[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610797896.X | 申請(qǐng)日: | 2016-08-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106298647B | 公開(公告)日: | 2017-12-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 崔承鎮(zhèn) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/77 | 分類號(hào): | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1343;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 陣列 及其 制備 方法 顯示 面板 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及其制備方法。
背景技術(shù)
液晶顯示器(Liquid Crystal Display,簡(jiǎn)稱LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等優(yōu)點(diǎn),在顯示領(lǐng)域中占據(jù)了主導(dǎo)地位。
液晶顯示器中的液晶顯示面板包括陣列基板、對(duì)盒基板以為位于二者之間的液晶層。
目前,一種結(jié)構(gòu)的陣列基板,其制備方法需要經(jīng)過六次采用掩模板的構(gòu)圖工藝,具體為:通過第一次構(gòu)圖工藝形成柵極和柵線;通過第二次構(gòu)圖工藝形成有源層、源極和漏極、以及數(shù)據(jù)線;通過第三次構(gòu)圖工藝形成第一鈍化層和有機(jī)絕緣層;通過第四次溝通工藝形成第一電極;通過第四次溝通工藝形成第二鈍化層;通過第五次構(gòu)圖工藝形成第二電極;其中,第一電極和第二電極互為像素電極和公共電極。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及其制備方法,可減少構(gòu)圖工藝次數(shù),降低成本。
為達(dá)到上述目的,本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
第一方面,提供一種陣列基板的制備方法,包括:在襯底上通過一次構(gòu)圖工藝形成柵金屬層;在形成有所述柵金屬層和柵絕緣層的襯底上,通過一次構(gòu)圖工藝形成半導(dǎo)體層和源漏金屬層;所述源漏金屬層包括數(shù)據(jù)線和與所述數(shù)據(jù)線連接的金屬電極;在形成有所述半導(dǎo)體層和源漏金屬層的襯底上,通過一次構(gòu)圖工藝形成第一電極,并形成溝道區(qū),所述溝道區(qū)使所述金屬電極形成源極和漏極;在形成有所述第一電極的襯底上,通過一次構(gòu)圖工藝形成鈍化層和有機(jī)絕緣層;所述有機(jī)絕緣層至少與所述數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng);在形成有所述有機(jī)絕緣層的襯底上,通過一次構(gòu)圖工藝形成第二電極。
優(yōu)選的,所述第一電極和所述第二電極均為透明電極。
可選的,所述第一電極為公共電極;所述第二電極為像素電極;所述像素電極至少通過設(shè)置在所述鈍化層上的過孔與所述漏極電連接;或者,所述第一電極為像素電極;所述像素電極與所述漏極直接相連;所述第二電極為公共電極。
優(yōu)選的,所述半導(dǎo)體層和所述源漏金屬層的圖案形狀相同;通過一次構(gòu)圖工藝形成第一電極,并形成溝道區(qū),包括:在形成有所述半導(dǎo)體層和所述源漏金屬層的襯底上形成導(dǎo)電薄膜,并形成光刻膠;采用普通掩模板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光,顯影后形成光刻膠保留圖案,所述光刻膠保留圖案與待形成的所述第一電極、待形成的所述源極和所述漏極、以及所述數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng);采用刻蝕工藝對(duì)基板進(jìn)行刻蝕,使所述金屬電極形成所述源極和所述漏極,并形成所述第一電極,同時(shí)形成位于所述數(shù)據(jù)線、所述源極和所述漏極上方的保留圖案。
進(jìn)一步,優(yōu)選的,所述半導(dǎo)體層包括a-si層和n+a-si層;采用刻蝕工藝對(duì)基板進(jìn)行刻蝕,使所述金屬電極形成所述源極和所述漏極,包括:采用刻蝕工藝對(duì)基板進(jìn)行刻蝕,使所述金屬電極形成所述源極和所述漏極,使所述n+a-si層形成歐姆接觸層。
可選的,所述有機(jī)絕緣層與所述數(shù)據(jù)線、所述源極和所述漏極、以及所述溝道區(qū)對(duì)應(yīng)。
進(jìn)一步優(yōu)選的,所述鈍化層的厚度為所述有機(jī)絕緣層的厚度為1.5~2.2μm。
可選的,所述有機(jī)絕緣層平鋪于所述襯底上;所述有機(jī)絕緣層包括第一部分和第二部分;所述第一部分與所述數(shù)據(jù)線、所述源極和所述漏極、以及所述溝道區(qū)對(duì)應(yīng);所述第二部分對(duì)應(yīng)其他區(qū)域;所述第一部分的厚度為1.8~2.7μm,所述第二部分的厚度為所述鈍化層的厚度為
進(jìn)一步優(yōu)選的,在所述第一電極為公共電極,所述第二電極為像素電極的情況下,通過一次構(gòu)圖工藝形成鈍化層和有機(jī)絕緣層,包括:在形成有所述第一電極的襯底上,依次形成鈍化薄膜和感光樹脂薄膜;采用半色調(diào)掩模板對(duì)所述感光樹脂薄膜進(jìn)行曝光,形成感光樹脂完全保留部分、感光樹脂半保留部分和完全去除部分;所述感光樹脂完全保留部分與所述數(shù)據(jù)線、所述源極和所述漏極、以及所述溝道區(qū)對(duì)應(yīng);所述完全去除部分與待形成的露出所述漏極的過孔對(duì)應(yīng);所述感光樹脂半保留部分與其他區(qū)域?qū)?yīng);采用刻蝕工藝對(duì)所述鈍化薄膜進(jìn)行刻蝕,形成包括過孔的鈍化層,所述過孔露出所述漏極;采用灰化工藝對(duì)所述感光樹脂完全保留部分和所述感光樹脂半保留部分進(jìn)行灰化,形成所述有機(jī)絕緣層。
進(jìn)一步的,所述感光樹脂完全保留部分的厚度為2.0~3.0μm;所述感光樹脂半保留部分的厚度為
第二方面,提供一種顯示面板的制備方法,包括第一方面所述陣列基板的制備方法。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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