[發(fā)明專利]一種半導體器件及其制作方法、電子裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610802468.1 | 申請日： | 2016-09-05 |
| 公開（公告）號： | CN107799410A | 公開（公告）日： | 2018-03-13 |
| 發(fā)明（設計）人： | 趙猛 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所11336 | 代理人： | 高偉,張建 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體器件 及其 制作方法 電子 裝置 | ||
1.一種半導體器件的制作方法，用于通過外延法形成源極和漏極，其特征在于，包括下述步驟：
提供半導體襯底，在所述半導體襯底上待形成源極和漏極的區(qū)域通過外延法形成第一外延層；
在所述第一外延層上通過外延法形成第二外延層，以形成源極和漏極。
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，
所述第一外延層與所述半導體襯底晶格匹配，所述第二外延層具有高應力。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述第一外延層為SiSn外延層或SiP外延層。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述第二外延層為SiGe外延層、SiGeSn外延層或SiC外延層。
5.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，還包括下述步驟：
在所述半導體襯底上形成鰭片，在所述鰭片上形成柵極結構；
在所述柵極結構兩側形成所述源極和漏極。
6.根據(jù)權利要求5所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，還包括下述步驟：
去除所述柵極結構兩側的鰭片以露出所述鰭片下方的半導體襯底；
在所述露出的半導體襯底上形成所述源極和漏極。
7.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，還包括下述步驟：
對所述源極和漏極執(zhí)行離子注入。
8.根據(jù)權利要求7所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述注入離子為C、N或F。
9.一種半導體器件，其特征在于，包括：半導體襯底，在所述半導體襯底上形成有柵極以及位于所述柵極兩側的源極和漏極，其中所述源極和漏極包括第一外延層和第二外延層，所述第一外延層與所述半導體襯底晶格匹配，所述第二外延層具有高應力。
10.根據(jù)權利要求9所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述第一外延層為SiSn外延層或SiP外延層。
11.根據(jù)權利要求9所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述第二外延層為SiGe外延層、SiGeSn外延層或SiC外延層。
12.一種電子裝置，其特征在于，包括如權利要求9-11任意一項所述的半導體器件以及與所述半導體器件相連接的電子組件。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
