[發(fā)明專利]一種低功耗亞閾值全MOS管的基準電壓源的設(shè)計在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610804744.8 | 申請日: | 2016-09-06 |
| 公開(公告)號: | CN107797601A | 公開(公告)日: | 2018-03-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張國俊;張濤 | 申請(專利權(quán))人: | 電子科技大學 |
| 主分類號: | G05F1/565 | 分類號: | G05F1/565 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 611731 四川省*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 功耗 閾值 mos 基準 電壓 設(shè)計 | ||
1.一種低功耗亞閾值全MOS管基準電壓源的設(shè)計,其包含基準核心電路以及啟動電路,所述基準核心電路,用于產(chǎn)生基準電壓,其特征在于:通過對工作在亞閾值區(qū)、線性區(qū)和飽和區(qū)的MOS晶體管不同電流特性的分析設(shè)計了一種低功耗全MOS基準電壓源電路。
2.通過使用工作在線性區(qū)的MOS晶體管代替普通常規(guī)電阻使整個電路實現(xiàn)全MOS基準源的特性,同時可以有效減小電路芯片面積。
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