[發明專利]靶材的加工方法在審
| 申請號: | 201610808285.0 | 申請日: | 2016-09-07 |
| 公開(公告)號: | CN107790745A | 公開(公告)日: | 2018-03-13 |
| 發明(設計)人: | 姚力軍;潘杰;相原俊夫;王學澤;吳發游 | 申請(專利權)人: | 寧波江豐電子材料股份有限公司 |
| 主分類號: | B23B5/00 | 分類號: | B23B5/00;C23C14/35 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司11227 | 代理人: | 高靜,吳敏 |
| 地址: | 315400 浙江省寧波*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 加工 方法 | ||
技術領域
本發明涉及靶材制造領域,特別涉及一種靶材的加工方法。
背景技術
磁控濺射是一種利用帶電粒子轟擊靶材,使靶材原子從表面溢出并均勻沉積在基片上的鍍膜工藝。磁控濺射具有濺射率高、基片溫度低、基片與膜層之間結合力好和優異的膜層均勻性等優勢。磁控濺射技術已經被廣泛應用于集成電路、信息存儲設備、液晶顯示屏、激光存儲器、電子控制器件等電子以及信息產業的制造過程中。
隨著電子產業高速發展,如集成電路制造過程中,芯片基片尺寸不斷提高,而電子器件尺寸不斷減小,集成電路電子器件集成度隨之提高,制造技術對磁控濺射技術的工藝要求越來越嚴格。
磁控濺射過程中所使用靶材的質量是影響磁控濺射鍍膜質量的關鍵因素之一。所以對于濺射靶材的質量要求高于傳統材料行業的質量要求。濺射靶材的一般質量要求主要包括對于尺寸、平整度、純度、成分含量、密度,晶粒尺寸與缺陷控制等方面的要求;此外,在面粗糙度、電阻值、晶粒尺寸均勻性、成分與組織均勻性、異物(氧化物)含量與尺寸、導磁率、超高密度與超細晶粒等方面,濺射靶材具有更高的質量要求或者特殊的質量要求。而且隨著技術的發展,靶材濺射面不再僅僅是平面結構的,還發展出了濺射面開設有V型槽的靶材。
但是現有機械加工技術對于濺射面具有V型槽的靶材加工效率較低。
發明內容
本發明解決的問題是提供一種靶材的加工方法,以提高濺射面具有V型槽的靶材的加工效率。
為解決上述問題,本發明提供一種靶材的加工方法,包括:
提供靶材,所述靶材具有待加工面;提供刀具,所述刀具包括刀片,所述刀片上具有排削槽;采用所述刀具對所述待加工面進行車削加工以形成濺射面,車削過程中所產生的廢削通過所述刀片上的排削槽排出。
可選的,提供刀具的步驟中,所述刀片具有前刀面,所述排削槽位于所述前刀面上;采用所述刀具對所述待加工面進行車削加工的步驟中,部分所述前刀面與所述靶材的材料相接觸以進行車削加工。
可選的,提供刀片的步驟中,所述前刀面呈菱形,所述前刀面的邊為所述刀片的切削刃,所述排削槽平行所述切削刃設置;采用所述刀具對所述待加工面進行車削加工的步驟包括,通過所述切削刃對所述待加工面進行車削加工。
可選的,提供刀具的步驟中,所述刀片的材料為H210T合金。
可選的,提供刀具的步驟中,所述刀具還包括用于固定所述刀片的刀桿;提供所述到刀具的步驟包括:將所述刀片固定于所述刀桿上。
可選的,采用刀具對所述待加工面進行車削加工的步驟包括:對所述待加工面進行粗車加工,以形成粗加工面;對所述粗加工面進行精車加工,以形成濺射面。
可選的,所述粗車加工的步驟和所述精車加工的步驟中的一個或兩個步驟包括:采用數控機床進行加工。
可選的,所述粗車加工的步驟中,所述數控機床的轉速在450轉/分鐘到550轉/分鐘范圍內,進給量在0.27毫米/分鐘到0.33毫米/轉范圍內,吃刀量在0.45毫米到0.55毫米范圍內。
可選的,所述精車加工步驟中,所述數控機床的轉速在720轉/分鐘到880轉/分鐘范圍內,進給量在0.135毫米/分鐘到0.165毫米/轉范圍內,吃刀量在0.09毫米到0.11毫米范圍內。
可選的,所述粗車加工的步驟中,垂直所述待加工面的方向上,所述粗車加工的余量在0.45毫米到0.55毫米范圍內。
可選的,所述粗車加工的步驟中,平行所述待加工面平面的方向上,所述粗車加工的余量在0.45毫米到0.55毫米范圍內。
可選的,在采用所述刀具對所述待加工面進行機械加工的步驟中,在所述刀片與所述待加工面的接觸處添加冷卻劑。
可選的,在所述刀片與所述待加工面的接觸處添加冷卻劑的步驟中,所述冷卻劑為包含有3380乳化劑的水溶液。
可選的,提供靶材的步驟中,所述靶材的材料為銅。
可選的,進行車削加工的步驟包括:采用所述刀具對所述待加工面進行車削加工,在所述待加工面上形成V型凹槽,以形成濺射面。
與現有技術相比,本發明的技術方案具有以下優點:
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