[發明專利]目標圖形的修正方法

有效

• 申請號: 201610788930.7
• 申請日: 2016-08-31
• 公開（公告）號: CN107797375B
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 杜杳雋;李亮
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 吳敏

一種目標圖形的修正方法，包括：提供目標圖形，將目標圖形的輪廓分割為多個邊緣；對目標圖形進行光學鄰近修正獲取掩模版圖形；對掩模板圖形進行光學模擬，獲得模擬曝光圖形，檢測模擬曝光圖形上是否存在弱點；當存在弱點時，基于所述弱點在目標圖形中確定修正窗口，將所述修正窗口內的目標圖形與所述模擬曝光圖形對應區域的圖形進行對比，獲得修正窗口內每個邊緣的位置誤差，計算修正窗口內每個邊緣的修正量對修正窗口內所有邊緣的位置誤差產生的影響，確定每個邊緣的修正量，根據每個邊緣的修正量對目標圖形進行修正。本發明實施例的修正方法能夠解決問題性光刻工藝版圖設計所引起的沖突性誤差的問題，節省運算時間且有效地消除沖突性弱點。

技術領域

本發明涉及半導體制造工藝領域，尤其涉及一種光刻工藝中目標圖形的修正方法。

背景技術

在半導體制造工藝中，伴隨著集成電路制造技術的發展，關鍵尺寸(CriticalDimension，CD)逐漸縮小。當集成電路的關鍵尺寸減小到其數量級與光刻設備的曝光波長相當時，會產生光學鄰近效應(Optical Proximity Effect，OPE)。這一現象是由于在光的傳播過程中，光通過掩模版發生衍射和干涉，使得光刻工藝中集成電路結構圖案從掩模版復制到光刻膠時產生形變和失真。

為了克服光學鄰近效應，業界通常采用光學鄰近修正(Optical ProximityEffect，OPC)方法對預期會發生形變和失真的光刻掩模版進行預先修改，使得修改補償的量正好能夠補償光刻機曝光系統所產生的光學鄰近效應，從而使最終硅片上曝光圖形與目標圖形一致。

光學鄰近修正通過多次迭代步驟能夠修正硅片上曝光圖形與目標圖形之間的邊緣位置誤差(Edge Displacement Error，EPE)，然而卻難以修正由于設計缺陷所引起的沖突性誤差的問題。所謂沖突性誤差即對一種圖案的誤差修正會加劇相鄰其他圖案的誤差程度，這種沖突性誤差難以被同時解決。

因此，需要一種能夠解決沖突性誤差的方法。

發明內容

本發明解決的技術問題是提供一種目標圖形的修正方法以解決沖突性誤差、提高光學鄰近修正的精度。

為解決上述技術問題，本發明實施例提供一種目標圖形的修正方法，包括：提供目標圖形，將所述目標圖形的輪廓分割為多個邊緣；對所述目標圖形進行光學鄰近修正，獲取掩模版圖形；對所述掩模板圖形進行光學模擬，獲得模擬曝光圖形，檢測所述模擬曝光圖形上是否存在弱點；當存在弱點時，基于所述弱點在所述目標圖形中確定修正窗口，將所述修正窗口內的目標圖形與所述模擬曝光圖形對應區域的圖形進行對比，獲得所述修正窗口內每個邊緣的位置誤差，計算所述修正窗口內每個邊緣的修正量對修正窗口內所有邊緣的位置誤差產生的影響，由所述修正窗口內每個邊緣的修正量對修正窗口內所有邊緣的位置誤差產生的影響、和所述每個邊緣的位置誤差確定每個邊緣的修正量，根據所述每個邊緣的修正量對所述目標圖形進行修正，獲得修正后的目標圖形。

可選地，所述弱點為沖突性弱點，所述沖突性弱點位于所述模擬曝光圖形上多個圖案的交界處，對所述沖突性弱點處的模擬曝光圖形進行光學鄰近修正，會同時對所述多個圖案產生影響。

可選地，計算所述修正窗口內每個邊緣的修正量對所述修正窗口內所有邊緣的位置誤差產生的影響包括：計算所述修正窗口內所有邊緣的位置干擾矩陣。

可選地，所述修正窗口內所有邊緣的位置干擾矩陣包括：所述矩陣的對角元素為對所述修正窗口內所有邊緣中的任一邊緣施加單位距離的修正量，所述任一邊緣產生的位置誤差；以及所述矩陣的非對角元素為對所述修正窗口內所有邊緣中的任一邊緣施加單位距離的修正量，所述修正窗口內所有邊緣中除所述任一邊緣以外的其他邊緣產生的位置誤差。

可選地，所述矩陣的對角元素大于所述矩陣的非對角元素。