[發明專利]目標圖形的修正方法有效
| 申請號: | 201610788930.7 | 申請日: | 2016-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN107797375B | 公開(公告)日: | 2020-11-03 |
| 發明(設計)人: | 杜杳雋;李亮 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/36 | 分類號: | G03F1/36 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 吳敏 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 目標 圖形 修正 方法 | ||
1.一種目標圖形的修正方法,其特征在于,包括:
提供目標圖形,將所述目標圖形的輪廓分割為多個邊緣;
對所述目標圖形進行光學鄰近修正,獲取掩模版圖形;
對所述掩模板圖形進行光學模擬,獲得模擬曝光圖形,檢測所述模擬曝光圖形上是否存在弱點,其中檢測所述模擬曝光圖形上是否存在弱點的方法包括:將所述模擬曝光圖形與所述目標圖形進行對比,若某處的差異大于臨界值,則該處為弱點;
當存在弱點時,基于所述弱點在所述目標圖形中確定修正窗口,將所述修正窗口內的目標圖形與所述模擬曝光圖形對應區域的圖形進行對比,獲得所述修正窗口內每個邊緣的位置誤差,計算所述修正窗口內每個邊緣的修正量對修正窗口內所有邊緣的位置誤差產生的影響,由所述修正窗口內每個邊緣的修正量對修正窗口內所有邊緣的位置誤差產生的影響、和所述每個邊緣的位置誤差確定每個邊緣的修正量,根據所述每個邊緣的修正量對所述目標圖形進行修正,獲得修正后的目標圖形,其中計算所述修正窗口內每個邊緣的修正量對所述修正窗口內所有邊緣的位置誤差產生的影響包括:計算所述修正窗口內所有邊緣的位置干擾矩陣;計算所述位置干擾矩陣的逆矩陣,由所述逆矩陣與所述每個邊緣的位置誤差計算出所述每個邊緣的修正量。
2.如權利要求1所述的目標圖形的修正方法,其特征在于,所述弱點為沖突性弱點,所述沖突性弱點位于所述模擬曝光圖形上多個圖案的交界處,對所述沖突性弱點處的模擬曝光圖形進行光學鄰近修正,會同時對所述多個圖案產生影響。
3.如權利要求1所述的目標圖形的修正方法,其特征在于,所述修正窗口內所有邊緣的位置干擾矩陣包括:
所述矩陣的對角元素為對所述修正窗口內所有邊緣中的任一邊緣施加單位距離的修正量,所述任一邊緣產生的位置誤差;以及
所述矩陣的非對角元素為對所述修正窗口內所有邊緣中的任一邊緣施加單位距離的修正量,所述修正窗口內所有邊緣中除所述任一邊緣以外的其他邊緣產生的位置誤差。
4.如權利要求3所述的目標圖形的修正方法,其特征在于,所述矩陣的對角元素大于所述矩陣的非對角元素。
5.如權利要求3所述的目標圖形的修正方法,其特征在于,所述修正窗口內包括n個邊緣,計算所述修正窗口內所有邊緣的位置干擾矩陣的方法包括:
所述位置干擾矩陣T為n×n階矩陣,矩陣元素表示所述n個邊緣中的第j邊緣的修正量對第i邊緣的位置誤差產生的影響,其中1≤i,j≤n。
6.如權利要求5所述的目標圖形的修正方法,其特征在于,當i=j時,矩陣元素Tii的取值范圍為1nm至5nm。
7.如權利要求5所述的目標圖形的修正方法,其特征在于,當i≠j時,矩陣元素Tij的取值范圍為0至1nm。
8.如權利要求6所述的目標圖形的修正方法,其特征在于,所述n個邊緣中第i邊緣的修正量為Δfi=∑j(T-1)ijΔEpej,其中ΔEpej為第j邊緣的位置誤差,Δfi為第i邊緣的修正量。
9.如權利要求1所述的目標圖形的修正方法,其特征在于,所述每個邊緣的修正量不大于5nm。
10.如權利要求1所述的目標圖形的修正方法,其特征在于,根據所述每個邊緣的修正量對所述目標圖形進行修正,獲得修正后的目標圖形包括:根據所述每個邊緣的修正量,對所述修正窗口內的目標圖形進行修正。
11.如權利要求1所述的目標圖形的修正方法,其特征在于,對所述目標圖形進行光學鄰近修正,獲取掩模版圖形的方法包括:對所述目標圖形進行至少一次的光學鄰近修正,獲取掩模版圖形。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





