[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610797896.X
• 申請(qǐng)日: 2016-08-31
• 公開（公告）號(hào): CN106298647B
• 公開（公告）日: 2017-12-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔承鎮(zhèn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/77
• 分類號(hào): H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1343;G02F1/1362
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司11274
• 代理人: 申健

1.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成柵金屬層；

在形成有所述柵金屬層和柵絕緣層的襯底上，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成半導(dǎo)體層和源漏金屬層；所述源漏金屬層包括數(shù)據(jù)線和與所述數(shù)據(jù)線連接的金屬電極；

在形成有所述半導(dǎo)體層和源漏金屬層的襯底上，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成第一電極，并形成溝道區(qū)，所述溝道區(qū)使所述金屬電極形成源極和漏極；

在形成有所述第一電極的襯底上，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成鈍化層和有機(jī)絕緣層；所述有機(jī)絕緣層至少與所述數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)；

在形成有所述有機(jī)絕緣層的襯底上，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成第二電極；

所述有機(jī)絕緣層與所述數(shù)據(jù)線、所述源極和所述漏極、以及所述溝道區(qū)對(duì)應(yīng)；或者，所述有機(jī)絕緣層平鋪于所述襯底上，所述有機(jī)絕緣層包括第一部分和第二部分，所述第一部分與所述數(shù)據(jù)線、所述源極和所述漏極、以及所述溝道區(qū)對(duì)應(yīng)，所述第二部分對(duì)應(yīng)其他區(qū)域；

所述第一電極為公共電極；所述第二電極為像素電極；

通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成鈍化層和有機(jī)絕緣層，包括：在形成有所述第一電極的襯底上，依次形成鈍化薄膜和感光樹脂薄膜；采用半色調(diào)掩模板對(duì)所述感光樹脂薄膜進(jìn)行曝光，形成感光樹脂完全保留部分、感光樹脂半保留部分和完全去除部分；所述感光樹脂完全保留部分與所述數(shù)據(jù)線、所述源極和所述漏極、以及所述溝道區(qū)對(duì)應(yīng)；所述完全去除部分與待形成的露出所述漏極的過(guò)孔對(duì)應(yīng)；所述感光樹脂半保留部分與其他區(qū)域?qū)?yīng)；采用刻蝕工藝對(duì)所述鈍化薄膜進(jìn)行刻蝕，形成包括過(guò)孔的鈍化層，所述過(guò)孔露出所述漏極；采用灰化工藝對(duì)所述感光樹脂完全保留部分和所述感光樹脂半保留部分進(jìn)行灰化，形成所述有機(jī)絕緣層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一電極和所述第二電極均為透明電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述像素電極至少通過(guò)設(shè)置在所述鈍化層上的過(guò)孔與所述漏極電連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體層和所述源漏金屬層的圖案形狀相同；

通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成第一電極，并形成溝道區(qū)，包括：

在形成有所述半導(dǎo)體層和所述源漏金屬層的襯底上形成導(dǎo)電薄膜，并形成光刻膠；

采用普通掩模板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠保留圖案，所述光刻膠保留圖案與待形成的所述第一電極、待形成的所述源極和所述漏極、以及所述數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)；

采用刻蝕工藝對(duì)基板進(jìn)行刻蝕，使所述金屬電極形成所述源極和所述漏極，并形成所述第一電極，同時(shí)形成位于所述數(shù)據(jù)線、所述源極和所述漏極上方的保留圖案。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體層包括a-si層和n⁺a-si層；

采用刻蝕工藝對(duì)基板進(jìn)行刻蝕，使所述金屬電極形成所述源極和所述漏極，包括：

采用刻蝕工藝對(duì)基板進(jìn)行刻蝕，使所述金屬電極形成所述源極和所述漏極，使所述n⁺a-si層形成歐姆接觸層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述鈍化層的厚度為

所述有機(jī)絕緣層的厚度為1.5～2.2μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一部分的厚度為1.8～2.7μm，所述第二部分的厚度為

所述鈍化層的厚度為

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述感光樹脂完全保留部分的厚度為2.0～3.0μm；所述感光樹脂半保留部分的厚度為

9.一種顯示面板的制備方法，其特征在于，包括形成權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述陣列基板的制備方法。