上表面的高度低于所述第二區域的上表面的高度。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其中所述第一區域的上表面的高度與所述第一場絕緣膜的上表面的高度相同。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第二襯層包括共形地形成在所述第二溝槽的所述側表面上的側部區域以及與所述側部區域連接并沿所述第二溝槽的所述底表面的一部分共形地形成的底部區域。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其中所述第二場絕緣膜包括與所述側部區域接觸的第一區域以及與所述第一區域接觸并通過所述第一區域與所述側部區域間隔開的第二區域。

11.根據權利要求10所述的半導體器件，其中所述第一區域的蝕刻速度不同于所述第二區域的蝕刻速度。

12.根據權利要求10所述的半導體器件，其中所述第一區域和所述第二區域包含彼此不同的材料。

13.根據權利要求10所述的半導體器件，其中所述第一區域與所述基板間隔開，并且所述第二區域與所述基板直接接觸。

14.根據權利要求10所述的半導體器件，其中所述第一區域的底表面高于所述第二區域的底表面。

15.根據權利要求9所述的半導體器件，其中所述側部區域的上表面的高度與所述第二場絕緣膜的上表面的高度相同。

16.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一襯層的最高部分的高度與所述第二襯層的最高部分的高度相同。