[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201610809531.4
• 申請日: 2016-09-08
• 公開（公告）號: CN106997902B
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 車知勛
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王新華

本公開提供了半導體器件。一種半導體器件包括：鰭型圖案，從基板突出并包括彼此相反的第一側表面和第二側表面；第一溝槽，與第一側表面接觸；第二溝槽，與第二側表面接觸；第一襯層，共形地形成在第一溝槽的側表面和底表面上；第一場絕緣膜，設置在第一襯層上并部分地填充第一溝槽；第二襯層，共形地形成在第二溝槽的側表面上并暴露第二溝槽的底表面；以及第二場絕緣膜，設置在第二襯層上并部分地填充第二溝槽。

技術領域

本發明構思涉及半導體器件及其制造方法。

背景技術

已經開發了多柵極晶體管來增大半導體器件的密度。在多柵極晶體管中，提供有形成在基板上的鰭形或納米線形狀的硅主體，柵極形成在硅主體的表面上。

發明內容

根據本發明構思的示范性實施方式，提供一種半導體器件，該半導體器件包括：鰭型圖案，從基板突出并包括彼此相反的第一側表面和第二側表面；第一溝槽，與第一側表面接觸；第二溝槽，與第二側表面接觸；第一襯層，共形地形成在第一溝槽的側表面和底表面上；第一場絕緣膜，設置在第一襯層上并部分地填充第一溝槽；第二襯層，共形地形成在第二溝槽的側表面和底表面上并暴露第二溝槽的底表面的一部分；以及第二場絕緣膜，設置在第二襯層上并部分地填充第二溝槽。

第一溝槽的寬度小于第二溝槽的寬度。

第一溝槽的深度小于第二溝槽的深度。

第二場絕緣膜的上表面比第一場絕緣膜的上表面高、或者與第一場絕緣膜的上表面一致。

該半導體器件還包括形成在鰭型圖案以及第一場絕緣膜和第二場絕緣膜上的柵電極。

柵電極包括第一部分和第二部分，第一部分交疊第一場絕緣膜，第二部分交疊第二場絕緣膜，第二部分的厚度比第一部分的厚度薄。

第二襯層包括共形地形成在第二溝槽的側表面上的側部區域以及與側部區域連接并沿第二溝槽的底表面的一部分共形地形成的底部區域，第二場絕緣膜包括與側部區域接觸的第一區域以及與第一區域接觸并且通過第一區域與側部區域間隔開的第二區域，第一區域的上表面的高度低于第二區域的上表面的高度。

第一區域的上表面的高度與第一場絕緣膜的上表面的高度相同。

第二襯層包括共形地形成在第二溝槽的側表面上的側部區域以及與側部區域連接并沿第二溝槽的底表面的一部分共形地形成的底部區域。

第二場絕緣膜包括與側部區域接觸的第一區域以及與第一區域接觸并通過第一區域與側部區域間隔開的第二區域。

第一區域的蝕刻速度不同于第二區域的蝕刻速度。

第一區域和第二區域包含彼此不同的材料。

第一區域與基板間隔開，并且第二區域與基板直接接觸。

第一區域的底表面高于第二區域的底表面。

側部區域的上表面的高度與第二場絕緣膜的上表面的高度相同。

第一襯層的最高部分的高度與第二襯層的最高部分的高度相同。

第一襯層的最高部分的高度與第一場絕緣膜的最高部分的高度相同。

根據本發明構思的示范性實施方式，提供一種半導體器件，該半導體器件包括：第一鰭型圖案和第二鰭型圖案；第一溝槽，形成在第一鰭型圖案和第二鰭型圖案之間；第一襯層，與第一鰭型圖案接觸并共形地形成在第一溝槽的側壁和底表面的一部分上；第二襯層，與第二鰭型圖案接觸，與第一襯層間隔開，并共形地形成在第一溝槽的另一側壁和底表面的另一部分上；以及填充第一溝槽的第一場絕緣膜，其中第一場絕緣膜包括形成在第一襯層上的第一絕緣膜、形成在第二襯層上的第二絕緣膜以及形成在第一絕緣膜和第二絕緣膜之間的第三絕緣膜。

第三絕緣膜的上表面高于第一絕緣膜和第二絕緣膜的上表面。